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      標(biāo)簽　>　sic

      sic

      sic

      +關(guān)注31人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

      文章：2836個(gè) 瀏覽：65125次 帖子：124個(gè)

      sic技術(shù)

      UCC23514 5kVrms 4A/5A，單通道光學(xué)兼容隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，帶有鉗位和分割輸出選項(xiàng)數(shù)據(jù)手冊(cè)

      UCC23514 5kVrms 4A/5A，單通道光學(xué)兼容隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，帶有鉗位和分割輸出選項(xiàng)數(shù)據(jù)手冊(cè)

      UCC23514 是一款適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4.5A 的拉電流和 5.3A ...

      2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFETFETSiC 287 0

      UCC21550 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      UCC21550 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      UCC21550 是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì)，可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFE...

      2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET可編程晶體管 282 0

      找到你的高壓電源設(shè)計(jì)最佳平衡點(diǎn)

      當(dāng) 750V 第 4 代 SiC FET 與第 3 代 650V 的比較令人吃驚——例如，6 毫歐器件顯示兩個(gè) R 的強(qiáng)度幾乎減半DS?品質(zhì)因數(shù)和體二極...

      2023-02-17 標(biāo)簽：電源SiC氮化鎵 268 0

      ADuM4177具有擺率控制和BIST功能的40 A拉電流和30 A灌電流SiC隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)

      ADuM4177具有擺率控制和BIST功能的40 A拉電流和30 A灌電流SiC隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)

      ADuM4177是一款高性能隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，采用ADI公司的*i*Coupler ^?^ 技術(shù)，提供5.7 kV RMS隔離。ADuM4177采用28...

      2025-05-29 標(biāo)簽：SiC拉電流灌電流 209 0

      CoolSiC? MOSFET G2如何正確選型

      CoolSiC? MOSFET G2如何正確選型

      之前兩篇文章我們分別介紹了CoolSiCMOSFETG2的產(chǎn)品特點(diǎn)及導(dǎo)通特性（參考閱讀：CoolSiCMOSFETGen2性能綜述，CoolSiCMOS...

      2025-06-23 標(biāo)簽：MOSFETSiC仿真電路 202 0

      CoolSiC? MOSFET G2導(dǎo)通特性解析

      CoolSiC? MOSFET G2導(dǎo)通特性解析

      上一篇我們介紹了英飛凌CoolSiCMOSFETG2的產(chǎn)品特性（參考文章：CoolSiCMOSFETG2性能綜述）。那么在實(shí)際應(yīng)用中，G2如何進(jìn)行正確的...

      2025-06-16 標(biāo)簽：英飛凌MOSFETSiC 189 0

      SiC功率器件在純電動(dòng)卡車(chē)中的應(yīng)用的秘密

      SiC功率器件在純電動(dòng)卡車(chē)中的應(yīng)用的秘密

      -回答星友xuu的提問(wèn)，關(guān)于SiC功率器件在純電動(dòng)卡車(chē)中的應(yīng)用解析-文字原創(chuàng)，素材來(lái)源：各廠(chǎng)商，網(wǎng)絡(luò)-本篇為知識(shí)星球節(jié)選，完整版報(bào)告與解讀在知識(shí)星球發(fā)布...

      2025-06-01 標(biāo)簽：功率器件SiC純電動(dòng)車(chē) 175 0

      是時(shí)候從Si切換到SiC了嗎？

      是時(shí)候從Si切換到SiC了嗎？

      在過(guò)去的幾年里，碳化硅(SiC)開(kāi)關(guān)器件，特別是SiC MOSFET，已經(jīng)從一個(gè)研究課題演變成一個(gè)重要的商業(yè)化產(chǎn)品。

      2023-05-25 標(biāo)簽：MOSFET逆變器SiC 171 0

      揭秘SiC肖特基二極管的關(guān)斷電容效應(yīng)

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      /引言/碳化硅（SiC）器件憑借其出色的電氣和熱性能，正在逐步取代傳統(tǒng)硅（Si）器件，成為高效能電子系統(tǒng)中的新寵。那么，SiC到底有何獨(dú)特之處？特別是在...

      2025-07-02 標(biāo)簽：肖特基二極管SiC電容效應(yīng) 161 0

      SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

      SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

      碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷2大類(lèi)，無(wú)論是作為單晶還是陶瓷，碳化硅材料目前已成為半導(dǎo)體、新能源汽車(chē)、光伏等三大千億賽道的關(guān)鍵材料之一。圖片來(lái)源：Pixa...

      2025-06-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC 156 0

      碳化硅襯底切割自動(dòng)對(duì)刀系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型

      碳化硅襯底切割自動(dòng)對(duì)刀系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型

      一、引言 碳化硅（SiC）襯底憑借優(yōu)異性能在半導(dǎo)體領(lǐng)域地位關(guān)鍵，其切割加工精度和效率影響產(chǎn)業(yè)發(fā)展。自動(dòng)對(duì)刀系統(tǒng)決定切割起始位置準(zhǔn)確性，進(jìn)給參數(shù)控制切割過(guò)...

      2025-07-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 154 0

      浮思特 | SiC MOSFET 封裝散熱優(yōu)化與開(kāi)爾文源極結(jié)構(gòu)

      浮思特 | SiC MOSFET 封裝散熱優(yōu)化與開(kāi)爾文源極結(jié)構(gòu)

      本文探討了近期在碳化硅(SiC)MOSFET器件封裝與設(shè)計(jì)方面的進(jìn)展，重點(diǎn)關(guān)注頂部冷卻封裝方案及其在提升熱性能、降低開(kāi)關(guān)損耗方面的作用，以及開(kāi)爾文源極連...

      2025-07-08 標(biāo)簽：MOSFET封裝SiC 127 0

      Texas Instruments TCAN1472-Q1汽車(chē)級(jí)故障保護(hù)收發(fā)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      Texas Instruments TCAN1472-Q1汽車(chē)級(jí)故障保護(hù)收發(fā)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      Texas Instruments TCAN1472-Q1汽車(chē)級(jí)故障保護(hù)收發(fā)器是一款具有信號(hào)改善能力 (SIC) 的高速控制器局域網(wǎng) (CAN) 收發(fā)...

      2025-07-09 標(biāo)簽：收發(fā)器局域網(wǎng)SiC 120 0

      Texas Instruments UCC57102Z/UCC57102Z-Q1低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      Texas Instruments UCC57102Z/UCC57102Z-Q1低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

      Texas Instruments UCC57102Z/UCC57102Z-Q1低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)MOSFET、碳化硅 (SiC) MOSFET...

      2025-07-10 標(biāo)簽：MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng)器 116 0

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      • 快充技術(shù)
        快充技術(shù)
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        尼吉康
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      • trinamic
        trinamic
        +關(guān)注
        TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話(huà)，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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        閾值電壓
        +關(guān)注
        　　閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線(xiàn)中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓。
      • 無(wú)線(xiàn)供電
        無(wú)線(xiàn)供電
        +關(guān)注
        無(wú)線(xiàn)供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線(xiàn)供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線(xiàn)供電。
      • 寧德時(shí)代
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        +關(guān)注
      • 艾德克斯
        艾德克斯
        +關(guān)注
        ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶(hù)具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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        快充
        +關(guān)注
        目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
      • Qi標(biāo)準(zhǔn)
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        +關(guān)注
        國(guó)際無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線(xiàn)充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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        Pebble，是一家智能手表廠(chǎng)商。2015年2 月底，智能手表廠(chǎng)商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線(xiàn)不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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        　BMS電池系統(tǒng)俗稱(chēng)之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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        A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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        MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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        +關(guān)注
        采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線(xiàn)分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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        逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線(xiàn)電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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        Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵 （GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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        脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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        共享充電寶
        +關(guān)注
        共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶(hù)使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶(hù)。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線(xiàn)共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶(hù)規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶(hù)規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
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        董明珠
        +關(guān)注
        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。 　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
      • LT8705
        LT8705
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