碳化硅二極管優(yōu)勢(shì)有哪些？

碳化硅二極管的優(yōu)勢(shì) 　 1.寬禁帶提高了工作溫度和可靠性 　　寬禁帶材料可提高器件的工作溫度，6H-SiC和4H-SiC禁帶寬度分別高...

2023-02-03 標(biāo)簽：功率器件SiC寬禁帶 833 0

什么是碳化硅？SiC在電力電子領(lǐng)域的一些非凡特性有哪些

碳化硅因其獨(dú)特的性能而被譽(yù)為硅的潛在替代品。以下是使這種材料如此非凡的特性，以及它在電力電子設(shè)備中的應(yīng)用。

2023-02-03 標(biāo)簽：變頻器電力電子SiC 1414 0

碳化硅二極管在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用

碳化硅（SiC）是一種高性能的半導(dǎo)體材料，基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性，可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限，成為新能...

2023-02-03 標(biāo)簽：肖特基二極管半導(dǎo)體材料SiC 693 0

碳化硅和硅相比有何性能優(yōu)勢(shì)

硅早已是大多數(shù)電子應(yīng)用中的關(guān)鍵半導(dǎo)體材料，但與SiC相比，則顯得效率低下。SiC現(xiàn)在已開(kāi)始被多種應(yīng)用采納，特別是電動(dòng)汽車(chē)，以應(yīng)對(duì)開(kāi)發(fā)高效率和高功率器件所...

2023-02-03 標(biāo)簽：功率器件SiC能源 1205 0

中科院物理研究所實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅生長(zhǎng)的突破

從6寸把它發(fā)展到8寸，這樣在襯底上做出來(lái)的器件，就可以降低單個(gè)器件的襯底所占的成本，這是一個(gè)國(guó)際上發(fā)展的趨勢(shì)。

2023-02-03 標(biāo)簽：晶圓SiC碳化硅 1604 0

什么是碳化硅（SiC）？

碳化硅（SiC）是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料可用于制造芯片，這是半導(dǎo)體行業(yè)的基石。碳化硅是通過(guò)在電阻爐中高溫熔化石英砂，石油焦，鋸末等原材料而制造的。

2023-02-02 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體材料SiC 2.9萬(wàn) 0

從晶體到系統(tǒng)之路：關(guān)于碳化硅的關(guān)鍵的襯底和外延epi分析

由于襯底和外延和芯片的技術(shù)發(fā)展相關(guān)性不是特別大，所以我單獨(dú)把這兩個(gè)流程拿出來(lái)和大家分享，接下來(lái)的芯片技術(shù)發(fā)展比如MOSFET的平面結(jié)構(gòu)或者溝槽結(jié)構(gòu)都是直...

2023-02-02 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 4095 0

Microchip推出一款全新的綜合性混合動(dòng)力驅(qū)動(dòng)模塊

設(shè)計(jì)多電飛機(jī)（MEA）的飛機(jī)制造商希望將飛行控制系統(tǒng)從液壓轉(zhuǎn)換為電動(dòng)，以減輕重量和設(shè)計(jì)復(fù)雜性。

2023-02-02 標(biāo)簽：MOSFET控制系統(tǒng)IGBT 992 0

碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀及其在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用展望

碳化硅作為一種寬禁帶材料，具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn)，可以實(shí)現(xiàn)高壓、大功率、高頻、高溫應(yīng)用的新型功率半導(dǎo)體器件。該文對(duì)碳化硅功率...

2023-01-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電力系統(tǒng)功率器件 3298 0

采用碳化硅SiC技術(shù)封裝設(shè)計(jì)的SA111

SA111采用碳化硅（SiC）技術(shù)和領(lǐng)先的封裝設(shè)計(jì)，突破了模擬模塊的熱效率和功率密度的上限。

2023-01-30 標(biāo)簽：MOSFET直流轉(zhuǎn)換器PFC 1069 0

碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

二十多年來(lái)，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們?cè)絹?lái)越多的關(guān)注。

2023-01-17 標(biāo)簽：封裝封裝技術(shù)功率器件 865 1

一文了解SiC碳化硅扥性能優(yōu)勢(shì)和使用場(chǎng)景

碳化硅(SiC) 是第三代半導(dǎo)體，相較于前兩代半導(dǎo)體(一代硅，二代砷化鉀)碳化硅在使用極限性能，上優(yōu)于硅襯底，可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的...

2023-01-16 標(biāo)簽：SiC碳化硅 991 0

全電飛機(jī)航空電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案解析

SOI獨(dú)特的“Si/絕緣層/Si”三層結(jié)構(gòu)，帶來(lái)了諸多優(yōu)勢(shì)：首先，“絕緣埋層”實(shí)現(xiàn)了器件功能有源部分和襯底的全介質(zhì)隔離，減小了寄生電容，開(kāi)關(guān)頻率得以提高。

2023-01-10 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動(dòng)SiC碳化硅 3487 0

淺談SiC道變器技術(shù)特性及系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)

相比IGBT芯片面積減少了50% ,取消了IGBT使用的反并聯(lián)二極管。 逆變器效率主要與功率器件的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗相關(guān),而SiC逆 變器在這兩點(diǎn)均...

2023-01-09 標(biāo)簽：控制器逆變器IGBT 384 0

SiC功率模塊封裝技術(shù)及展望

SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求，對(duì)功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結(jié)了近年來(lái)封裝形式的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和技術(shù)創(chuàng)新，包括鍵合...

2023-01-07 標(biāo)簽：MOSFET封裝封裝技術(shù) 2204 0

大電流應(yīng)用中SiC MOSFET模塊的應(yīng)用

在大電流應(yīng)用中利用 SiC MOSFET 模塊

2023-01-03 標(biāo)簽：MOSFETSiC 851 0