SA111采用碳化硅（SiC）技術(shù)和領(lǐng)先的封裝設(shè)計(jì)，突破了模擬模塊的熱效率和功率密度的上限。

SA111采用表面安裝式封裝，主體大小僅20mm x 20mm，提供32A持續(xù)輸出電流，最高支持650V供電電壓，開關(guān)頻率最高可達(dá)1MHz。

這款熱效率高的封裝采用頂端散熱方式，讓用戶能充分利用主板布局。

SA111的碳化硅MOSFET使得器件能經(jīng)受更高的熱應(yīng)力，最高能承受175°C的結(jié)溫。

SA111 SiC功率模塊提供完全集成的解決方案，配備集成的柵極驅(qū)動(dòng)、欠壓鎖定和有源米勒鉗位，能提高器件控制力和保護(hù)能力。

業(yè)務(wù)拓展總監(jiān)Jens Eltze表示：

“ SA111再次體現(xiàn)了Apex Microtechnology在非常小巧的占板面積內(nèi)提供領(lǐng)先的大功率解決方案的能力。Apex榮獲專利的PQ封裝滿足了市場(chǎng)對(duì)于采用頂部冷卻的表面安裝式器件的需求。 ”

有了表面安裝式封裝類型和非常小巧的體積，設(shè)計(jì)師們就能充分利用板面積，可以使用多個(gè)器件來設(shè)計(jì)對(duì)功率要求高的電路。

各種目標(biāo)應(yīng)用場(chǎng)景包括MRI梯度線圈驅(qū)動(dòng)、磁軸承、電動(dòng)機(jī)、測(cè)試設(shè)備、服務(wù)器風(fēng)扇、功率因數(shù)補(bǔ)償（PFC）、交流/直流轉(zhuǎn)換器和直流/直流轉(zhuǎn)換器。

審核編輯：劉清