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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體材料。作...
面向汽車應(yīng)用的下一代高壓離散電源產(chǎn)品
電動汽車的激增將功率半導(dǎo)體性能的邊界推向了新的高度。傳統(tǒng)上,硅功率器件已用于控制汽車中的各種功率電子系統(tǒng),例如用于主逆變器電機(jī),泵,HVAC壓縮機(jī),制動...
PCIM2024論文摘要|新型400V SiC MOSFET用于高效三電平工業(yè)電機(jī)驅(qū)動
/摘要/400VSiCMOSFET技術(shù)商用化彌補(bǔ)了長期存在的200V中壓MOSFET與600V超級結(jié)MOSFET之間產(chǎn)品和技術(shù)空缺。400VSiCMOS...
2024-08-08 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動SiC 2456 0
確保SiC驗(yàn)證測試準(zhǔn)確度,有效測量碳化硅功率電子系統(tǒng)中的信號
在功率電子系統(tǒng)中,差分探頭和參考地電平探頭是兩種常用的電壓測量方法。差分探頭是一種流行的選擇,因?yàn)樗梢院翢o問題地添加到電路的任意節(jié)點(diǎn)中。
2021-07-13 標(biāo)簽:電子系統(tǒng)SiC碳化硅 2444 0
三菱電機(jī)開發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊,采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu),與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比,顯著降低了功率損耗,同時(shí)器件內(nèi)部...
淺談各種SiC IGBT器件的制作過程與相關(guān)性能
通常來講,全控型半導(dǎo)體器件可以依照其導(dǎo)通狀態(tài)下的載流子類型分為單極型半導(dǎo)體器件和雙極型半導(dǎo)體器件,在每一類中又可以分為電流控制型和電壓控制型。
2023-02-13 標(biāo)簽:IGBTSiC功率半導(dǎo)體 2415 0
當(dāng)討論諸如開關(guān)模式電源(SMPS)或功率因數(shù)校正(PFC)之類的高功率密度和高頻應(yīng)用時(shí),已知硅雙極二極管由于其反向恢復(fù)行為和由此產(chǎn)生的開關(guān)損耗而限制了這...
2021-05-27 標(biāo)簽:升壓轉(zhuǎn)換器PFC肖特基二極管 2388 0
芯動半導(dǎo)體和博世汽車電子簽署長期訂單合作協(xié)議
功率半導(dǎo)體元件在新能源汽車中扮演關(guān)鍵角色,占據(jù)電機(jī)控制器價(jià)值量的30%-50%。因此,功率半導(dǎo)體元件的成本、性能和供貨能力對于車企在市場競爭中取得成功至關(guān)重要。
2023-12-08 標(biāo)簽:電機(jī)控制器SiC功率半導(dǎo)體 2375 0
引言 人們對用于器件應(yīng)用的碳化硅(SiC)重新產(chǎn)生了濃厚的興趣。它具有良好的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù),可以作為第三族氮化物外延生長的襯底。在許多應(yīng)用領(lǐng)域,例...
硅是半導(dǎo)體的傳統(tǒng)材料,但其近親碳化硅(SiC)最近已成為激烈的競爭對手。碳化硅的特性特別適合高溫、高壓應(yīng)用。它提供了更高的效率,并擴(kuò)展了功率密度和工...
改變大功率燈或電機(jī)亮度的最佳技術(shù)之一是脈沖寬度調(diào)制 (PWM)。在汽車電子系統(tǒng)中,一段時(shí)間以來,控制單元使用 PWM 命令控制和管理各種執(zhí)行器。例如,柴...
我們將高功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內(nèi)的器件,這相當(dāng)于100kW的功率。SiC晶體管處理和服務(wù)的高電壓、高電流和快速開關(guān)系統(tǒng)的性質(zhì)帶來了...
2025-01-22 標(biāo)簽:IGBTSiC功率半導(dǎo)體 2354 0
使用碳化硅進(jìn)行雙向車載充電機(jī)設(shè)計(jì)
電動汽車(EV)車載充電機(jī)(OBC)可以根據(jù)功率水平和功能采取多種形式,充電功率從電動機(jī)車等應(yīng)用中的不到2 kW,到高端電動汽車中的22 kW不等。傳統(tǒng)...
隨著新能源領(lǐng)域的發(fā)展, 在數(shù)字電源控制系統(tǒng)中要求功率密度高且轉(zhuǎn)換效率高。其中,整機(jī)功率密度的提升,就需要提高開關(guān)頻率, 大部分現(xiàn)有產(chǎn)品的開關(guān)頻率在50k...
SiC,也稱為碳化硅,是硅和碳化物在晶體結(jié)構(gòu)中的組合,大約有250種不同的晶體形式可以找到SiC。碳化硅可以采取許多不同的形式:單個(gè)SiC晶??梢詿Y(jié)在...
這種布置的要點(diǎn)是,它可以被解構(gòu)為相當(dāng)于一個(gè)全橋交流整流器,然后是一個(gè)功率因數(shù)校正升壓電路,但實(shí)際上與功率流一致的元件更少,損耗更低。圖騰柱電路中只需要兩...
2023-02-17 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 2329 0
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