Qorvo SiC FET在ZVS軟開關技術應用中的卓越表現(xiàn)

從石器時代到信息時代，人類對高效率的追求從未停止。如今，隨著人工智能、電動汽車和可再生能源系統(tǒng)等前沿科技的蓬勃發(fā)展，電力電子設備面臨的挑戰(zhàn)與日俱增。開關...

2024-07-25 標簽：ZVS軟開關SiC 1732 0

源漏嵌入SiC應變技術簡介

源漏區(qū)嵌入SiC 應變技術被廣泛用于提高90nm 及以下工藝制程 NMOS 的速度，它是通過外延生長技術在源漏嵌入 SiC 應變材料，利用硅和碳晶格常數(shù)...

2024-07-25 標簽：NMOSSiC晶格 1473 0

PCIM2024論文摘要｜并聯(lián)SiC MOSFET的均流研究

/摘要/并聯(lián)SiCMOSFET面臨著許多技術挑戰(zhàn),包括電流不平衡、不同的熱性能、過電壓等。本文介紹了不同參數(shù)對并聯(lián)SiCMOSFET分流影響的理論分析和...

2024-07-25 標簽：MOSFET驅(qū)動電路SiC 977 0

使用SiC技術應對能源基礎設施的挑戰(zhàn)

本文簡要回顧了與經(jīng)典的硅 (Si) 方案相比，SiC技術是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個實際案例之前，先探討了 Si...

2024-07-25 標簽：MOSFETSiC碳化硅 701 0

用SiC JFET技術徹底改變電路保護

20世紀中葉，住宅和工業(yè)電氣系統(tǒng)經(jīng)歷了重大創(chuàng)新。其中最具影響力的進展之一是從傳統(tǒng)的可更換保險絲轉(zhuǎn)向微型斷路器(MCB)。雖然保險絲提供了基本的保護，但在...

2024-07-24 標簽：斷路器電路保護SiC 916 0

詳解電力電子領域碳化硅(SiC)的熱行為

碳化硅(SiC)在功率電子學中相比傳統(tǒng)的硅工藝技術具有眾多優(yōu)勢。它結合了更高的電子遷移率、更寬的帶隙和更好的熱導率。得益于這些特性，SiC器件相比于同等...

2024-07-19 標簽：SiC碳化硅功率電子 5.7萬 0

三種功率器件的應用區(qū)別

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）、Si MOSFET（硅金屬氧化物半導體場效應晶體管）和SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶...

2024-07-18 標簽：MOSFET半導體晶體管 1.1萬 0

驅(qū)動SiC MOSFET有多容易？

得益于寬禁帶半導體的材料優(yōu)勢，SiCMOSFET在電力電子行業(yè)中的應用越來越廣泛。SiCMOSFET很多性能與傳統(tǒng)Si基器件不同，對驅(qū)動設計也提出了更高...

2024-07-12 標簽：MOSFET驅(qū)動SiC 568 0

基于安森美碳化硅模塊的換電站中充電電路設計

在電動車發(fā)展的過程當中，充電和換電是兩個同時存在的方案。車載充電OBC可以通過兩相或三相電給汽車充電，但其無法滿足快充的需求?，F(xiàn)在充電樁發(fā)展迅速，已經(jīng)有...

2024-07-08 標簽：安森美SiC充電站 1022 0

SiC功率器件性能和可靠性的提升

在電力電子領域，碳化硅(SiC)技術對于推動向電動移動性的轉(zhuǎn)變和提高可再生能源系統(tǒng)的效率至關重要。隨著市場需求的增加，功率半導體公司面臨著迅速擴大生產(chǎn)能...

2024-07-04 標簽：功率器件SiC器件 2041 0

AI數(shù)據(jù)中心電力飆升，安森美高能效MOSFET如何見招拆招？

安森美的中低壓 T10 PowerTrench MOSFET 采用了新型屏蔽柵極溝槽技術，降低了開關損耗和導通損耗，并進而顯著降低了其 Qg，RDS(O...

2024-06-29 標簽：MOSFET安森美數(shù)據(jù)中心 1100 0

UPS系統(tǒng)設計方案解讀

UPS的應用場景日趨多樣化，每個場景都有其獨特的需求，對應不同的方案。UPS系統(tǒng)方案指南繼續(xù)上新，本文將聚焦UPS設計方案展開講述。

2024-06-26 標簽：充電器安森美SiC 1564 0

一文了解SiC MOS的應用

作為第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換...

2024-06-21 標簽：半導體MOSSiC 823 0

用碳化硅(SiC)重新思考軟開關效率

從理論上講，碳化硅(SiC)技術比硅(Si)具有優(yōu)勢，這使得它看起來可以作為電力電子中現(xiàn)有MOSFET的直接替代品。這在一定程度上是正確的，但只要關注該...

2024-06-19 標簽：電阻MOSFETSiC 1199 0

氧化鎵器件，高壓電力電子的未來之星

超寬帶隙(UWBG)半導體相比si和寬帶隙材料如SiC和GaN具有更優(yōu)越的固有材料特性。在不同的UWBG材料中，氧化鎵正逐漸展現(xiàn)出其在高壓電力電子領域的...

2024-06-18 標簽：半導體SiC電力器件 1167 0

并行連接的SiC MOSFET可以帶來更多電力

功率器件(如開關、電阻和MOSFET)的并聯(lián)連接旨在分擔功率，使設備能夠承受更大的功率。它們可以并聯(lián)連接，以增加輸出電流的容量。由于不受熱不穩(wěn)定性的影響...

2024-06-03 標簽：電流MOSFETSiC 1107 0

碳化硅(SiC)功率器件的開關性能比較

過去十年，碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術來開發(fā)基于各種半導體器件的功率模塊，如...

2024-05-30 標簽：功率器件SiC碳化硅 1521 0

SiC MOSFET：通過波形的線性近似分割來計算損耗的方法

首先，計算開通和關斷時間內(nèi)消耗的功率損耗Pton和Ptoff。波形使用圖1中的示例波形。功率損耗使用表1中的近似公式來計算。由于計算公式會因波形的形狀而...

2024-05-29 標簽：MOSFET導通電阻SiC 2013 0

碳化硅襯底片比較重要的參數(shù)有哪些？

Lattice Parameters：晶格參數(shù)。確保襯底的晶格常數(shù)與將要生長的外延層相匹配，以減少缺陷和應力。

2024-05-19 標簽：半導體SiC碳化硅 1388 0