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JBS or MPS:兩種結(jié)構(gòu)相似和設(shè)計方法完全不同的器件
本周《漲知識啦》主要給大家介紹的是結(jié)勢壘肖特基二極管(JBS:Junction Barrier Controlled Schottky Diode)和混...
將電機和外圍部件集成于一個模塊的“機電一體化”已成為趨勢,也對于在高溫環(huán)境下工作的高耐壓、高效率肖特基勢壘二極管(SBD)的需求日益高漲。
根據(jù)《漲知識啦》第32期可知,隨著反向偏壓的增大,肖特基二極管漏電流的增幅遠遠超過了耗盡區(qū)內(nèi)空間電荷產(chǎn)生電流的水平,隨后,研究人員發(fā)現(xiàn)在肖特基勢壘二極管...
肖特基二極管失效機理? 肖特基二極管(Schottky Barrier Diode, SBD)作為一種快速開關(guān)元件,在電子設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。但是,...
第三代半導體高速成長GaN功率元件今年產(chǎn)值可望大增9成
2021年6月,富士經(jīng)濟對SiC(碳化硅)、Si(硅)功率半導體等下一代功率半導體的全球市場進行了調(diào)查。功率半導體市場預(yù)計到 2030 年將達到 404...
? 瑞能半導體將亮相5月24-26日在上海新國際博覽中心盛大舉行的SNEC 2023光伏展(展位:N5-803),同全球從業(yè)者交流光伏產(chǎn)業(yè)未來市場趨勢分...
瞻芯電子完成數(shù)億元B輪融資為國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件加碼
近日,上海瞻芯電子科技有限公司(簡稱“ 瞻芯電子 ”)完成數(shù)億元B輪融資,本輪融資由國方創(chuàng)新領(lǐng)投,國中資本、臨港新片區(qū)基金、金石投資、鐘鼎資本、長石資本...
瞻芯電子推出車規(guī)級1200V 60A SiC 肖特基二極管(SBD)產(chǎn)品,助力高效大功率應(yīng)用
為了滿足高效、大功率變換系統(tǒng)應(yīng)用需要,瞻芯電子開發(fā)了4款1200V 60A SiC肖特基二極管(SBD)產(chǎn)品,其中TO247-2封裝器件產(chǎn)品IV2D12...
日本以NaFlux法制成GaN基SBD用于LED驅(qū)動電路
日本以NaFlux法制成GaN基SBD用于LED驅(qū)動電路 豐田中央研究所和三墾電氣分別利用以稱為“NaFlux法”的結(jié)晶成長法制成的GaN底板,試制出
北京順義泰科天潤項目一期投資4億元,預(yù)計2028年達產(chǎn)
3月4日,北京順義消息顯示,順義區(qū)21個在建市區(qū)重點產(chǎn)業(yè)項目全部復工復產(chǎn),其中包括泰科天潤建設(shè)公司總部、研發(fā)中心及8英寸SiC功率器件生產(chǎn)基地項目。
在車載市場中擁有豐碩業(yè)績的小型高效SBD“RBR/RBQ系列”產(chǎn)品陣容進一步壯大
通過采用新工藝,RBR系列和RBQ系列的芯片性能都得到很大提升,與ROHM以往產(chǎn)品相比,效率提高了25%。
羅姆展出了采用溝道構(gòu)造的SiC制肖特基勢壘二極管(SBD)和MOSFET。溝道型SBD的特點在于,與普通SiC制SBD相比二極管導通電壓(以下稱導通電壓...
成果一 基于Crosslight公司先進的半導體器件設(shè)計平臺,技術(shù)團隊深入探索了實現(xiàn)GaN VCSEL橫向電流限制的根本原因。研究發(fā)現(xiàn),橫向電流限制不是...
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