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標(biāo)簽 > pmos
PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類(lèi), P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時(shí),柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。
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PMOS從導(dǎo)通到關(guān)斷時(shí),PMOS的阻抗會(huì)從接近0(導(dǎo)通),再到電阻無(wú)窮大(斷開(kāi)),這里會(huì)有一段過(guò)程,而PMOS會(huì)存在一定的阻值,負(fù)載也非恒定電阻。
低功耗架構(gòu)設(shè)計(jì)需要前后端拉通規(guī)劃,前端設(shè)計(jì)有PMU功耗管理單元,比如A模塊電壓常開(kāi),B模塊電壓可關(guān)斷,那么請(qǐng)思考,當(dāng)B模塊關(guān)斷電壓后,B模塊輸出到A模塊...
2023-11-24 標(biāo)簽:模塊NMOS芯片設(shè)計(jì) 1955 0
LDO,英文全稱(chēng)是Low Dropout Regulator, 即低壓差線性穩(wěn)壓器。輸入和輸出均為直流,壓降較低,可用于穩(wěn)壓。其包含三個(gè)基本功能元件:一...
共源級(jí)放大電路的偏置設(shè)計(jì)及小信號(hào)分析
一個(gè)合適的偏置電路設(shè)計(jì)是放大器工作的前提,偏置電路需要使MOSFET工作在飽和區(qū)。如圖Fig. 1,這是一個(gè)前幾期講過(guò)的MOSFET放大器的最基本電路。
運(yùn)放的datasheet參數(shù)表格中往往給出的是DC-PSRR,而AC-PSRR往往以圖表的形式給出。
2023-11-02 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源放大電路電源抑制比 1750 0
如果你能看到下面的方程式-我相信你可以很容易地弄清楚閾值電壓對(duì)電池延遲的影響。(注:以下電阻公式是關(guān)于NMOS的。您也可以為PMOS導(dǎo)出類(lèi)似的公式(只需...
模擬開(kāi)關(guān)基礎(chǔ)及選型知識(shí)匯總
模擬開(kāi)關(guān),是利用JFET或MOS的特性實(shí)現(xiàn)控制信號(hào)通路的開(kāi)關(guān),主要用來(lái)完成信號(hào)鏈路連接或斷開(kāi)的切換功能。由于它具有功耗低、速度快、無(wú)機(jī)械觸點(diǎn)、體積小和使...
2023-02-09 標(biāo)簽:CMOS模擬開(kāi)關(guān)MOS 1618 0
舉個(gè)簡(jiǎn)單的例子,假如一個(gè)250MHz的DLL,其正常鎖定后的整個(gè)延時(shí)鏈(VCDL)的總延時(shí)為一個(gè)周期T,即4ns。但在某些特別情況下,VCDL可能延時(shí)2...
直流電源開(kāi)關(guān)TMI6240I/6250I——解決分立MOS開(kāi)關(guān)易失效,安全更可靠
拓爾微自主研發(fā)一款可以應(yīng)用在各種需待機(jī)關(guān)斷功能模塊的PowerSwitch芯片——TMI6240I/6250I,具備高集成度、高穩(wěn)定性、高可靠性的優(yōu)勢(shì)。
2023-08-10 標(biāo)簽:芯片開(kāi)關(guān)電路MOS 1568 0
三極管最典型的應(yīng)用——MOSFET驅(qū)動(dòng)電路
說(shuō)實(shí)話,這些電路大多都是在面試或者課本里出現(xiàn),考察一些大家對(duì)三極管的理解。但真正在實(shí)際電路中,很少看到三極管工作在放大區(qū)。說(shuō)到這里,也給在學(xué)校的大學(xué)生們...
2023-05-14 標(biāo)簽:三極管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 1520 0
簡(jiǎn)單的柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),我們會(huì)使用NMOS來(lái)作防反電路,原因是成本較低。 PMOS一般會(huì)放置在電路的高邊,NMOS則是在低邊放置。兩者的功能類(lèi)似。不過(guò),...
LU是 Latch Up的簡(jiǎn)寫(xiě),即閂鎖效應(yīng),也叫可控硅效應(yīng),表征芯片被觸發(fā)低阻抗通路后、電源VDD到GND之間能承受的最大電流。非車(chē)規(guī)芯片的規(guī)格書(shū)中通常...
設(shè)計(jì)具有 NMOS 和驅(qū)動(dòng)IC 的防反保護(hù)電路時(shí),NMOS 需放置在高邊,驅(qū)動(dòng)IC也從高邊取電,這里將產(chǎn)生一個(gè)大于輸入電壓 (VIN) 的內(nèi)部電壓,給 ...
2022-10-24 標(biāo)簽:保護(hù)電路電路設(shè)計(jì)NMOS 1355 0
瞬態(tài)事件對(duì)LDO動(dòng)態(tài)性能的影響
讓我們看看當(dāng)LDO的輸出出現(xiàn)下沖現(xiàn)象時(shí),其內(nèi)部會(huì)發(fā)生什么。圖1顯示了LDO的內(nèi)部結(jié)構(gòu),輸出電壓為1V時(shí),瞬態(tài)響應(yīng)下沖電壓為0.02V,導(dǎo)致輸出電壓下降到...
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