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標(biāo)簽 > nmos管
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在功率MOSFET的數(shù)據(jù)手冊(cè)中會(huì)有一個(gè)看似復(fù)雜的SOA(Safe Operation Area)圖片,這個(gè)安全工作區(qū)域圖告訴我們只有MOSFET工作在曲...
半導(dǎo)體行業(yè)之ICT技術(shù)介紹(四)
所謂的鍵合SOI是使用兩片晶圓,一片晶圓通過(guò)高電流氫離子注入在硅表面以下形成富氫層,另一片晶圓在硅表面生長(zhǎng)二氧化硅層(見(jiàn)下圖)。
VOOC閃充是OPPO獨(dú)立自主研發(fā)的快速充電技術(shù),并申請(qǐng)18項(xiàng)專利,將最快充電速度提升了4倍以上,并有無(wú)懈可擊的智能全端式五級(jí)防護(hù),是全世界較快較安全的...
2023-10-02 標(biāo)簽:適配器智能充電器STM8S003F3 1820 0
各種半導(dǎo)體材料的優(yōu)勢(shì)與劣勢(shì)的原因
固體中電子的能量是不可以連續(xù)取值的,而是一些不連續(xù)的能帶,要導(dǎo)電就要有自由電子或者空穴存在,自由電子存在的能帶稱為導(dǎo)帶(能導(dǎo)電)。被束縛的電子要成為自由...
2023-10-26 標(biāo)簽:三極管二極管半導(dǎo)體材料 1656 0
基于博流BL606P音視頻開(kāi)發(fā)板實(shí)現(xiàn)RGB點(diǎn)燈
本文是關(guān)于開(kāi)發(fā)者 kit7828 基于BL606P-DVK開(kāi)發(fā)板實(shí)戰(zhàn)開(kāi)發(fā)的系列文章中的第二篇,主要介紹了BL606P實(shí)現(xiàn)RGB點(diǎn)燈,后面還會(huì)持續(xù)更新該開(kāi)...
合科泰半導(dǎo)體推出一款N溝道MOS管HKTQ80N03
MOS管有N溝道MOS和 P溝道MOS等,N溝道MOS是在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上,制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū),并用金屬鋁引出兩個(gè)電極,分別作漏極...
2024-04-12 標(biāo)簽:鋰電池電機(jī)驅(qū)動(dòng)DFN封裝 1315 0
Ton和Toff已經(jīng)接近圖二要求的時(shí)間,MOS管24V時(shí)帶載27歐,輸出功率21.3W,輸出電壓正常,MOS管基本不發(fā)熱。 總結(jié)一:MOS管發(fā)熱原因小結(jié)...
2023-12-11 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)限流電阻開(kāi)關(guān)損耗 1172 0
合科泰NMOS管HKTQ50N03與HKTQ80N03應(yīng)用案例
MOS管也叫場(chǎng)效應(yīng)管,它可以分為PMOS管(P溝道型)和NMOS(N溝道型)管,屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。NMOS也叫N型金屬氧化物半導(dǎo)體,而由NMOS組成的...
2023-02-20 標(biāo)簽:集成電路MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 1096 0
在我們現(xiàn)實(shí)生活中,能用到MOS管的地方太多了。MOS管也有NMOS和PMOS之分,特點(diǎn)和應(yīng)用有些許差異。N溝道MOSFET具有許多優(yōu)點(diǎn),如電流驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)...
MOS管的最常見(jiàn)應(yīng)用—開(kāi)關(guān)
如下圖所示:當(dāng)PQ27控制腳G為低電平時(shí),PQ27截止,此時(shí)PQ26的控制腳G為高電平,PQ26導(dǎo)通。
3.6A刷式直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器-GC8871介紹
GC8871 是一款帶內(nèi)部電流感測(cè)功能的刷式直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片, 適用于打印機(jī)、電器、工業(yè)設(shè)備以及其他小型機(jī)器。
2023-08-31 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器直流電機(jī)電源供電 991 0
合科泰雙NMOS管AO4852的應(yīng)用場(chǎng)景
智能家電逐漸成為很多家庭必備產(chǎn)品,很多產(chǎn)品除了具有高度智慧思考能力、物聯(lián)網(wǎng)連接能力外,產(chǎn)品還具有安全、可靠且穩(wěn)定等特點(diǎn),而好的智能家電產(chǎn)品通常需要幾顆M...
MOS管通常在電子電路中作為電子開(kāi)關(guān),通過(guò)控制柵極電壓來(lái)開(kāi)啟或關(guān)閉電流的流動(dòng),它具有開(kāi)關(guān)速度快噪聲低、功耗小等優(yōu)點(diǎn)。本文給大家推薦一款在國(guó)內(nèi)生產(chǎn)的N溝道...
IC設(shè)計(jì)中的功耗挑戰(zhàn)和低功耗設(shè)計(jì)
在早期的IC設(shè)計(jì)中,關(guān)注的參數(shù)主要是性能(timing)和面積(area)。EDA工具在滿足性能要求的情況下,最小化面積。
2023-06-29 標(biāo)簽:CMOSIC設(shè)計(jì)EDA工具 900 0
最先進(jìn)的計(jì)算機(jī)處理器制造商正在經(jīng)歷十年來(lái)器件架構(gòu)的第一次重大變革,即從鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)轉(zhuǎn)變到納米片(nanosheet)。
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