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標(biāo)簽 > nmos管
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如上圖MOS管符號(hào),要注意如果剛學(xué)完三極再來看這個(gè)會(huì)覺得很別扭,記不住,下面與NMOS原理做介紹,PMOS就剛好是相反的。
什么是三態(tài)電路?在FPGA上如何使用三態(tài)電路作為IO呢?
一般來說,我們認(rèn)為CMOS數(shù)字電路的輸出的穩(wěn)定狀態(tài)只有2種,就是邏輯0和邏輯1,從模擬信號(hào)量來說,就是0V和VDD。
你要是想讀懂這篇文章,請(qǐng)先去了解MOS管的基礎(chǔ)知識(shí),本文是在基礎(chǔ)之上做出的一部分?jǐn)U展,可能有一點(diǎn)點(diǎn)深,請(qǐng)各位同學(xué)注意。
2023-11-15 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)MOS管源極 5319 0
在電子電路設(shè)計(jì)中,防反接保護(hù)是一個(gè)重要的考慮因素,它的目的是防止因電源接線錯(cuò)誤而損壞電路。使用MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管)來實(shí)現(xiàn)這一功能是一個(gè)常見...
對(duì)于物理驗(yàn)證中的LVS,需要對(duì)各種物理器件進(jìn)行SpiceVsGDS的比對(duì),基于現(xiàn)在流行的std-cell的庫的設(shè)計(jì)方法,LVS需要對(duì)CMOS器件多相應(yīng)的處理
nMOS晶體管導(dǎo)通是通過溝道里面的電子產(chǎn)生電流的,一般NMOS的源極接襯底,共同接到地,漏極到源極加上正電壓,電子從源極向漏極流動(dòng),我們?nèi)‰娏鞯姆较蚝碗?..
淺談ESD防護(hù)設(shè)計(jì)—NMOS的妙用(二)
而眾多改變反偏結(jié)擊穿電壓的方法無論是改變摻雜濃度還是改變拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),其本質(zhì)都是通過改變反偏結(jié)空間電荷區(qū)的電場分布來改變Trigger Voltage。
原理介紹、選型,我就不多說了,參考上一編我發(fā)的文章,本實(shí)例重點(diǎn)看一下防反接電路,我通過軟件進(jìn)行模擬,加入電壓表,電流進(jìn)行測試,直觀的顯示結(jié)果,也不用...
首先我們介紹增強(qiáng)型MOS管,也是以NMOS管為例。 為什么要叫增強(qiáng)型,我們下面都會(huì)介紹到。
2023-02-22 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管MOS 4336 0
這個(gè)電路也叫開漏輸出電路,我們經(jīng)常在MCU中看到有的引腳是開漏輸出,即只能輸出低電平,因?yàn)槁O沒有接電壓。
2023-11-13 標(biāo)簽:三極管mcu應(yīng)用電路 4218 0
控制器的高低邊驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
由于工藝和成本的問題,一般由N溝道增強(qiáng)型MOS晶體管作低邊驅(qū)動(dòng),其具體結(jié)構(gòu)如下圖所示。
2023-11-14 標(biāo)簽:控制器晶體管驅(qū)動(dòng)電路 3983 1
我們給大家介紹了EKV模型的基本概念以及在大信號(hào)和小信號(hào)分析中的應(yīng)用。尤其在大信號(hào)分析中,EKV圖形化的方法簡單直觀,有著得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)。
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