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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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TPS57040-Q1 具有 Eco 模式?的汽車級(jí) 3.5V 至 42V、500mA 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS57040-Q1 器件是一款具有集成高側(cè)的 42V 0.5A 降壓穩(wěn)壓器 MOSFET 的電流模式控制提供簡(jiǎn)單的外部補(bǔ)償和靈活的組件 選擇。低紋波...
2025-07-10 標(biāo)簽:MOSFET輸出電壓降壓穩(wěn)壓器 254 0
TPS57140-Q1 具有 Eco 模式?的汽車級(jí) 3.5V 至 42V、1.5A 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS57140-Q1 器件是一款具有集成高側(cè) MOSFET 的 42V、1.5A 降壓穩(wěn)壓器。電流模式控制提供簡(jiǎn)單的外部補(bǔ)償和靈活的元件選擇。低紋波脈...
2025-07-10 標(biāo)簽:MOSFET降壓穩(wěn)壓器低電平 229 0
TPS57160-Q1 具有 Eco 模式?的汽車級(jí) 3.5V 至 60V、1.5A 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS57160-Q1 器件是一款具有集成高側(cè)的 60V 1.5A 降壓穩(wěn)壓器 MOSFET 的電流模式控制提供簡(jiǎn)單的外部補(bǔ)償和靈活的元件 選擇。低紋波...
2025-07-10 標(biāo)簽:MOSFET輸出電壓降壓穩(wěn)壓器 201 0
TPS54260-Q1 具有 Eco 模式?的汽車級(jí) 3.5V 至 60V、2.5A 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS54260-Q1 器件是一款具有集成高側(cè)的 60V、2.5A 降壓穩(wěn)壓器 MOSFET 的電流模式控制提供簡(jiǎn)單的外部補(bǔ)償和靈活的組件 選擇。低紋波...
2025-07-10 標(biāo)簽:MOSFET降壓穩(wěn)壓器引腳 204 0
TPS53315 具有優(yōu)化輕負(fù)載效率的 3V 至 15V、12A 同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS53315 是一款 D-CAP 集成電路、12 A 同步開關(guān),帶有集成 MOSFET。該器件專為易用性、低外部元件數(shù)量和小型封裝電源系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。 ...
LM22678-Q1 5A SIMPLE 開關(guān)器、具有精準(zhǔn)使能功能的降壓穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM22678 開關(guān)穩(wěn)壓器提供使用最少的外部元件實(shí)現(xiàn)高效高壓降壓穩(wěn)壓器所需的所有功能。這款易于使用的穩(wěn)壓器包含一個(gè) 42V N 溝道 MOSFET 開關(guān)...
LM22676-Q1 3A 簡(jiǎn)單開關(guān)器、具有精準(zhǔn)使能功能的降壓穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM22676 開關(guān)穩(wěn)壓器提供實(shí)現(xiàn) 高效的高壓降壓 (Buck) 穩(wěn)壓器,使用最少的外部元件。這很簡(jiǎn)單 使用穩(wěn)壓器包含一個(gè) 42 V N 溝道 MOSF...
LM22680-Q1 具有精準(zhǔn)使能功能的 2A SIMPLE SWITCHER?、降壓穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM22680 開關(guān)穩(wěn)壓器提供實(shí)現(xiàn) 高效的高電平降壓 (Buck) 穩(wěn)壓器,使用最少的外部元件。這很簡(jiǎn)單 使用穩(wěn)壓器包含一個(gè) 42V N 溝道 MOSF...
2025-07-09 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)穩(wěn)壓器輸出電壓 257 0
TPS53355 具有節(jié)能模式的高效 1.5V 至 15V、30A 同步 SWIFT? 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS53355 是一款 D-CAP? 模式、30 A 同步開關(guān),帶有集成 MOSFET。它專為易用性、低外部組件數(shù)量和節(jié)省空間的電源系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。 ...
2025-07-09 標(biāo)簽:MOSFET軟啟動(dòng)降壓轉(zhuǎn)換器 255 0
LM34923 80V、600 mA 恒定導(dǎo)通時(shí)間降壓開關(guān)穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM34923 降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器具有實(shí)現(xiàn)低成本、高效降壓偏置穩(wěn)壓器所需的所有功能。該高壓穩(wěn)壓器包含一個(gè) 80V N 溝道 MOSFET 開關(guān)和一個(gè)啟動(dòng)穩(wěn)...
2025-07-09 標(biāo)簽:MOSFET檢測(cè)器開關(guān)穩(wěn)壓器 234 0
TPS56121 4.5V 至 14V、15A 同步 SWIFT? 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS56121 器件是一款高效率和大電流同步降壓轉(zhuǎn)換器 設(shè)計(jì)為在 4.5 V 至 14 V 的電源下工作。該器件可以產(chǎn)生低的輸出電壓 在高達(dá) 15 A...
TPS56221 4.5V 至 14V、25A 同步 SWIFT? 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS56221 器件是一款高效率和大電流同步降壓轉(zhuǎn)換器 設(shè)計(jì)為在 4.5 V 至 14 V 的電源下工作。該器件可以產(chǎn)生 在高達(dá) 25 A 的負(fù)載下低...
TPS54622 具有打嗝電流限制的 4.5V 至 17V、6A 同步 SWIFT? 降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS54622器件采用熱增強(qiáng)型 3.5mm × 3.5mm VQFN 封裝,是一款功能齊全的 17V、6A 同步降壓轉(zhuǎn)換器,通過高效率針對(duì)小型設(shè)計(jì)進(jìn)行...
LM5006系列 6-75V 寬輸入電壓、600mA 恒定導(dǎo)通時(shí)間非同步降壓穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5006 降壓開關(guān)穩(wěn)壓器具有滿足以下要求所需的所有功能 實(shí)現(xiàn)低成本、高效的 Buck 偏置穩(wěn)壓器。該高壓穩(wěn)壓器包含一個(gè) 80V N 溝道 MOSFE...
2025-07-09 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器開關(guān)穩(wěn)壓器 209 0
浮思特 | SiC MOSFET 封裝散熱優(yōu)化與開爾文源極結(jié)構(gòu)
本文探討了近期在碳化硅(SiC)MOSFET器件封裝與設(shè)計(jì)方面的進(jìn)展,重點(diǎn)關(guān)注頂部冷卻封裝方案及其在提升熱性能、降低開關(guān)損耗方面的作用,以及開爾文源極連...
淺談辰達(dá)MOSFET在USB PD快充電源中的應(yīng)用挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)
在USBPD快充電源設(shè)計(jì)中,MOSFET作為功率控制與轉(zhuǎn)換的核心器件,發(fā)揮著關(guān)鍵作用。隨著充電功率向65W、100W甚至更高邁進(jìn),對(duì)MOSFET的性能提...
TPS54062 具有低 IQ 的 4.7V 至 60V 輸入、50mA 同步整流轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS54062 器件是一款 60V、50mA 同步降壓轉(zhuǎn)換器,集成了 高壓側(cè)和低壓側(cè) MOSFET。電流模式控制提供簡(jiǎn)單的外部補(bǔ)償和 靈活的組件選擇。...
2025-07-07 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源輸出電壓 303 0
TPS53314 4.5V 至 25V、6A 同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS53314 是一款 D-CAP? 模式的 6-A 同步開關(guān),具有 集成 MOSFET。它的設(shè)計(jì)易于使用,外部低 組件數(shù)量和小型封裝電源系統(tǒng)。 ...
LM21305 3-18V、5A、電流模式同步降壓穩(wěn)壓器,頻率可調(diào)數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM21305 是一款功能齊全的 5A 同步降壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,針對(duì) 方案尺寸、靈活性和高轉(zhuǎn)換效率。高功率密度 LM21305 設(shè)計(jì) 通過高側(cè)和低...
MOSFET與IGBT的選擇對(duì)比:中低壓功率系統(tǒng)的權(quán)衡
在功率電子系統(tǒng)中,MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn),適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。作為FAE,幫助客戶理解這...
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