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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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TPS22954 具有可調(diào)上升時(shí)間、電壓監(jiān)控和輸出放電的 5.7V、5A、14mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22953/54 是具有受控導(dǎo)通功能的小型單通道負(fù)載開關(guān)。這 器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET,可在 0.7 V 至 5.7 V 的輸入電壓范...
2025-05-24 標(biāo)簽:電流MOSFET負(fù)載開關(guān) 236 0
TPS22953 具有可調(diào)上升時(shí)間的 5.7V、5A、14mΩ 負(fù)載開關(guān),電壓監(jiān)控?cái)?shù)據(jù)手冊
TPS22953/54 是具有受控導(dǎo)通功能的小型單通道負(fù)載開關(guān)。這 器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET,可在 0.7 V 至 5.7 V 的輸入電壓范...
2025-05-24 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開關(guān)輸入電壓 208 0
LM74610-Q1 0.48V 至 42V、零 IQ 汽車?yán)硐攵O管控制器數(shù)據(jù)手冊
LM74610-Q1 是一款控制器器件,可與 N 溝道 MOSFET 配合使用。 反極性保護(hù)電路。它旨在驅(qū)動外部 MOSFET 以模擬 與電源串聯(lián)時(shí)的理...
LM74670-Q1 具有 70uA 柵極驅(qū)動的 0.48V 至 42V、零 IQ 汽車類理想二極管整流器控制器數(shù)據(jù)手冊
LM74670-Q1 是一款控制器器件,可與交流發(fā)電機(jī)全橋或半橋整流器架構(gòu)中的 N 溝道 MOSFET 一起使用。它旨在驅(qū)動外部 MOSFET 以模擬理...
TPS22925 具有輸出放電的 3.6V、3A、9.2mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22925 產(chǎn)品系列由四個(gè)器件組成:TPS22925B、TPS22925BN、TPS22925C、 和 TPS22925CN。每個(gè)器件都是一個(gè)具有...
TPS22918 具有可調(diào)上升時(shí)間和可調(diào)輸出放電的 5.5V、2A、52mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22918 是一款單通道負(fù)載開關(guān),具有可配置的上升時(shí)間和可配置的快速輸出放電。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET,可在 1 V 至 5.5 V...
2025-05-10 標(biāo)簽:MOSFET封裝負(fù)載開關(guān) 428 0
TPS22975 具有可調(diào)上升時(shí)間、可選輸出放電和熱關(guān)斷功能的 5.7V、6A、16mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22975 產(chǎn)品系列由兩個(gè)器件組成:TPS22975 和 TPS22975N。每個(gè)器件都是一個(gè)單通道負(fù)載開關(guān),可提供可配置的上升時(shí)間,以最大限度地...
2025-05-10 標(biāo)簽:MOSFET電阻器負(fù)載開關(guān) 302 0
TPS22990 5.5V、10A、3.9mΩ 負(fù)載開關(guān),具有可調(diào)上升時(shí)間、電源正常和可選輸出放電數(shù)據(jù)手冊
TPS22990 產(chǎn)品系列由兩個(gè)器件組成:TPS22990 和 TPS22990N。每個(gè)器件都是一個(gè) 3.9mΩ 單通道負(fù)載開關(guān),具有受控和可調(diào)導(dǎo)通功能...
TPS22918-Q1 1 通道、5.5V、2A、52mΩ 汽車負(fù)載開關(guān),具有可調(diào)上升時(shí)間和可調(diào)輸出放電功能數(shù)據(jù)手冊
TPS22918-Q1 是一款單通道負(fù)載開關(guān),具有可配置的上升時(shí)間和可配置的快速輸出放電功能。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET,可在 1 V 至 ...
2025-05-10 標(biāo)簽:MOSFET封裝負(fù)載開關(guān) 318 0
TPS22976 2 通道、5.7V、6A、14mΩ 負(fù)載開關(guān),具有可調(diào)上升時(shí)間和可選輸出放電數(shù)據(jù)手冊
TPS22976 產(chǎn)品系列由三個(gè)器件組成:TPS22976、TPS22976A 和 TPS22976N。每個(gè)器件都是一個(gè)具有受控導(dǎo)通功能的雙通道負(fù)載開關(guān)...
TPS22810 具有可調(diào)上升時(shí)間和可調(diào)輸出放電的 18V、3A、79mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22810 是一款單通道負(fù)載開關(guān),具有可配置的上升時(shí)間,并集成了快速輸出放電 (QOD)。此外,該器件還具有熱關(guān)斷功能,以保護(hù)器件免受高結(jié)溫的影響...
2025-05-10 標(biāo)簽:MOSFET封裝負(fù)載開關(guān) 313 0
TPS22971 具有可調(diào)上升時(shí)間、電源正常和輸出放電的 3.6V、3A、6.7mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22971 是一款節(jié)省空間的單通道負(fù)載開關(guān),具有受控和可調(diào)的導(dǎo)通轉(zhuǎn)換速率以及集成的電源良好指示器。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET,可在 0...
TPS22970 具有輸出放電的 3.6V、4A、4.7mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22970 是一款節(jié)省空間的小型負(fù)載開關(guān),具有受控導(dǎo)通功能,可減少浪涌電流。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET,可在 0.65 V 至 3.6...
2025-05-10 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開關(guān)電荷泵 271 0
TPS22916 具有輸出放電的 5.5V、2A、60mΩ、10nA 漏電流負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22916xx 是一款小型單通道負(fù)載開關(guān),使用低泄漏 P 溝道 MOSFET,可實(shí)現(xiàn)最小的功率損耗。先進(jìn)的柵極控制設(shè)計(jì)支持低至 1 V 的工作電壓...
2025-05-10 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān) 277 0
TPS22917 5.5V、2A、80mΩ、10nA 漏負(fù)載開關(guān)可調(diào)上升時(shí)間和可調(diào)輸出放電數(shù)據(jù)手冊
TPS22917x 器件是一款小型單通道負(fù)載開關(guān),使用低泄漏 P 溝道 MOSFET,可實(shí)現(xiàn)最小的功率損耗。先進(jìn)的柵極控制設(shè)計(jì)支持低至 1 V 的工作電...
TPS22810-Q1 汽車類 1 通道、18V、2A、79mΩ 負(fù)載開關(guān),具有可調(diào)上升時(shí)間和可調(diào)輸出放電數(shù)據(jù)手冊
TPS22810-Q1 是一款單通道負(fù)載開關(guān),具有可配置的上升時(shí)間和集成的快速輸出放電 (QOD)。該器件具有熱關(guān)斷功能,可保護(hù)器件免受高結(jié)溫的影響,從...
2025-05-09 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān) 274 0
TPS7H2201-SP 抗輻射、QMLV 和 QMLP 1.5V 至 7V 輸入 6A 電子保險(xiǎn)絲數(shù)據(jù)手冊
TPS7H2201 是一款單通道 eFuse,可提供可配置的上升時(shí)間,以最大限度地減少浪涌電流和反向電流保護(hù)。該器件包含一個(gè) P 溝道 MOSFET,可...
LM74700-Q1 3.2V 至 65V、80uA IQ 汽車?yán)硐攵O管控制器數(shù)據(jù)手冊
LM74700-Q1 是一款符合 AEC Q100 標(biāo)準(zhǔn)的汽車級理想二極管控制器,它與外部 N 溝道 MOSFET 配合使用,作為理想二極管整流器,提供...
TPS22919 具有可調(diào)輸出放電的 5.5V、1.5A、90mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22919 器件是一款小型單通道負(fù)載開關(guān),具有受控的轉(zhuǎn)換速率。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET,可在 1.6 V 至 5.5 V 的輸入電壓...
2025-05-09 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開關(guān)短路 346 0
LM66100 具有集成 FET 的 1.5V 至 5.5V、1.5A、0.5μA IQ 理想二極管數(shù)據(jù)手冊
LM66100 是一款單輸入、單輸出 (SISO) 集成理想二極管,非常適合各種應(yīng)用。該器件包含一個(gè) P 溝道 MOSFET,可在 1.5 V 至 5....
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