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簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

詳解MOS管發(fā)熱的可能性原因

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2013-02-04 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 3.3萬 4

什么是功率半導(dǎo)體？IGBT 的下一步是什么？

BC-IGBT 由結(jié)構(gòu)頂部和底部的柵極組成。東京大學(xué)的研究員 Takuya Saraya 在論文中說：“IGBT 的一個主要缺點是其開關(guān)頻率相對較低，因...

2022-06-15 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 功率半導(dǎo)體 3.3萬 0

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一文徹底掌握MOS管

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如何消除靜電釋放(ESD)對電子設(shè)備的干擾和破壞？

在PCB板的設(shè)計當(dāng)中,可以通過分層、恰當(dāng)?shù)牟季植季€和安裝實現(xiàn)PCB的抗ESD設(shè)計。在設(shè)計過程中,通過預(yù)測可以將絕大多數(shù)設(shè)計修改僅限于增減元器件。通過調(diào)整...

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BUCK電路的組成及工作原理

　　? 如圖1所示、異步BUCK電路主要有MOSFET場效應(yīng)管(Q1)、功率二極管(D1)、電感(L1)、輸入電容(C1)、輸出電容(C2)、負(fù)載(R1...

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增強型和耗盡型MOS場效應(yīng)管的詳細(xì)資料和計算方式說明

根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：當(dāng)VGS=0時管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增...

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詳細(xì)解析五種PFC的開關(guān)管驅(qū)動方案

什么是PFC？ PFC（Power Factor Correction）-功率因數(shù)校正，功率因數(shù)，簡單的說就是有功功率和視在功率的比值，這里的視在功率被...

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MOSFET柵極應(yīng)用電路作用與驅(qū)動電路解析

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一文詳解三極管和MOS管

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“立碑”現(xiàn)象常發(fā)生在CHIP元件（如貼片電容和貼片電阻）的回流焊接過程中，元件體積越小越容易發(fā)生。特別是1005或更小釣0603貼片元件生產(chǎn)中，很難消除...

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2022-04-11 標(biāo)簽：MOSFET MOS管驅(qū)動電路 2.7萬 0

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小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面結(jié)構(gòu)，漏極引出方向是從硅片的上面也就是與源極等同一方向，沒有這個二極管。

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SiC MOSFET與傳統(tǒng)硅MOSFET在短路特性上有所差異，以英飛凌CoolSiC? 系列為例，全系列SiC MOSFET具有大約3秒的短路耐受能力。...

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選擇IGBT還是MOSFET 讀了就知道了！

IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯了.不過相對于MOSFET的工作頻...

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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進行靜電中和等。
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