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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MAX17761同步降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器的功能特點與應(yīng)用
本視頻簡要介紹MAX17761,器件為4.5V–76V、1A、高效、同步降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器,帶有內(nèi)部補償,支持高效率和低溫升。
2018-10-11 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器mosfetmaxim 6133 0
MAX17633同步降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器的功能特點介紹
This video provides an introduction to the MAX17633 family of parts (MAX1763...
2018-10-11 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器mosfetmaxim 4342 0
深入了解它的關(guān)鍵特性及指標(biāo)才能做出正確選擇
MOSFET是電子系統(tǒng)中的重要部件,需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標(biāo)才能做出正確選擇。這些關(guān)鍵指標(biāo)中,以靜態(tài)特性和動態(tài)特性更為重要,本文主要討論動態(tài)特性。...
根據(jù)MOSFET傳輸特性,新的MOSFET (IRF和INFINEON)的熱穩(wěn)定性不如NXP MOSFET,因為NXP的熱穩(wěn)定性(曲線相交)在37,5A...
2018-09-25 標(biāo)簽:MOSFET 3214 0
MOSFET場效應(yīng)管工頻100W逆變電源,100W power inverter
本裝置電路簡單,易于調(diào)試,性能可靠,逆變和充電自動轉(zhuǎn)換,帶電瓶電量指示。由于使用了大功率VMOS管,故效率高而成本又較低,適合電子愛好者組裝。
2019-02-09 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管 3713 0
米勒效應(yīng)在MOS驅(qū)動中臭名昭著,他是由MOS管的米勒電容引發(fā)的米勒效應(yīng),在MOS管開通過程中,GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩(wěn)定值,過后GS電...
在有刷電機中,磁極方向的跳轉(zhuǎn)是通過移動固定位置的接觸點來完成的,該接觸點在電機轉(zhuǎn)子上與電觸點相對連接。這種固定觸點通常由石墨制成,與銅或其他金屬相比,在...
SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導(dǎo)率是Si的3倍,所以被認為是...
從發(fā)射極注入的hole電流,將分成1和2兩個部分。由于base為n摻雜,所以當(dāng)hole電流流經(jīng)base的時候,將會有電子空穴對的復(fù)合產(chǎn)生,消耗空穴電流,...
基于SiC的MOSFET器件在電源與電機驅(qū)動電路設(shè)計中的特點分析
商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史,自問世以來,MOSFET和IGBT一直是開關(guān)電源的主要功率處理控制組件,被廣泛用于電源、電機驅(qū)動等電路設(shè)計。
在汽車環(huán)境中,它們必須能夠以可接受的可靠性水平耗散能量。因此,有了非常好的可靠性級別,就有必要定義這種強大的功能(多虧了SOA)。
VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。關(guān)于計算,柵電壓(V)GATE_max) 總是小于VGSth 在所有mosfet中,那么模塊將總是能夠在...
MOSFET的結(jié)構(gòu)和重點參數(shù)介紹及應(yīng)用前景如何?
最近,國內(nèi)對MOSFET的需求大漲,導(dǎo)致業(yè)內(nèi)缺貨,很多廠商有錢買不到貨,這是MOSFET廠商最愿意看到的。MOSFET需求增長源于物聯(lián)網(wǎng)、3C產(chǎn)品、云端...
2018-09-15 標(biāo)簽:CMOSMOSFET物聯(lián)網(wǎng) 5476 0
東芝推出新一代超結(jié)功率MOSFET,進一步提高電源效率
東芝宣布推出新一代超結(jié)功率MOSFET,新器件進一步提高電源效率。在這個連小學(xué)生做作業(yè)都講求高效率的年代,還有什么是高效率不能解決的呢?
淺析IGBT以及MOSFET器件的隔離驅(qū)動技術(shù)
由于不間斷電源的興起,IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點是具有電流拖尾效應(yīng),因此在關(guān)斷的瞬間對于抗干擾的性能要求非常嚴(yán)格,需要負壓驅(qū)動進行輔助。
三菱電機開發(fā)了首款6.5kV全SiC(Silicon Carbide)功率模塊
6.5kV新型全SiC MOSFET功率模塊內(nèi)部采用半橋拓撲,一般的大功率應(yīng)用可以采用并聯(lián)連接來提高輸出功率。高電壓功率模塊在高頻下運行,需要考慮模塊自...
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