輸入/輸出阻抗的計(jì)算方法

輸出阻抗計(jì)算原理：將輸入Vin短路接地GND，將獨(dú)立電源置零后，Vout端負(fù)載去掉，換成電壓為Vx的電壓源，計(jì)算Vx/Ix即為輸入阻抗。Ix為該電壓源V...

2023-12-07 標(biāo)簽：電壓源MOSGND 1.3萬 0

FinFET工藝之self-heating概念介紹

當(dāng)做到FinFET工藝時(shí)才了解到這個(gè)名詞，在平面工藝時(shí)都沒有接觸SHE（self-heating effect）這個(gè)概念。為什么到FinFET下開始需要...

2023-12-07 標(biāo)簽：MOSSOIFinFET 3570 0

MOS結(jié)電容（下）MOS的結(jié)電容應(yīng)用特性分解

我們需要先將結(jié)電容與關(guān)斷波形聯(lián)系起來。三個(gè)結(jié)電容的容值是Vds電壓的函數(shù)，同時(shí)，電壓Vds的變化（dv/dt）又與結(jié)電容相關(guān)。

2023-12-05 標(biāo)簽：二極管MOS續(xù)流二極管 6788 0

MDD | MOS管和三極管的電源開關(guān)電路，NPN 與 PMOS 管組合并非唯一CP

PNP與NMOS管可以組合么？ 那今天我們就來講解下關(guān)于MOS管和三極管之間的一些組合優(yōu)勢(shì)。 在電子電路中，電源開關(guān)電路是一種常見的電路配置，用于控制電...

2023-12-05 標(biāo)簽：電源三極管開關(guān)電路 2150 0

MOS管防反接電路

一、使用MOS管防反接的理由電池供電產(chǎn)品中,防止電池反接是必需考慮的，最簡(jiǎn)單、最低成本的方案：在電源輸入中串一個(gè)二極管。但是，二極管有0.7V左右的壓降...

2023-12-03 標(biāo)簽：MOS電池防反接電路 4331 0

一文詳解二極管在ESD防護(hù)中的應(yīng)用

Lg越大，P-WeLL的長(zhǎng)度越大，P-WeLL的阱電阻越大，面對(duì)ESD的過沖電壓越高，開啟電阻Ron也隨之增大。同時(shí)載流子的穿透深度越大，其壽命越長(zhǎng)，從...

2023-12-04 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻二極管ESD 3605 0

國(guó)產(chǎn)化顯示器接口芯片：Type-C接口臺(tái)式顯示器方案

LDR6020P 是帶有 3 組 6 路 DRP USB-C通道（不需要另外像其他家方案需通過外圍去切換CC通道） 及 PD 通信協(xié)議處理模塊和 USB...

2023-12-02 標(biāo)簽：顯示器通信協(xié)議顯示屏 1333 0

IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲(chǔ)初始值

在穩(wěn)態(tài)部分的分析中，我們?cè)敿?xì)地推演了電子電流、空穴電流、總電流以及各電壓構(gòu)成部分與多余載流子濃度分布之間的關(guān)系，即一維空間的物理關(guān)系。

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBTMOSBJT 983 0

IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析（3）

在《IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型》中，我們將IGBT內(nèi)部PIN結(jié)切分成了PIN1和PIN2（見上一節(jié)插圖）， 因?yàn)镻IN1與溝槽所構(gòu)成的MOS串聯(lián)

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBTMOSPN結(jié) 1271 0

IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析（2）

上一章我們對(duì)IGBT穩(wěn)態(tài)的分析中，在IGBT的大注入條件下，電子和空穴的運(yùn)動(dòng)相互影響，這個(gè)影響關(guān)系需要用雙極性擴(kuò)散系數(shù)來描述。

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBTMOSBJT 1141 0

IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型（2）

上一章講到了IGBT的飽和電流，與MOS的飽和電流之間存在圖片的倍數(shù)關(guān)系，這使得IGBT飽和電流比MOS大很多。

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBTMOSBJT 1190 0

IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型（1）

在前面關(guān)于PIN&MOS模型分析中，特別強(qiáng)調(diào)了這個(gè)模型所存在的一個(gè)短板，即所有電流都通過MOS溝道，實(shí)際上只有電子電流通過MOS溝道，而空穴電流...

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBT晶體管MOS 2085 0

IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型（3）

這里需要注意的是，載流子電流為零并不意味著載流子濃度為零，反之亦然。對(duì)于PIN1結(jié)構(gòu)，因?yàn)殛枠O和陰極的多子濃度遠(yuǎn)大于少子濃度，所以可以忽略少子電流；

2023-12-01 標(biāo)簽：IGBTMOSPN結(jié) 1223 0

IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型（2）

上一節(jié)的分析中，僅考慮了PIN1，而未考慮PIN2。PIN1與MOS結(jié)構(gòu)相連接，而PIN2則與基區(qū)相連接。

2023-11-30 標(biāo)簽：IGBTMOS載流子 1462 0

IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型（1）

分析IGBT，一般可以采用兩種模型，一種是簡(jiǎn)化的“PIN+MOS”模型，一種是更切合實(shí)際的“PNP+MOS”模型，前者邏輯分析簡(jiǎn)單

2023-11-30 標(biāo)簽：二極管IGBTMOS 3030 0

四種半導(dǎo)體器件基本結(jié)構(gòu)

按施敏教授的觀點(diǎn)，半導(dǎo)體器件有四個(gè)最基本的結(jié)構(gòu)單元：金半接觸、PN結(jié)、異質(zhì)結(jié)、MOS結(jié)構(gòu)。所有的半導(dǎo)體器件都可以看作是這四種基本結(jié)構(gòu)的組合，比如BJT由...

2023-11-30 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體MOS 4607 0

MOSFET結(jié)構(gòu)解析(2)

MOS結(jié)構(gòu)加上一對(duì)背靠背的PN結(jié)，就構(gòu)成一個(gè)MOSFET。如果MOS結(jié)構(gòu)在零柵壓時(shí)半導(dǎo)體表面不是反型的，此時(shí)由于PN結(jié)的反向截止效果，源漏之間不會(huì)導(dǎo)通。...

2023-11-30 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體晶體管 2347 0

MOSFET結(jié)構(gòu)解析(1)

金屬-絕緣體（氧化層）-半導(dǎo)體構(gòu)成MOS結(jié)構(gòu)，金屬作為柵極，當(dāng)柵極零偏時(shí)，理想情況下半導(dǎo)體能帶是平的，意味著半導(dǎo)體內(nèi)沒有凈電荷存在。

2023-11-30 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體MOS 6253 0

基于XL7005A的系統(tǒng)帶載啟動(dòng)異常剖析（2）

　BOOST 調(diào)整器帶載上電時(shí)，前級(jí)電源正常開啟，使用熱插拔上電，可以正常啟動(dòng)，但控制電源 ON/OFF 來上電，卻無法正常工作。

2023-11-30 標(biāo)簽：BoostMOS調(diào)整器 2955 0