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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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下面是N型MOS管的一個簡單的引用電路，當(dāng)G端通入高電平，MOS管D、S間導(dǎo)通，此時MOS管導(dǎo)通，電機(jī)的電流得以通過，電機(jī)轉(zhuǎn)動。當(dāng)G端為低電平的時候，D...
【正文】 在電力電子中，最基本的BOOST電路圖如下： 圖1 BOOST電路圖 【注】圖中器件數(shù)據(jù)不準(zhǔn)確，僅參考該電路拓?fù)?加入二極管的目的是為了防止形...
相對于耗盡型，增強型是通過“加厚”導(dǎo)電溝道的厚度來導(dǎo)通，如圖。柵極電壓越低，則p型源、漏極的正離子就越靠近中間，n襯底的負(fù)離子就越遠(yuǎn)離柵極，柵極電壓達(dá)到...
JFET的輸入電阻大于100MΩ，并且跨導(dǎo)很高，當(dāng)柵極開路時空間電磁場很容易在柵極上感應(yīng)出電壓信號，使管子趨于截止，或趨于導(dǎo)通。
1.單片機(jī)的IO口，有一定的帶負(fù)載能力。但電流很小，驅(qū)動能力有限，一般在10-20mA以內(nèi)。所以一般不采用單片機(jī)直接驅(qū)動負(fù)載這種方式。
晶體管和mos管的區(qū)別是什么？ 晶體管（transistor）和MOS管（metal-oxide-semiconductor field-effect ...
mos管工作原理 mos管有什么用途和功能 MOS（Metal Oxide Semiconductor）管是一種基于場效應(yīng)晶體管技術(shù)的電子器件，具有廣泛...
今天有個小伙伴留言說不明白 CCM 和 DCM 之間的區(qū)別，要如何區(qū)分這兩種模式，我之前在網(wǎng)絡(luò)上有看到一份關(guān)于 CCM 和 DCM 這兩者之間的判別及分...
在鋰電池保護(hù)板行業(yè)里，談?wù)撟疃嗟木褪荌C和MOS管了，有一些鋰電池工廠的老板都不了解，為什么同樣的串?dāng)?shù)，同樣的伏數(shù)和安數(shù)，為什么價格差別那么大呢？特別是...
不懂硬件的人，會覺得硬件高深莫測，“為什么他改幾個電阻、電容就調(diào)出來，我弄個半天沒搞定?”，“噢，靠的是經(jīng)驗”，但是經(jīng)驗又是什么呢?不能形容，反正就是不明覺厲。
mos管的箭頭表示什么？mos管電流方向與箭頭 MOS管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transist...
2023-09-07 標(biāo)簽：MOS管半導(dǎo)體器件 7995 0
igbt逆變電路工作原理? IGBT逆變電路是一種用于變換直流信號轉(zhuǎn)換為交流信號的電路。它們常用于電力電子設(shè)備中，例如交流驅(qū)動電機(jī)，太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)以...
如果驅(qū)動高壓MOS管，我們需要采用變壓器驅(qū)動的方式和集成的高邊開關(guān)。這兩個搞定方案都有自己的優(yōu)點和缺點，適合不一樣的使用。集成高邊驅(qū)動器方案很方便，優(yōu)點...
宋仕強關(guān)于薩科微半導(dǎo)體發(fā)展歷程答記者
宋仕強關(guān)于薩科微半導(dǎo)體發(fā)展歷程答記者 受訪對象：薩科微半導(dǎo)體創(chuàng)始人宋仕強先生 采訪主題：薩科微半導(dǎo)體的成長史的幾個問題 近年來，在半導(dǎo)體“國產(chǎn)替代”和解...
這個主要是Drain加反偏電壓后，使得Drain/Bulk的PN結(jié)耗盡區(qū)延展，當(dāng)耗盡區(qū)碰到Source的時候，那源漏之間就不需要開啟就形成了 通路，所以...
2021-05-28 標(biāo)簽：MOSFET場效應(yīng)管MOS管 7690 0
那如果我們想要用Arduino或者單片機(jī)去控制這個燈泡的話，就需要使用MOS管來替換掉這個開關(guān)了。為了更加符合我們工程的實際使用習(xí)慣呢，我們需要把這張圖...
直流穩(wěn)壓電源是能為負(fù)壓提供穩(wěn)定直流電源的電子裝置。交流電作為它的供電電源，當(dāng)供電電源的電壓產(chǎn)生變化時，穩(wěn)壓器都會保持穩(wěn)定的輸出電壓。當(dāng)直流穩(wěn)壓電源隨著電...
第一步：將電路板置于溫箱中，類似于下圖設(shè)備。主要是為了保證靜態(tài)無風(fēng)狀態(tài)。加熱后，使其內(nèi)部達(dá)到熱平衡。即Tj=Tc。這個溫度（T1）不能過低，因為溫度過低...
MOS管的輸入阻抗很大，容易受到外界信號的干擾，只要少量的靜電，就能使G-S極間等效電容兩端產(chǎn)生很高的電壓，如果不及時把靜電釋放掉，兩端的高壓容易使MO...
mos管源極和漏極的區(qū)別? MOSFET，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，是一種晶體管，其目的是通過改變其柵極和源極端子之間的電勢差來控制電子電路內(nèi)的電流...
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