今天有個(gè)小伙伴留言說不明白 CCM 和 DCM 之間的區(qū)別，要如何區(qū)分這兩種模式，我之前在網(wǎng)絡(luò)上有看到一份關(guān)于 CCM 和 DCM 這兩者之間的判別及分析的材料，個(gè)人感覺講的還是比較到位的，所以分享出來，希望對留言的小伙伴有所幫助。

CCM 又稱為連續(xù)導(dǎo)通模式，顧名思義就在在一個(gè)開關(guān)周期內(nèi)，電感的電流是連續(xù)的，電流不會歸 0，如果按照專業(yè)的將就是電感從不 “復(fù)位”。

DCM 被稱為非連續(xù)導(dǎo)通模式，就是在開關(guān)周期內(nèi)，電感電流總會回歸到 0，也就是電感會被 “復(fù)位”。

這兩種模式在波形上有明顯的區(qū)別：

在變壓器的初級電流，CCM 模式波形為梯形波，而 DCM 模式是三角波。

在變壓器的次級整流管波形上，CCM 同樣為梯形，而 DCM 則為三角波。

在 MOS 關(guān)斷的時(shí)候，Vds 的波形顯示，MOS 上的電壓遠(yuǎn)超過 Vin+Vf，這是因?yàn)?，變壓器的初級有漏感。漏感的能量是不會通過磁芯耦合到次級的。那么 MOS 關(guān)斷過程中，漏感電流也是不能突變的。漏感的電流變化也會產(chǎn)生感應(yīng)電動勢，這個(gè)感應(yīng)電動勢因?yàn)闊o法被次級耦合而箝位，電壓會沖的很高。那么為了避免 MOS 被電壓擊穿而損壞，我們都會在初級側(cè)加了一個(gè) RCD 吸收緩沖電路，把漏感能量先儲存在電容里，然后通過 R 消耗掉。

當(dāng)次級電感電流降到了零。這意味著磁芯中的能量已經(jīng)完全釋放了。那么因?yàn)槎茈娏鹘档搅肆悖?a target="_blank">二極管也就自動截止了，次級相當(dāng)于開路狀態(tài)，輸出電壓也就不再返回初級了。由于此時(shí) MOS 的 Vds 電壓高于輸入電壓，所以在電壓差的作用下，MOS 的結(jié)電容和初級電感發(fā)生諧振。諧振電流給 MOS 的結(jié)電容放電。Vds 電壓開始下降，經(jīng)過 1/4 之一個(gè)諧振周期后又開始上升。由于 RCD 箝位電路以及其它寄生電阻的存在，這個(gè)振蕩是個(gè)阻尼振蕩，幅度越來越小。

F1 比 F2 大很多（從波形上可以看出），這是由于漏感一般相對較??；同時(shí)由于 F1 所在回路阻抗比較小，諧振電流較大，所以能夠很快消耗在等效電阻上，這也就是為什么 F1 所在回路很快就諧振結(jié)束的原因。

MOS 管在開通和關(guān)斷瞬間寄生參數(shù)對波形影響：

DCM(Vds，Ip)

CCM（Vds，Ip）

次級輸出電壓（Vs，Is ,Vds）

不管是在 CCM 模式還是 DCM 模式，在 MOSFET 開通 ON 時(shí)刻，變壓器副邊都有震蕩。主要原因是初次及之間的漏感+輸出肖特基（或快恢復(fù)）結(jié)電容+輸出電容諧振引起，在 CCM 模式下與肖特基的反向恢復(fù)電流也一些關(guān)系。故一般在輸出肖特基上并聯(lián) - 一個(gè) RC 來吸收，使肖特基應(yīng)力減小。

不管是在 CCM 模式還是 DCM 模式，在 MOSFET 關(guān)斷 OFF 時(shí)刻，變壓器副邊電流 IS 波形都有一些震蕩。主要原因是次級電感+肖特基接電容+輸出電容之間的諧振造成的。

RCD 吸收電路對 Vds 的影響

在 MOS 關(guān)斷的時(shí)候，Vds 的波形顯示，MOS 上的電壓遠(yuǎn)超過 Vin+Vf！這是因?yàn)椋儔浩鞯某跫売新└?。漏感的能量是不會通過磁芯耦合到次級的。那么 MOS 關(guān)斷過程中，漏感電流也是不能突變的。漏感的電流變化也會產(chǎn)生感應(yīng)電動勢，這個(gè)感應(yīng)電動勢因?yàn)闊o法被次級耦合而箝位，電壓會沖的很高。那么為了避免 MOS 被電壓擊穿而損壞，所以我們在初級側(cè)加了一個(gè) RCD 吸收緩沖電路，把漏感能量先儲存在電容里，然后通過 R 消耗掉。

審核編輯 黃昊宇