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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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每一個MOS管都提供有三個電極：Gate柵極（表示為“G”）、Source源極（表示為“S”）、Drain漏極（表示為“D”）。接線時，對于N溝道的電源...
NMOS管的主回路電流方向?yàn)镈—>S，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，如 5V（G電位比S電位高）。
把紅表筆接到MOS管的源極S；把黑表筆接到MOS管的漏極D，此時表針指示應(yīng)該為無窮大，如圖5-3所示。如果有歐姆指數(shù)，說明被測管有漏電現(xiàn)象，此管不能用。
Sink Current即灌電流的意思，是數(shù)字電路的表示方式，電流方向指向芯片IO，與Souce Current 拉電流相對應(yīng)。
PDS760-13總功耗，包括二極管的傳導(dǎo)損耗和交流損耗。二極管在MOS管關(guān)斷期間續(xù)流，瞬時傳導(dǎo)損耗以關(guān)斷期間的輸出電流乘以二極管的正向電壓來計算。二極...
模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換器的基本原理與轉(zhuǎn)換過程解析
在一系列選定的瞬間對模擬信號進(jìn)行取樣，然后再將這些取樣值轉(zhuǎn)換成輸出的數(shù)字量，并按一定的編碼形式給出轉(zhuǎn)換結(jié)果。整個A/D轉(zhuǎn)換過程大致可分為取樣、量化、編碼...
2022-08-03 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器MOS管電壓比較器 8368 0
MOS管，即金屬（Metal）—氧化物（Oxide）—半導(dǎo)體（Semiconductor）場效應(yīng)晶體管，是一種應(yīng)用場效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。
反激變換器是小功率電源所廣泛采用的拓?fù)浣鉀Q方案，因其簡單便宜，可靠性高而廣泛應(yīng)用于100W以下的場合。
三極管和MOS管的基本特性 三極管是電流控制電流器件，用基極電流的變化控制集電極電流的變化。
MOS管的特性表明，當(dāng)Vgs小于一定電壓（Vth）時，DS極之間的電阻Rds是很大的，可以認(rèn)為開路，電流不能通過；當(dāng)Vgs達(dá)到Vth時，MOS管開始導(dǎo)通...
開關(guān)電源是直流電轉(zhuǎn)變?yōu)楦哳l脈沖電流，將電能儲存到電感、電容元件中，利用電感、電容的特性將電能按預(yù)定的要求釋放出來來改變輸出電壓或電流的; 線性電源沒有高...
2022-07-27 標(biāo)簽：開關(guān)電源MOS管線性電源 1.3萬 0
一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路;
KNX42150A MOS管助力380V變頻器反激式輔助電源
導(dǎo)通電阻為典型值6.5Ω，可降低導(dǎo)通損耗，降低輸入電源功耗；續(xù)漏極電流在25℃時最大額定值為3A，一般輔助電源功率在10幾瓦特，電流余量可滿足功率需求；
2022-07-23 標(biāo)簽：場效應(yīng)管變頻器MOS管 1832 0
在PCB生產(chǎn)過程中增加電鍍厚度會改善通孔的熱阻。在上面的示例中，將電鍍厚度增加到70 um(2 oz.)，會使每個通孔的熱阻降低到34°C/W。但是PC...
在電路應(yīng)用中我們涉及到的一個問題就是電源的保護(hù)，往往在保護(hù)MOS管方面需要特別注意。這里就是典型的電路應(yīng)用，此電路存在一個問題就是沒法進(jìn)行很好的保護(hù)MO...
學(xué)習(xí)razavi的書籍以及視頻，給人感覺，就是每一個電路都不是平白無故來的，其產(chǎn)生都是因?yàn)橛行枨蟆?/p>
電流鏡的作用是無論外輸入電壓遇到波動還是大范圍變化，電流鏡的輸出電流總保持不變。Q1和Q2均工作在飽和區(qū)，且具有相等的柵源電壓的相同晶體管傳輸相同電流，...
2022-07-18 標(biāo)簽：放大器放大電路場效應(yīng)管 9961 0
這個電路要求輸入控制信號與電機(jī)反饋到控制板的信號之間實(shí)現(xiàn)電氣隔離，從而達(dá)到以控制信號控制功率元件（或組件），以實(shí)現(xiàn)對控制端（或人體）的保護(hù)功能。
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