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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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探索MOS管H橋電路與電機(jī)專用驅(qū)動(dòng)方案
電機(jī)，按照電流的屬性，可分為交流電機(jī)與直流電機(jī)兩大類。以直流電機(jī)為例，闡述說明如何在電路方案中控制電機(jī)。
2024-04-06 標(biāo)簽：MOS管電機(jī)驅(qū)動(dòng)直流無刷電機(jī) 3233 0
如何給電路選擇最合適的MOS產(chǎn)品？選擇MOS管時(shí)需考慮的關(guān)鍵要素
MOS作為一種非常常見的分立器件，它具有開關(guān)、放大、調(diào)壓等作用。MOSFET是電壓控制的管子，通常，MOS管損耗比三極管小,導(dǎo)通后壓降理論上為0。
推挽輸出（Push-Pull Output），故名思意能輸出兩種電平，一種是推（拉電流，輸出高電平），一種是挽（灌電流，輸出低電平）。推挽輸出可以使用一...
2024-04-06 標(biāo)簽：模擬電路上拉電阻場(chǎng)效應(yīng)管 4224 0
非隔離驅(qū)動(dòng)芯片IR21814S的電路設(shè)計(jì)詳解
DCPWMB輸入高電平，推挽輸出DCDRVB高電平驅(qū)動(dòng)Q121導(dǎo)通，DCPWMA為低電平，推挽輸出DCDRVA低電平截止上管Q120。自舉電容C308通...
2024-04-05 標(biāo)簽：三極管電路設(shè)計(jì)MOS管 1673 0
光伏儲(chǔ)能電池管理系統(tǒng)BMS充放電回路設(shè)計(jì)圖
完整的電化學(xué)儲(chǔ)能系統(tǒng)主要由電池組、電池管理系統(tǒng)（BMS）、能量管理系統(tǒng)（EMS）、儲(chǔ)能變流器（PCS）以及其他電氣設(shè)備構(gòu)成。BMS（Battery Ma...
當(dāng)單板啟動(dòng)時(shí)，SLP_S3會(huì)輸出3V3電平，此時(shí)Q14的ib=（3.3-0.7）/2K=1.3mA；按三極管處于放大區(qū)時(shí)hFE=100計(jì)算，ic=100...
穿通擊穿的擊穿點(diǎn)軟，擊穿過程中，電流有逐步增大的特征，這是因?yàn)楹谋M層擴(kuò)展較寬，產(chǎn)生電流較大。另一方面，耗盡層展寬大容易發(fā)生DIBL效應(yīng)，使源襯底結(jié)正偏出...
說起自舉電路估計(jì)離不開mos管，先來了解一下MOS管，MOS有N溝道和P溝道之分。對(duì)于N溝道的MOS管，導(dǎo)通時(shí)需要Ugs>Ugs(th),P溝道則...
電壓/電流轉(zhuǎn)換即V/I轉(zhuǎn)換，是將輸入的電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換成滿足一定關(guān)系的電流信號(hào)，轉(zhuǎn)換后的電流相當(dāng)一個(gè)輸出可調(diào)的恒流源，其輸出電流應(yīng)能夠保持穩(wěn)定而不會(huì)隨負(fù)載的...
MOS管散熱片設(shè)計(jì)如何影響EMC表現(xiàn)
騷擾通過MOS管與散熱片寄生電容、LISN、以及L、N線返回到源。如果MOS管接地的話，在騷擾電壓一定的情況下，阻抗很低，騷擾電流很大，導(dǎo)致CE測(cè)試失效。
淺析MOS管發(fā)熱的五大關(guān)鍵技術(shù)
做電源設(shè)計(jì)，或者做驅(qū)動(dòng)方面的電路，難免要用到場(chǎng)效應(yīng)管，也就是人們常說的MOS管。
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。
2024-03-19 標(biāo)簽：開關(guān)電源MOS管驅(qū)動(dòng)電路 1841 0
那么結(jié)溫和熱阻有什么用呢？--半導(dǎo)體器件主要通過熱傳遞的方式對(duì)元件本身進(jìn)行散熱，當(dāng)芯片溫度升高，超過結(jié)溫后會(huì)導(dǎo)致元件損壞。
MOS管的導(dǎo)通與截止由柵源電壓來控制，對(duì)于增強(qiáng)型MOS管來說，N溝道的管子加正向電壓即導(dǎo)通，P溝道的管子則加反向電壓。
單片機(jī)的電源是5V，相應(yīng)地，它的IO引腳輸入輸出電壓也是5V。但若空氣凈化器用到的PM2.5傳感器，它的工作電源是3.3V，傳感器輸出的IIC信號(hào)同樣也...
IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFE...
2024-03-13 標(biāo)簽：開關(guān)電源MOS管導(dǎo)通電阻 965 0
dcdc開關(guān)頻率高低有什么影響 dc/dc電源同步和異步區(qū)別
高開關(guān)頻率通?？梢蕴岣逥C-DC轉(zhuǎn)換器的效率。這是因?yàn)楦哳l率開關(guān)可以減小開關(guān)器件的尺寸，降低開關(guān)過程中的能量損耗，從而提高整體轉(zhuǎn)換效率。
一款天文應(yīng)用的640×512 HgCdTe焦平面讀出電路設(shè)計(jì)
紅外載荷中的核心部件是紅外焦平面探測(cè)器。由于天文觀測(cè)具有背景輻射極低、光子通量極低的特點(diǎn)
控制器溫升快可能是控制器本身消耗的電流增加，一般消耗電流在30～40mA，或者是MOS管工作有問題；電動(dòng)機(jī)無力可能是控制器檢測(cè)過流的康銅絲焊接不良，導(dǎo)致...
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