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浮思特 | 攻克GaN材料挑戰(zhàn):實(shí)現(xiàn)性能突破的關(guān)鍵
GaN技術(shù)正迎來(lái)其高光時(shí)刻——這絕非偶然。這種材料具備快速開(kāi)關(guān)、低能耗和優(yōu)異熱性能等優(yōu)勢(shì),完美契合當(dāng)今AI基礎(chǔ)設(shè)施、電動(dòng)汽車平臺(tái)、可再生能源和工業(yè)控制等...
京東方華燦消費(fèi)類GaN功率器件通過(guò)1000H可靠性認(rèn)證
在GaN功率器件場(chǎng)景化爆發(fā)的關(guān)鍵窗口期,京東方華燦以消費(fèi)類GaN功率器件通過(guò)1000H可靠性為起點(diǎn),正式開(kāi)啟“消費(fèi)級(jí)普及、工業(yè)級(jí)深化、車規(guī)級(jí)突破”的三級(jí)...
第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無(wú)法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)...
英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管,它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵(GaN)功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過(guò)減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)...
45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269
45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269氮化鎵電源電路由于減少了元件數(shù)量和功率轉(zhuǎn)換器占用的空間而更具吸引力。深圳銀聯(lián)寶科技作為E...
基于 ICeGaN? 和IVCC1104的2.5kW圖騰柱無(wú)橋PFC設(shè)計(jì)案例研究
ICeGaN? 助力瞻芯電子輕松升級(jí) IVCC1104 參考設(shè)計(jì)平臺(tái),在大功率應(yīng)用場(chǎng)景下展現(xiàn)易用性和卓越可靠性 英國(guó)劍橋——Cambridge GaN ...
芯干線GaN/SiC功率器件如何優(yōu)化開(kāi)關(guān)損耗
在功率器件的世界里,開(kāi)關(guān)損耗是一個(gè)繞不開(kāi)的關(guān)鍵話題。
深度分析650V國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET的產(chǎn)品力及替代高壓GaN器件的潛力
深度分析B3M040065Z和B3M040065L的產(chǎn)品力及替代高壓GaN器件的潛力 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(...
全球首款!英飛凌推出集成SBD的GaN FET產(chǎn)品
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日英飛凌推出全球首款集成SBD(肖特基二極管)的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列CoolGaN G5,該產(chǎn)品系列通過(guò)減少不必要的死區(qū)損...
近日,全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)宣布,將于2025年5月6日至8日參加在德國(guó)紐倫堡舉辦的PCIM(PCIM Expo &...
功率電子技術(shù)的快速發(fā)展,得益于寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料的進(jìn)步,尤其是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)硅材料相比,這些材料具有更高的擊穿電壓、...
2025芯導(dǎo)科技產(chǎn)品推介會(huì)暨合作伙伴大會(huì)順利結(jié)束
此前,4月16日下午,春意融融,陽(yáng)光灑滿大地,2025(春季)芯導(dǎo)科技產(chǎn)品推介會(huì)暨合作伙伴大會(huì)在芯導(dǎo)科技上??偛繄A滿舉行。此次大會(huì)匯聚了近百位行業(yè)專家與...
2025-04-21 標(biāo)簽:GaN功率半導(dǎo)體芯導(dǎo)科技 372 0
電子發(fā)燒友綜合報(bào)道 最近多家GaN廠商推出雙向GaN功率開(kāi)關(guān),即GaN BDS(Bidirectional Switch,雙向開(kāi)關(guān))。這是一種較為新型的...
2025-04-20 標(biāo)簽:GaN 610 0
鎵創(chuàng)晶合:從GaN材料到器件研發(fā),打造三大應(yīng)用競(jìng)爭(zhēng)力
氮化鎵的應(yīng)用已經(jīng)從消費(fèi)電子的快充向工業(yè)級(jí)功率領(lǐng)域滲透,這給了國(guó)內(nèi)廠商非常大的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。在2025CITE電子展上,鎵創(chuàng)晶合董事長(zhǎng)助理趙陽(yáng)接受媒體采訪,分...
2025-04-16 標(biāo)簽:GaN 842 1
GaN充電器高頻化之路:分立器件如何破解電磁干擾與協(xié)同難題?
本文針對(duì) GaN 器件高頻化挑戰(zhàn),合科泰分析寄生電感振蕩與驅(qū)動(dòng)信號(hào)失真問(wèn)題,提出通過(guò)器件選型、PCB 布局及電路優(yōu)化等方案,提升高頻應(yīng)用性能與可靠性。
薩瑞微電子SiC 和 GaN賦能AI服務(wù)器電源系統(tǒng)
01AI服務(wù)器電源的核心挑戰(zhàn)與技術(shù)需求超高功率密度:?jiǎn)螜C(jī)架功率已從傳統(tǒng)服務(wù)器的數(shù)千瓦提升至數(shù)十千瓦(如英偉達(dá)DGX-2需10kW,未來(lái)GB300芯片預(yù)計(jì)...
ST 65W GaN變換器VIPerGaN65D 低成本節(jié)省空間的電源方案
VIPerGaN65D 目標(biāo)應(yīng)用鎖定快充、適配器和家電電源 意法半導(dǎo)體的VIPerGaN65D反激式轉(zhuǎn)換器采用SOIC16封裝,可以用于設(shè)計(jì)體積較小的高...
2025-04-01 標(biāo)簽:ST變換器反激式轉(zhuǎn)換器 617 0
GaN芯片出貨6.6億顆!英諾賽科2024年?duì)I收超8.2億,車規(guī)GaN猛增9倍
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 3月28日,功率半導(dǎo)體廠商英諾賽科發(fā)布2024年業(yè)績(jī)報(bào)告,本年度營(yíng)收達(dá)到8.285億元,同比增長(zhǎng)39.8%。作為全球首家大規(guī)模量產(chǎn)...
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