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      標簽　>　gan

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      gan技術(shù)

      碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）

      一旦硅開始達不到電路需求，碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導(dǎo)體材料浮出水面。與單獨的硅相比，這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復(fù)雜的電子產(chǎn)...

      2022-12-13 標簽：晶體管SiC氮化鎵 1.4萬 0

      氮化鎵的優(yōu)勢特點！

      傳統(tǒng)上，半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅（Si），因為它豐富且價格合理。但是，半導(dǎo)體制造商可以使用許多其他材料。此外，它們中的大多數(shù)還提供額外的好處，例如碳...

      2022-12-13 標簽：晶體管SiC氮化鎵 3418 0

      氮化鎵半導(dǎo)體的興起！

      氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬、機械穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體。基于GaN的功率器件具有更高的擊穿強度、更快的開關(guān)速度、更高的導(dǎo)熱性和更低的導(dǎo)通電阻，其性能明顯...

      2022-12-09 標簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 1965 0

      如何把GaN的特性完全發(fā)揮出來呢

      LP88G24DCD內(nèi)置650V級聯(lián)型結(jié)構(gòu)的GaN功率器件，采用QFN8*8封裝，進一步減小芯片占板面積，底部采用一體化銅基板設(shè)計，具有極佳的散熱性能。

      2022-11-30 標簽：串聯(lián)電阻驅(qū)動器PMIC 1217 0

      高頻高頻QR GaN控制器在Flyback拓撲快充產(chǎn)品上的應(yīng)用

      型號LP8843DCD提供一個耐壓高達200V的VccH管腳，以及一個耐壓35V的VccL管腳；可以很方便的用這兩個管腳組成雙繞組供電方式，以節(jié)約高壓輸...

      2022-11-29 標簽：控制器濾波電路GaN 2198 0

      基于GaN單晶N極性HEMT器件

      這是NEDO關(guān)于“加強后5G信息通信系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施研究開發(fā)項目”的成果。2020年6月，NEDO發(fā)布了該決定，并計劃讓住友電工從事高頻器件高功率、小型化技...

      2022-11-23 標簽：GaN毫米波HEMT 2701 0

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      在任何電力電子轉(zhuǎn)換器中，熱設(shè)計都是一項重要的考慮因素。熱設(shè)計經(jīng)優(yōu)化后，工程師能夠?qū)?GaN 用于各種功率級別、拓撲和應(yīng)用中。此應(yīng)用手冊論述了 TI LM...

      2022-11-18 標簽：pcb散熱器FET 1206 0

      GaN高功率整流器的設(shè)計 氮化鎵整流器的電氣特性

      報告內(nèi)容包含： 動機 理論計算 氮化鎵材料參數(shù) 固有載流子濃度 擊穿電壓 (VB) 通態(tài)電阻 (RON)

      2022-11-17 標簽：整流器氮化鎵GaN 598 0

      簡述納微GaNSense技術(shù)及專利布局

      充電器，已經(jīng)成為每個人的生活必需品。充電器的結(jié)構(gòu)是否緊湊，能否提供更高的功率和更短的充電時間，對消費電子企業(yè)和消費者都非常重要，在這種背景下，讓氮化鎵已...

      2022-11-09 標簽：充電器GaN納微半導(dǎo)體 842 0

      空間稀疏推理(SSI)加速深度生成模型

      生成模型近年來發(fā)展迅猛，已經(jīng)表現(xiàn)出極強的真實感合成能力，在三維重建、AI繪畫、音視頻創(chuàng)作、可控圖像生成、真實圖像編輯等領(lǐng)域的應(yīng)用廣泛。

      2022-11-08 標簽：cpuMITGaN 1657 0

      詳解GaN和SiC器件測試的理想探頭

      DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍，提供非常高的測量精度和豐富的連接方式，是Ga...

      2022-11-03 標簽：SiCGaNMOSFET管 1696 0

      QR-Lock控制技術(shù)的65W GaN高集成快充套片

      本期，芯朋微技術(shù)團隊為各位fans分享原副邊全集成的65W快充方案，該方案由PN8783、PN8307P套片組成，PN8783具有卓越的環(huán)路穩(wěn)定性、高功...

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      RGB VCSEL光引擎有哪些應(yīng)用

      基于多孔氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體材料的方法，研究人員已經(jīng)開發(fā)出藍光VCSEL。目前，ITRI和Ganvix正著眼于綠色波長和VCSEL陣列的量產(chǎn)。

      2022-11-01 標簽：RGBVCSELGaN 2201 0

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      100 V GaN FET 在 48 V 汽車和服務(wù)器應(yīng)用以及 USB-C、激光雷達和 LED 照明中很受歡迎。然而，小尺寸和最小的封裝寄生效應(yīng)為動態(tài)表...

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      GaN 、SiC很有可能在高壓高頻方面完全取代硅基，SiC MOSFET 主打高壓領(lǐng)域；GaN MOSFET 主打高頻領(lǐng)域。

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      淺談GaN芯片的制備工藝（GaN HEMT工藝為例）

      本文聊一下GaN芯片的制備工藝。 GaN-般都是用外延技術(shù)制備出來。GaN的外延工藝大家可以看看中村修二的書。

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      常見的自激現(xiàn)象出現(xiàn)的原因及解決辦法

      通常測試的時候第一步就是驗證我們的靜態(tài)工作點和穩(wěn)定性，然而我采用NPTB0004N管子設(shè)計的時候，由于是GaN的管子，最開始沒有注意他的上電順序，導(dǎo)致管...

      2022-10-18 標簽：濾波電容GaN 1.5萬 0

      柵極驅(qū)動器和偏置電源注意事項

      氮化鎵 （GaN） 是電力電子行業(yè)的熱門話題，因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車 （EV） 車載充電器和 EV 充電站等設(shè)計...

      2022-10-14 標簽：GaN偏置電源柵極驅(qū)動器 3303 0

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        藍牙5是藍牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達300米。
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        5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機。相對4G手機，5G手機有更快的傳輸速度，低時延，通過網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準的定位。
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        自iphone7取消3.5mm插孔后藍牙耳機市場得到迅猛發(fā)展，藍牙耳機種類也層出不窮，TWS藍牙耳機兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無線藍牙耳機開始大行其道。
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        智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計算、移動互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛的家庭生活方式。
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        是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測量公司，通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測量體驗。
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        樂鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進、專業(yè)的無晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計低功耗的 Wi-Fi 和藍牙系統(tǒng)級芯片，提供移動通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
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        藍牙m(xù)esh
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      • 藍牙4.2
        藍牙4.2
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