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高效氮化鎵電源設(shè)計方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設(shè)計中實現(xiàn)高效率
氮化鎵 (GaN) 可提高能效,減少 AC/DC 電源損耗,進而有助于降低終端應用的擁有成本。例如,借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC),...
隨著能夠高頻驅(qū)動的半導體“GaN”的普及,開關(guān)電源的高頻化也逐漸變成了現(xiàn)實。變壓器產(chǎn)品中使用鐵氧體材料,但根據(jù)驅(qū)動頻率的不同,磁芯損耗(鐵耗)會有很大的...
2023-08-22 標簽:變壓器半導體開關(guān)電源 1563 0
來源:電子工程專輯 比碳化硅器件,氮化鎵功率器件在同時對效率、頻率、體積等綜合方面有要求的場景中,將更有優(yōu)勢,比如氮化鎵基器件已成功規(guī)模應用于快充領(lǐng)域。...
通常GaN Hemt驅(qū)動存在2個難題:驅(qū)動電壓低,容易誤啟動;柵極耐電壓低,柵極容易損耗,因此需要專門的驅(qū)動器,不僅增加了設(shè)計復雜度,也額外增加了系統(tǒng)成本。
最有發(fā)展前途的寬禁帶半導體材料——金剛石基GaN問世
美國國防部高級研究計劃局(DARPA)微系統(tǒng)技術(shù)辦公室主任Mark Rosker在去年舉辦的CS Mantech上表示,化合物半導體行業(yè)將很快進入第三波...
芯元基實現(xiàn)高效純紅光量子點芯片技術(shù)分析
芯元基的量子點MIP技術(shù),在GaN晶圓的每個子像素的側(cè)壁均做有金屬電極結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)除了有利于像素的共陰極設(shè)計外,也可以更好的解決獨立子像素間的光串擾問...
利用C2000實時MCU提高GaN數(shù)字電源設(shè)計實用性
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比,氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換...
C2000實時微控制器(MCU)應對GaN開關(guān)挑戰(zhàn)
與碳化硅(SiC)FET 和硅基FET 相比,氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換器等高開關(guān)...
GaN基Micro LED領(lǐng)域南京大學取得新突破
GaN基Micro LED與其驅(qū)動(如HEMT、MOSFET等)的同質(zhì)集成能充分發(fā)揮出GaN材料的優(yōu)勢,獲得更快開關(guān)速度、更高耐溫耐壓能力以及更高效率的...
年復一年,越來越多的用戶通過無線方式傳輸越來越多的數(shù)據(jù)。為了跟上這一趨勢并使數(shù)據(jù)傳輸更快、更高效,第五代移動通信 (5G) 正在推出,業(yè)界已經(jīng)在關(guān)注未來...
針對氮化鎵的優(yōu)化KABRA工藝,可使產(chǎn)能提升近40%!
切割出片數(shù)量方面,以2英寸、5mm的氮化鎵晶錠為例,在切割指定厚度為400微米的襯底時,KABRA工藝可切11片,相比之下出片數(shù)量增加了37.5%。
GaN材料由于其所具有的優(yōu)良光電性能,而成為固態(tài)照明、數(shù)字處理、光電器件、功率器件等半導體材料與器件領(lǐng)域的研究熱點。金屬與半導體接觸可以形成肖特基接觸,...
40W兩級高效無頻閃GaN方案OB3674P+OB8652V介紹
隨著辦公照明和商業(yè)照明市場日趨成熟,高PF、低諧波、低成本、無頻閃、高光效等需求已成為用戶的首選。為了滿足用戶高效節(jié)能、高可靠性和電源驅(qū)動小型化的要求,...
該芯片是一款單通道低側(cè)GaN FET和邏輯電平MOSFET驅(qū)動器,可應用于LiDAR、飛行時間、面部識別和低側(cè)驅(qū)動的功率轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。
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