99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

GaN開(kāi)發(fā)的PC200材料的特點(diǎn)及使用時(shí)的要點(diǎn)

jf_pJlTbmA9 ? 來(lái)源:TDK ? 作者:TDK ? 2023-08-22 17:06 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

隨著能夠高頻驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體“GaN”的普及,開(kāi)關(guān)電源的高頻化也逐漸變成了現(xiàn)實(shí)。變壓器產(chǎn)品中使用鐵氧體材料,但根據(jù)驅(qū)動(dòng)頻率的不同,磁芯損耗(鐵耗)會(huì)有很大的變化,這是變壓器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。本文將介紹為GaN開(kāi)發(fā)的PC200材料的特點(diǎn)及使用時(shí)的要點(diǎn)。

目錄

支持高頻的材料的特點(diǎn)及產(chǎn)品系列

相對(duì)以往的鐵氧體材料的優(yōu)越性

性能參數(shù) (f×B)

磁芯溫度的參考實(shí)驗(yàn)

使用PC200材料時(shí)的注意事項(xiàng)

支持高頻的材料的特點(diǎn)及產(chǎn)品系列

TDK支持高頻的Mn-Zn系鐵氧體支持PC95材料的量產(chǎn)。
PC200材料是一種鐵氧體材料,在700 kHz~4 MHz的頻率之間損耗小,在1.8 MHz~2 MHz左右之間電能轉(zhuǎn)換能力最大。
例如,為了抑制蓄電池電壓的電壓變動(dòng),汽車(chē)的ECU必須搭載DC-DC轉(zhuǎn)換器,但是為了EMI對(duì)策,開(kāi)關(guān)頻率上升到了避免AM帶的頻率(1.8~2.2MHz)。
可以說(shuō),PC200材料是最適合這種高頻驅(qū)動(dòng)的變壓器的材料。p>

圖1:高頻開(kāi)關(guān)元件 GaN用鐵氧體材料

wKgaomTCRyuAILoDAAAnaqNdZzo721.png

■期待通過(guò)使用PC200對(duì)產(chǎn)品產(chǎn)生的效果
?通過(guò)高頻化應(yīng)對(duì)變壓器的小型化
?高頻驅(qū)動(dòng)條件下的溫度上升抑制效果

■主要用途
?民生設(shè)備:高效率、小型適配器、開(kāi)關(guān)電源等
?工業(yè)設(shè)備:DC?DC轉(zhuǎn)換器、高輸出小型開(kāi)關(guān)電源、逆變器
?車(chē)載產(chǎn)品(EV、HEV):車(chē)載充電器 、 DC-DC轉(zhuǎn)換器等

材料品名 頻率范圍*1(kHz) 產(chǎn)品狀態(tài) 樣品
PC95 -300 量產(chǎn)體制 可提供
PC50 300 - 1000 量產(chǎn)體制 咨詢(xún)
PC200 700 - 4000 事前準(zhǔn)備 可提供
(咨詢(xún)*2)

*1 頻率范圍是大致范圍。需要在實(shí)機(jī)上進(jìn)行動(dòng)作驗(yàn)證。
*2 關(guān)于PC200能支持的尺寸和數(shù)量,敬請(qǐng)咨詢(xún)。

高頻動(dòng)作時(shí)相對(duì)以往鐵氧體材料的優(yōu)越性

材料特性比較

未指定公差時(shí),是代表值

PC95
(Mn-Zn)
PC50
(Mn-Zn)
PC200
(Mn-Zn)
起始磁導(dǎo)率 : μi @25℃ 3300±25% 1400±25% 800(Typ.)
磁芯損耗 @80℃ / kW/m3 @500kHz, 50mT 215 80 40
@1MHz, 50mT 880 480 150
@2MHz, 30mT - 850 160
飽和磁通密度 : Bs(mT) @100℃ 410 380 410
居里溫度 : Tc / ℃ 215 240 280

圖2:磁芯損耗(Pcv)的溫度依賴(lài)性

wKgZomTCRzCAFO17AAByotVO57k242.png

圖3:磁導(dǎo)率

wKgaomTCRzqAWfYdAABCvQ62nco731.png

性能參數(shù) (f×B)

可根據(jù)性能參數(shù)(f×B)的圖表計(jì)算出驅(qū)動(dòng)頻率能使用的磁通密度ΔB。

圖4:性能參數(shù)

wKgaomTCRz2AOMDgAABWEARs3No656.png

動(dòng)作磁通密度與磁芯損耗(磁芯的發(fā)熱)相關(guān)。
動(dòng)作磁通密度通過(guò)以下公式計(jì)算,受到飽和磁通密度或磁芯損耗限制的值為設(shè)計(jì)值。
磁通密度:B動(dòng)作電壓:E圈數(shù):N磁芯的截面積:A開(kāi)關(guān)開(kāi)的時(shí)間:τ

wKgZomTCR0CAOu_6AAADTGs4dU4958.png

回掃、順向式轉(zhuǎn)換器中,在300KHz以下動(dòng)作時(shí)受飽和磁通密度限制,在第一第三象限使用LLC共振、全橋式等B的電路時(shí)受磁芯損耗的限制。

尤其在200KHz以上時(shí),請(qǐng)參考右圖的f×B曲線(xiàn)設(shè)定動(dòng)作磁通密度。

磁芯溫度的參考實(shí)驗(yàn)

PC200材料的鐵氧體磁芯在高頻動(dòng)作時(shí)可以抑制發(fā)熱。
因材質(zhì)不同,最佳動(dòng)作頻率有所變化。

使用熱像儀進(jìn)行的各使用條件的磁芯溫度比較

Frequency
(MHz)
0.3 1 2
B
(mT)
80
(PC200 : 66)
50 30
f×B
(MHz?mT)
24
(PC200:20)
50 60
PC95 wKgaomTCR0KARIjzAAAQD0EMJeM430.png wKgZomTCR0SAUgHgAAAQZmwhbfQ398.png - wKgaomTCR0eAWUhbAAAQb5JlLEY611.png
PC50 wKgZomTCR0qAVBwwAAAKtFt4U18060.png wKgaomTCR02AAyWqAAAPJEoMzwA102.png wKgaomTCR1CABSMKAAAPhoQVphE505.png
PC200 wKgaomTCR1KAKyBSAAAQsZ_KfUY251.png wKgZomTCR1SAasZCAAAKBSlKmXU905.png wKgaomTCR1eAZEkqAAAJ77E7x-4259.png

圖5:確認(rèn)溫度時(shí)使用的電路

wKgZomTCR1mARq8VAAAYm3LT8_I821.png

使用PC200材料時(shí)的注意事項(xiàng)

如圖6所示,在大磁通下使PC200材料動(dòng)作時(shí),μi增加20%,磁芯損耗增加130%。
使用PC200材料設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí),推薦在Hdc=50(A/m)以下的條件下使用。
圖7是超過(guò)Hdc=50(A/m)的事例
①在第一、第三象限使之動(dòng)作時(shí),在一側(cè)超過(guò)。
②使直流重疊后超過(guò)。

圖6:以大磁通量使PC200材料動(dòng)作時(shí)的變化

wKgaomTCR1-ADHh0AAB_PvllQjU925.png

圖7:驅(qū)動(dòng)狀態(tài)(磁滯回線(xiàn))

wKgZomTCR2KAR1M_AAAsCmzLvLE754.png

審核編輯:彭菁

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 變壓器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    162

    文章

    7792

    瀏覽量

    139514
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    335

    文章

    28930

    瀏覽量

    238333
  • 開(kāi)關(guān)電源
    +關(guān)注

    關(guān)注

    6510

    文章

    8591

    瀏覽量

    489978
  • TDK
    TDK
    +關(guān)注

    關(guān)注

    19

    文章

    730

    瀏覽量

    80578
  • GaN
    GaN
    +關(guān)注

    關(guān)注

    19

    文章

    2209

    瀏覽量

    76872
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    什么是d-GaN、e-GaN 和 v-GaN?其有何特點(diǎn)及應(yīng)用?

    GaN是常用半導(dǎo)體材料中能隙最寬、臨界場(chǎng)最大、飽和速度最高的材料
    的頭像 發(fā)表于 12-06 09:28 ?7159次閱讀
    什么是d-<b class='flag-5'>GaN</b>、e-<b class='flag-5'>GaN</b> 和 v-<b class='flag-5'>GaN</b>?其有何<b class='flag-5'>特點(diǎn)</b>及應(yīng)用?

    第三代半導(dǎo)體材料盛行,GaN與SiC如何撬動(dòng)新型功率器件

    (SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn),與剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)
    發(fā)表于 06-16 10:37

    GaN可靠性的測(cè)試

    (MOSFET)是在20世紀(jì)70年代末開(kāi)發(fā)的,但直到20世紀(jì)90年代初,JEDEC才制定了標(biāo)準(zhǔn)。目前尚不清楚JEDEC硅材料合格認(rèn)證對(duì)GaN晶體管而言意味著什么。 標(biāo)準(zhǔn)滯后于技術(shù)的采用,但標(biāo)準(zhǔn)無(wú)需使技術(shù)可靠
    發(fā)表于 09-10 14:48

    第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵/GaN 未來(lái)發(fā)展及技術(shù)應(yīng)用

    GaN將在高功率、高頻率射頻市場(chǎng)及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來(lái)預(yù)估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導(dǎo)體市場(chǎng)需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡(luò)媒體,如果不妥,請(qǐng)聯(lián)系站內(nèi)信進(jìn)行刪除
    發(fā)表于 04-13 22:28

    GaN基微波半導(dǎo)體器件材料的特性

    寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅(Si)和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、磷化銦(InP)等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
    發(fā)表于 06-25 07:41

    GaN是高頻器件材料技術(shù)上的突破

    為什么GaN可以在市場(chǎng)中取得主導(dǎo)地位?簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),相比LDMOS硅技術(shù)而言,GaN這一材料技術(shù),大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值,表征高頻器件的材料適合性?xún)?yōu)值, 硅技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅
    發(fā)表于 06-26 06:14

    《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊(cè)

    書(shū)籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章:GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊(cè)編號(hào):JFSJ-21-059III族氮化物半導(dǎo)體的光學(xué)特性介紹III 族氮化物材料的光學(xué)特性顯然與光電應(yīng)用直接相關(guān),但測(cè)量光學(xué)特性
    發(fā)表于 07-08 13:08

    GaN和SiC區(qū)別

    半導(dǎo)體材料可實(shí)現(xiàn)比硅基表親更小,更快,更可靠的器件,并具有更高的效率,這些功能使得在各種電源應(yīng)用中減少重量,體積和生命周期成本成為可能。 Si,SiC和GaN器件的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻。 Si,SiC
    發(fā)表于 08-12 09:42

    GaN器件在Class D上的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    。GaN器件尤其在高頻高功率的應(yīng)用領(lǐng)域體現(xiàn)了其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),其中,針對(duì)GaN功率器件的性能特點(diǎn),該器件可被用于適配器、DC-DC轉(zhuǎn)換、無(wú)線(xiàn)充電、激光雷達(dá)等應(yīng)用場(chǎng)合。 圖1 半導(dǎo)體材料
    發(fā)表于 06-25 15:59

    DDR傳輸標(biāo)準(zhǔn)

    DDR傳輸標(biāo)準(zhǔn) PC1600如果按照傳統(tǒng)習(xí)慣傳輸標(biāo)準(zhǔn)的命名,PC1600(DDR200)應(yīng)該是PC200。在當(dāng)時(shí)
    發(fā)表于 12-25 13:54 ?511次閱讀

    WindowsCE嵌入式操作系統(tǒng)的特點(diǎn)開(kāi)發(fā)要點(diǎn)

    通過(guò)對(duì)嵌入式操作系統(tǒng)的研究,結(jié)合本人的開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn),指出了嵌入式操作系統(tǒng)的特點(diǎn)開(kāi)發(fā)要點(diǎn)。 目前嵌入式系統(tǒng)技術(shù)己經(jīng)成為了最熱門(mén)的技術(shù)之一,吸引了大批的優(yōu)秀人才投入其中。
    發(fā)表于 11-07 15:54 ?55次下載
    WindowsCE嵌入式操作系統(tǒng)的<b class='flag-5'>特點(diǎn)</b>及<b class='flag-5'>開(kāi)發(fā)</b><b class='flag-5'>要點(diǎn)</b>

    GaN材料研究與應(yīng)用和運(yùn)用前景

    GaN材料研究與應(yīng)用和運(yùn)用前景
    發(fā)表于 09-14 17:18 ?12次下載
    <b class='flag-5'>GaN</b><b class='flag-5'>材料</b>研究與應(yīng)用和運(yùn)用前景

    鐵氧體磁材為電源及變頻器而開(kāi)發(fā)

    TDK集團(tuán)最近推出了一款新型愛(ài)普科斯(EPCOS)基于錳鋅(MnZn)的PC200 鐵氧體磁材,其具有高頻低損耗的特性。該磁材專(zhuān)門(mén)為電源及變頻器(配備基于GaN的快速切換功率半導(dǎo)體)應(yīng)用而開(kāi)發(fā),優(yōu)化
    的頭像 發(fā)表于 04-07 21:59 ?4842次閱讀

    氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料

    氧化鎵有望成為超越SiC和GaN性能的材料,有望成為下一代功率半導(dǎo)體,日本和海外正在進(jìn)行研究和開(kāi)發(fā)。
    發(fā)表于 04-14 15:42 ?777次閱讀

    晶能光電:硅襯底GaN材料應(yīng)用大有可為

    硅襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專(zhuān)業(yè)照明領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)規(guī)模商用?;诠枰r底GaN材料的Micro LED微顯技術(shù)和低功率PA正在進(jìn)行工程化
    的頭像 發(fā)表于 10-13 16:02 ?1006次閱讀
    晶能光電:硅襯底<b class='flag-5'>GaN</b><b class='flag-5'>材料</b>應(yīng)用大有可為