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格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺(tái)12FDXTM
格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺(tái)12FDXTM,實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個(gè)多節(jié)點(diǎn)FD-SOI路線圖,從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代1...
2018-05-14 標(biāo)簽:fd-soifinfet格羅方德半導(dǎo)體 2869 0
第八屆上海FD-SOI論壇成功舉行 芯原FD-SOI IP迅速成長(zhǎng)賦能產(chǎn)業(yè)
(電子發(fā)燒友網(wǎng)原創(chuàng)報(bào)道)2023年10月23日 第八屆上海FD-SOI論壇隆重舉行,論壇由芯原股份和新傲科技主辦,SEMI中國(guó)和SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟支持。該活...
2023-11-01 標(biāo)簽:FD-SOI 2700 0
判斷FinFET、FD-SOI與平面半導(dǎo)體制程的市場(chǎng)版圖還早
獲得英 特爾(Intel)、三星、臺(tái)積電(TSMC)等大廠采用的FinFET制程,號(hào)稱能提供最高性能與最低功耗;但Jones指出,在約當(dāng)14納米節(jié) 點(diǎn),...
2016-09-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體制程FD-SOIFinFET 2230 0
格羅方德半導(dǎo)體推出業(yè)內(nèi)首個(gè)22nm FD-SOI工藝平臺(tái)
格羅方德半導(dǎo)體(GLOBALFOUNDRIES)今日發(fā)布一種全新的半導(dǎo)體工藝,以滿足新一代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的超低功耗要求?!?2FDX?”平臺(tái)提供的性能和功耗媲...
2015-07-14 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)FD-SOI格羅方德 2050 0
FD-SOI元件與FinFET接近實(shí)用化的不斷發(fā)布
22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域,靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細(xì)化會(huì)越來(lái)越困難的,為此,人們關(guān)注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件與基于立體通...
GlobalFoundries拋棄三星和意法半導(dǎo)體在第二代FD-SOI技術(shù)上達(dá)成合作
GlobalFoundries的FD-SOI技術(shù)已經(jīng)略有成效,近日傳來(lái)消息,又迎來(lái)意法半導(dǎo)體(ST)的大單進(jìn)補(bǔ),在第二代FD-SOI技術(shù)解決方案領(lǐng)域吧徹...
2018-01-15 標(biāo)簽:三星電子意法半導(dǎo)體fd-soi 1686 0
意法半導(dǎo)體28nm FD-SOI技術(shù)平臺(tái)又獲階段性成功
意法半導(dǎo)體宣布,其28納米FD-SOI技術(shù)平臺(tái)在測(cè)試中取得又一項(xiàng)重大階段性成功:其應(yīng)用處理器引擎芯片工作頻率達(dá)到3GHz,在指定的工作頻率下新產(chǎn)品能效高...
2013-03-13 標(biāo)簽:CMOSSoC意法半導(dǎo)體 1682 0
評(píng)估FD-SOI工藝,看新恩智浦下一步如何布局!
芯片制造的重點(diǎn)永遠(yuǎn)是成本。從28nm HKMG工藝轉(zhuǎn)換到14nm FinFET工藝,將會(huì)增加50%的成本,這個(gè)代價(jià)值得嗎?雖然FinFET能實(shí)現(xiàn)令人印象...
法國(guó)CEA-Leti正計(jì)劃新建一條工藝引導(dǎo)線
機(jī)構(gòu)方面表示,新的fd-soi技術(shù)將與18、22、28納米的現(xiàn)有設(shè)計(jì)進(jìn)行互換,還將包括嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(envm)技術(shù)。該項(xiàng)目在法國(guó)政府的資助下被分...
嵌入式存儲(chǔ)器 意法半導(dǎo)體FD-SOI性能大升
意法半導(dǎo)體獨(dú)有的FD-SOI技術(shù)配備嵌入式存儲(chǔ)器,有望突破更高性能,以實(shí)現(xiàn)更低工作功耗和更低待機(jī)功耗。
2013-11-09 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體嵌入式存儲(chǔ)器FD-SOI 1510 0
ST-Ericsson推出28nm FD-SOI制程多模LTE手機(jī)平臺(tái)
日前,依法愛(ài)立信推出一款支持LTE多模的高整合度智慧型手機(jī)平臺(tái),該平臺(tái)整合了全套無(wú)線功能,并擁有基于ARM Cortex-A9的2.5GHz eQuad...
Global開(kāi)發(fā)FD-SOI工藝 芯片廠商助力量產(chǎn)
晶圓代工廠商Globalfoundries位于德國(guó)德勒斯登(Dresden)的晶圓廠,可能成為一家歐洲本地芯片廠商缺乏勇氣去委托生產(chǎn)的“超越摩爾定律(M...
半導(dǎo)體晶圓代工公司格羅方德(Globalfoundries)日前開(kāi)發(fā)出支援4種技術(shù)制程的22nm FD-SOI平臺(tái),以滿足新一代物聯(lián)網(wǎng)(IoT)裝置的超...
意法半導(dǎo)體獲2013年度電子成就獎(jiǎng)(ACE)能源技術(shù)獎(jiǎng)
意法半導(dǎo)體(ST)宣布意法半導(dǎo)體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(FD-SOI)技術(shù)榮獲2013年度電子成就獎(jiǎng)(ACE)能源技術(shù)獎(jiǎng)。根據(jù)客戶的節(jié)能與性...
看好28奈米FD-SOI技術(shù) 意法借力成該技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者
日前,意法半導(dǎo)體(ST)宣布位于法國(guó)Crolles的12寸(300mm)晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術(shù),這證明了意法半導(dǎo)體以28奈米技術(shù)節(jié)點(diǎn)提...
2012-12-14 標(biāo)簽:ST意法半導(dǎo)體FD-SOI 1052 0
意法半導(dǎo)體的突破性半導(dǎo)體技術(shù)榮獲電子成就獎(jiǎng)
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體宣布,意法半導(dǎo)體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(FD-SOI)技術(shù)榮獲全球兩大知名電子技術(shù)專業(yè)...
2013-05-08 標(biāo)簽:CMOS意法半導(dǎo)體FD-SOI 1017 0
FPGA 被稱為“萬(wàn)能芯片”,是人工智能時(shí)代的“紅人”。經(jīng)過(guò)十幾年的市場(chǎng)變革,現(xiàn)在很多人關(guān)注 FPGA 更多是看頭部的兩家廠商——英特爾和賽靈思。
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