歐洲三大微電子研究所之一的法國cea-leti計劃以fd-soi（完全消耗硅）技術為基礎，開發(fā)10納米低電力技術模塊。該技術將擴展到7納米技術，這是duv光刻技術的局限性。

機構方面表示，新的fd-soi技術將與18、22、28納米的現(xiàn)有設計進行互換，還將包括嵌入式非揮發(fā)性存儲器（envm）技術。該項目在法國政府的資助下被分離為《歐盟芯片法案》。

據(jù)報道，位于法國格勒諾布的3000平方米無塵室將于今年9月動工建設，目前正在生產(chǎn)fd-soi零部件的晶體管半導體和格子工程模塊將被開發(fā)出來。新的工程將在三年內(nèi)準備好，使用st. semiconductor在克勞斯附近的新合資晶片工廠和soitec的soi晶片。