全志H618和rk3566參數(shù)對比

全志H618和rk3566參數(shù)對比 隨著科技的發(fā)展，現(xiàn)在市面上推出了越來越多的智能設備。在這些設備中，芯片是其中非常重要的一個部分。目前常見的智能設備芯...

2023-08-16 標簽：處理器DDR4GPU芯片 4.3萬 0

ddr4和ddr3內(nèi)存的區(qū)別,可以通用嗎

雖然新一代電腦/智能手機用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，...

2017-11-08 標簽：ddr3內(nèi)存ddr4 3.2萬 0

SDRAM,DDR3,DDR2,DDR4,DDR1的區(qū)別對比及其特點分析

DDR3 SDRAM（Double Data Rate Three SDRAM）：為雙信道三次同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存。 DDR4 SDRAM（Doubl...

2017-11-17 標簽：SDRAMDDR3DDR4 2.7萬 0

淺談國產(chǎn)內(nèi)存現(xiàn)狀 國產(chǎn)DDR4的崛起

目前中國正在大力發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)，但是在內(nèi)存市場卻有一些缺憾，全球內(nèi)存市場幾乎被美國、韓國壟斷，去年的內(nèi)存價格居高不下?，F(xiàn)在目前國內(nèi)正在發(fā)展存儲芯片，國產(chǎn)...

2018-03-01 標簽：內(nèi)存ddr4紫光 2.6萬 0

公布最新技術路線圖！長鑫存儲計劃再建兩座 DRAM 晶圓廠

據(jù)報道，長鑫存儲技術有限公司（CXMT）公布了最新的DRAM技術路線圖，從其路線規(guī)劃來看，其研發(fā)的產(chǎn)品線包括 DDR4、LPDDR4X、DDR5以及LP...

2019-12-03 標簽：DRAMDDR4長鑫存儲 2.2萬 0

RK3568與RK3588的區(qū)別

RK3568與RK3588的區(qū)別 RK3568和RK3588是瑞芯微推出的兩款高性能芯片，兩款芯片具有不同的特點，本文將從不同的角度比較兩款芯片的異同，...

2023-08-15 標簽：DDR4RK3568RK3588 1.6萬 0

ddr3有必要升級ddr4嗎

DDR4意義就是把入門級內(nèi)存提升到了4GB，更大的容量...

2021-10-09 標簽：DDR3DDR4 1.5萬 0

DDR4的頻率數(shù)字是基于什么原則來規(guī)定的呢?

內(nèi)存頻率的這些數(shù)字是怎么來的呢？

2019-07-11 標簽：DDR4內(nèi)存頻率 1.3萬 0

DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？

DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計算機的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計算機內(nèi)存的標準。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，...

2023-10-30 標簽：DDR3計算機DDR4 1.2萬 0

DDR5比較DDR4有什么新特性？

DDR5相比DDR4有什么新特性？

2020-01-10 標簽：DDR4隨機存取存儲器DDR5 1.1萬 0

DDR3、DDR4、DDR5的性能對比

DDR3、DDR4、DDR5是計算機內(nèi)存類型的不同階段，分別代表第三代、第四代和第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM）。以下是它們之間的...

2024-11-29 標簽：DDR3數(shù)據(jù)DDR4 1.0萬 0

長鑫官網(wǎng)上架DDR4/LPDDR4X內(nèi)存，首顆國產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片即將開賣！

據(jù)報道，長鑫存儲官方網(wǎng)站已經(jīng)公開列出了自家的DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4X內(nèi)存芯片，都符合國際通行標準規(guī)范，目前已經(jīng)處于售前咨詢階段（...

2020-02-27 標簽：DDR4長鑫 9495 0

聯(lián)想小新Air 14 2020參數(shù)，性能優(yōu)于DDR4-2666

聯(lián)想小新Air 14 2020是聯(lián)想2020年開年的第一款新品筆記本，外觀方面升級四邊窄邊框，砍掉了圓孔充電，升級為更加現(xiàn)代的USB-C接口。在配置方面...

2020-02-07 標簽：處理器聯(lián)想ddr4 9186 0

長鑫國產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片的外觀和參數(shù)曝光，使用19納米制造技術

長鑫存儲正使用其10G1工藝技術（即19nm工藝）來制造4GB和8GB的DDR4內(nèi)存芯片，目標是在2020年第一季度上市?，F(xiàn)在，一名用戶就曝光了新款內(nèi)存...

2020-02-26 標簽：芯片內(nèi)存ddr4 8939 0

臺電極光a30內(nèi)存評測 DDR4內(nèi)存入門首選

近期，臺電將會發(fā)布一款名為極光A30的DDR4入門內(nèi)存。今天就讓大家來先睹為快吧。

2018-08-28 標簽：臺電內(nèi)存DDR4 8933 0