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CMOS工藝

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cmos工藝技術(shù)

放大電路的基礎(chǔ)—單級(jí)放大器（1）

放大是模擬電路的基本功能之一，是運(yùn)算放大器、功率放大器、低噪聲放大器等模塊的主要功能。

2023-09-18 標(biāo)簽：功率放大器運(yùn)算放大器 MOS管 7313 0

CMOS欠壓保護(hù)電路的設(shè)計(jì)方案分析

本文設(shè)計(jì)了一種CMOS工藝下的欠壓保護(hù)電路，首先分析了電路的工作原理，而后給出了各MOS管的參數(shù)計(jì)算，并給出pspice仿真的結(jié)果。此電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，工藝...

2014-08-14 標(biāo)簽：保護(hù)電路 CMOS工藝 6396 0

聊聊芯片中的負(fù)壓產(chǎn)生機(jī)理及其應(yīng)用

SRAM是目前最成熟的易失性高速存儲(chǔ)器，通常由6管（6T）實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的讀寫，可以用做CPU和內(nèi)存（DRAM）之間的高速緩存。

2023-10-31 標(biāo)簽：放大器 Nand CMOS工藝 5628 0

N阱CMOS工藝版圖

CMOS工藝是在PMOS和NMOS工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的。

2023-07-06 標(biāo)簽：集成電路晶體管 CMOS工藝 4935 0

AD9361和AD9371里接收機(jī)的性能有哪些不同呢？

話說(shuō)，如果使用CMOS工藝的話，零中頻的閃爍噪聲會(huì)比較大，如果使用SiGe和BiCMOS工藝的話，閃爍噪聲就會(huì)小很多[1]。所以，我就打算看看AD936...

2024-04-17 標(biāo)簽：接收機(jī)SNR CMOS工藝 4656 0

什么是運(yùn)放的軌至軌特性？軌到軌還有哪些細(xì)節(jié)需要注意？

前級(jí)采樣電阻上的采樣電壓 VI_AMP_IN 經(jīng) U6 的跟隨作用 VI_AMP_OUT 送至 ADC 進(jìn)行A/D 轉(zhuǎn)換。

2023-10-12 標(biāo)簽：二極管運(yùn)放電源電壓 4532 0

CMOS工藝兼容的熱電堆紅外探測(cè)器

本文實(shí)現(xiàn)了一種正面開(kāi)口的熱電堆結(jié)構(gòu)，采用XeF2作為工作氣體干法刻蝕工藝釋放器件。相對(duì)于刻蝕硅，XeF2氣體對(duì)鋁等材料的刻蝕速率極小，這樣就可以采用標(biāo)準(zhǔn)...

2012-05-02 標(biāo)簽：紅外探測(cè)器 CMOS工藝熱電堆 4152 0

講解一下SRAM型FPGA在軌會(huì)遇到的問(wèn)題及其影響

SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對(duì)SRAM型FPGA進(jìn)行抗輻照加固設(shè)計(jì)非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會(huì)遇到的問(wèn)題及其影響。

2023-08-11 標(biāo)簽：fpga sram CMOS工藝 3102 0

具有眼睛交互功能的透視式OLED顯示器

基于有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）的微顯示器已經(jīng)達(dá)到了很高的光學(xué)性能，不僅具有優(yōu)異的對(duì)比度和大的動(dòng)態(tài)范圍，而且具有很低的功耗。它們采用直接發(fā)光機(jī)制，無(wú)需額外...

2014-07-30 標(biāo)簽：OLED技術(shù)CMOS工藝 2964 0

運(yùn)放穩(wěn)定性，你真的懂了嗎？

一個(gè)運(yùn)放，使用電阻接成負(fù)反饋的形式，閉環(huán)放大倍數(shù)為-1。進(jìn)行環(huán)路stb仿真，有些corner下相位曲線從0開(kāi)始，但其他corner正常。這種是什么原因？...

2023-11-07 標(biāo)簽：仿真器 STB CMOS工藝 2920 0

cmos工藝帖子

怎么采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝設(shè)計(jì)RF集成電路？

標(biāo)簽：VCO CMOS工藝 RF集成電路 2733 4

ICL7650具有哪些特性應(yīng)用功能？

標(biāo)簽：CMOS工藝 ICL7650 2303 1

采用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)高性能射頻體聲波濾波器BAW

標(biāo)簽：CMOS工藝射頻濾波器 2058 2

請(qǐng)問(wèn)怎樣去設(shè)計(jì)一種低噪聲放大器？

標(biāo)簽：增益低噪聲放大器 CMOS工藝 1908 1

怎么利用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)一個(gè)10位的高速DAC？

標(biāo)簽：dac SoC芯片 CMOS工藝 1573 1

如何在O.5μm CMOS工藝條件下設(shè)計(jì)采用電流反饋實(shí)現(xiàn)遲滯功能的旁路電壓控制電路？

標(biāo)簽：電流反饋 CMOS工藝 1572 1

如何設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)一個(gè)工作頻率在2.4GHz處的兩級(jí)全集成E類開(kāi)關(guān)模式功率放大器

標(biāo)簽：CMOS CMOS工藝 1482 1

如何利用Cadence設(shè)計(jì)COMS低噪聲放大器？

標(biāo)簽：eda 低噪聲放大器 CMOS工藝 1401 1

如何去提高電源管理的靈活性？

標(biāo)簽：電源管理 NVM CMOS工藝 1324 1

如何用0.6μm CMOS工藝實(shí)現(xiàn)功率放大器？

標(biāo)簽：功率放大器 CMOS工藝 1277 1

cmos工藝資料下載

LY6206線性穩(wěn)壓芯片LDO原文資料立即下載

類別：單片機(jī) 2013-07-23 標(biāo)簽：CMOS工藝高電壓調(diào)整器芯片 LY6206 2829 0

CMOS工藝下高擺幅共源共柵偏置電路立即下載

類別：模擬數(shù)字 2012-02-15 標(biāo)簽：偏置電路 CMOS工藝共源共柵 2244 0

一種低功耗CMOS工藝鋰電池保護(hù)電路圖的實(shí)現(xiàn)立即下載

類別：半導(dǎo)體技術(shù)論文 2012-05-15 標(biāo)簽：鋰電池保護(hù)電路 CMOS工藝 2001 0

基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的pH值傳感器立即下載

類別：傳感與控制 2014-05-26 標(biāo)簽：傳感器 CMOS工藝 1072 0

0.18μm_CMOS工藝3.125Gbs發(fā)送器的設(shè)計(jì)立即下載

類別：電子教材 2016-06-08 標(biāo)簽：集成電路 CMOS工藝 1032 0

ADC架構(gòu)II：逐次逼近型ADC立即下載

類別：通信網(wǎng)絡(luò) 2015-10-19 標(biāo)簽：ADC CMOS工藝 1030 1

多功能電池檢測(cè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)立即下載

類別：單片機(jī) 2017-06-11 標(biāo)簽：蓄電池 cmos工藝智能檢測(cè) 986 0

基于CMOS工藝的無(wú)線圖像傳感器網(wǎng)絡(luò)綜述_劉杰立即下載

類別：傳感與控制 2017-03-19 標(biāo)簽：傳感器網(wǎng)絡(luò)CMOS工藝無(wú)線圖像 974 0

0.16微米CMOS工藝技術(shù)立即下載

類別：半導(dǎo)體技術(shù)論文 2009-12-14 標(biāo)簽：CMOS工藝 844 0

PL7022/B CMOS 雙節(jié)可充電鋰電池保護(hù)電路立即下載

類別：電子資料 2022-09-19 標(biāo)簽：CMOS工藝鋰電池保護(hù)芯片 681 0

cmos工藝資訊

數(shù)字體溫表的工作原理是什么？有哪些功能？

BL0601構(gòu)成的數(shù)字體溫表電路如圖12-100所示。

2021-06-13 標(biāo)簽：集成電路熱敏電阻 CMOS工藝 6727 0

聯(lián)電，TeraSillC聯(lián)合推出24GHz CMOS雷達(dá)收發(fā)芯片

聯(lián)合微電子（UMC）的中國(guó)IC設(shè)計(jì)子公司UnitedDS Semiconductor（UDS）和臺(tái)灣的mmWave芯片設(shè)計(jì)商TeraSillC聯(lián)合推出了...

2019-07-29 標(biāo)簽：聯(lián)電 CMOS工藝雷達(dá)傳感器 6607 0

森丸電子推出針對(duì)集成無(wú)源器件需求的IPD工藝方案平臺(tái)

無(wú)源互連是電子系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)功能中必不可少的一部分。隨著更高算力，更高帶寬傳輸，更高集成度模組等技術(shù)的不斷演進(jìn)，對(duì)無(wú)源集成也提出了更高的要求。

2024-05-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體無(wú)源器件 CMOS工藝 3774 0

醫(yī)療IC設(shè)計(jì)工藝:雙極性與CMOS

可植入、可消化、可互動(dòng)、可互操作以及支持因特網(wǎng)，這些醫(yī)療設(shè)備現(xiàn)在及未來(lái)獨(dú)特的需求都要求合適的IC工藝技術(shù)與封裝。本文將對(duì)醫(yī)療半導(dǎo)體器件采用的雙極性（bi...

2012-07-16 標(biāo)簽：cmos工藝 cmos器件雙極性晶體管 3733 0

集成電路按照實(shí)現(xiàn)工藝分類可以分為哪些？

集成電路按照實(shí)現(xiàn)工藝分類可以分為哪些？集成電路 (Integrated Circuit，簡(jiǎn)稱IC) 是一種半導(dǎo)體器件，通過(guò)將許多電子元器件集成在單一的...

2023-08-29 標(biāo)簽：集成電路 MOS管 BJT 3331 0

中科院微電子所22納米 CMOS工藝研發(fā)取得突破

中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在22納米 CMOS關(guān)鍵技術(shù)先導(dǎo)研發(fā)上取得突破性進(jìn)展

2012-12-11 標(biāo)簽：CMOS工藝 22納米 3171 0

動(dòng)態(tài)可調(diào)諧超表面的研究進(jìn)展與應(yīng)用

超表面能夠?qū)﹄姶挪ǖ钠?、振幅和相位等物理參量進(jìn)行前所未有的調(diào)控，微納加工技術(shù)的發(fā)展進(jìn)一步推動(dòng)了超表面在顯示、成像、傳感、防偽、光場(chǎng)調(diào)控等領(lǐng)域的應(yīng)用前景。

2023-11-16 標(biāo)簽：電解液電磁波 CMOS工藝 2913 0

中國(guó)MEMS傳感器市場(chǎng)分析

傳感技術(shù)是獲取信息的技術(shù)，是信息技術(shù)的基石。通過(guò)傳感技術(shù)如信息識(shí)別、信息提取、信息監(jiān)測(cè)等來(lái)取得信息，然后通過(guò)通信技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)信息的快速、可靠、安全的轉(zhuǎn)移即...

2012-11-05 標(biāo)簽：Triquint MEMS傳感器 CMOS工藝 2452 0

基于CMOS工藝的RF集成電路設(shè)計(jì)

近年來(lái)，有關(guān)將CMOS工藝在射頻（RF）技術(shù)中應(yīng)用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術(shù)允許CMOS電路的工作頻率超過(guò)1GHz，這無(wú)疑推動(dòng)了集成CMOS射...

2012-05-21 標(biāo)簽：VCO電路 CMOS工藝 RF集成電路 2236 0

芯圣電子腳位兼容S003系列單片機(jī)—HC18M003介紹

HC18M003是一顆采用高速低功耗CMOS工藝設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)的增強(qiáng)型8位ADC單片機(jī)，內(nèi)部有4K*16bit MTP程序儲(chǔ)存器

2023-10-11 標(biāo)簽：單片機(jī)仿真器定時(shí)器 2063 0

cmos工藝數(shù)據(jù)手冊(cè)

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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