IC Insights發(fā)表2019~2023全球晶圓產(chǎn)能報(bào)告

全球晶圓廠自2013年P(guān)roMOS關(guān)閉兩座晶圓廠后，造成當(dāng)年12英寸廠數(shù)量減少，從那以后每年12英寸晶圓廠都持續(xù)增加。從2008年開始，12英寸晶圓廠開...

2019-04-04 標(biāo)簽：閃存NAND晶圓廠 7389 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片 閃存市場(chǎng)將迎來一波沖擊

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片再下一城，日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱，中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片，這對(duì)價(jià)格本就在不斷下探的閃存市場(chǎng)無疑又將帶...

2019-04-01 標(biāo)簽：閃存NAND存儲(chǔ) 1905 0

因自動(dòng)駕駛的需求美光科技將推出1TB閃存存儲(chǔ)產(chǎn)品

近年來，自動(dòng)駕駛快速由理想走向現(xiàn)實(shí)，掀起了新一輪的汽車行業(yè)技術(shù)變革浪潮。IHS調(diào)查表明，自動(dòng)駕駛汽車將在2020年至2040年之間以63%的速度增長(zhǎng)?？?..

2019-04-07 標(biāo)簽：閃存車聯(lián)網(wǎng)自動(dòng)駕駛 887 0

三星GalaxyFold閃存讀取速度達(dá)976MB/s 存儲(chǔ)性能魯大師跑分超5萬分

4月16日消息，魯大師公布了三星Galaxy Fold跑分。該機(jī)綜合性能跑分達(dá)到了417716分，其中存儲(chǔ)性能達(dá)到了新高度，超過了5萬分（具體為50977）。

2019-04-17 標(biāo)簽：閃存三星電子 4248 0

西數(shù)開發(fā)低延遲閃存(LLF),用于與英特爾的傲騰存儲(chǔ)競(jìng)爭(zhēng)

在本周的活動(dòng)上，西數(shù)談到了其新的低延遲閃存NAND。該技術(shù)旨在實(shí)現(xiàn)3D NAND和DRAM之間的性能。LLF閃存將具有微秒級(jí)的延遲，采用SLC或者M(jìn)LC顆粒。

2019-03-25 標(biāo)簽：閃存西部數(shù)據(jù) 3575 0

大存儲(chǔ)的需求日益高漲,閃存大廠迎來發(fā)展新機(jī)遇

當(dāng)你的手機(jī)經(jīng)常顯示它時(shí)，就證明手機(jī)存儲(chǔ)空間不足，需要清楚內(nèi)存了。不過，這一現(xiàn)象更多的出現(xiàn)在五年以上的舊款手機(jī)，因?yàn)楝F(xiàn)在的智能手機(jī)大多都已經(jīng)是4GB RA...

2019-03-23 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ) 3277 0

分享“華為智能閃存解決方案加速企業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型”議題

華為是業(yè)內(nèi)唯一具備存儲(chǔ)操作系統(tǒng)、控制器、創(chuàng)新SSD盤的廠商，并針對(duì)閃存進(jìn)行端到端的深度優(yōu)化，基于華為全面的產(chǎn)品和解決方案、開放的生態(tài)，客戶可以輕松的享受...

2019-03-23 標(biāo)簽：閃存華為數(shù)字化 4246 0

諾獎(jiǎng) ＂選擇性失憶”的遺珠?NAND Flash 核心技術(shù)發(fā)明者—施敏

施敏發(fā)明的非揮發(fā)性存儲(chǔ)技術(shù)，是現(xiàn)今被全球各國(guó)視為關(guān)鍵戰(zhàn)略物資 NAND Flash 閃存芯片的基礎(chǔ)核心，可以說，若沒有施敏，手機(jī)不可能成為我們隨身帶著走...

2019-03-22 標(biāo)簽：閃存Nand 4805 0

IC Insights發(fā)布全新報(bào)告:今年全球?qū)⒂?家晶圓廠開業(yè),5家來自中國(guó)

這15座12英寸晶圓新廠將用于生產(chǎn)存儲(chǔ)產(chǎn)品DRAM和NAND閃存，以及晶圓代工。

2019-03-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體閃存晶圓廠 4287 0

紫光國(guó)產(chǎn)SSD硬盤或?qū)⑸鲜?P/E次數(shù)可達(dá)1500次

閃存去年到現(xiàn)在一直降價(jià)，SSD硬盤價(jià)格便宜多了，只不過這些SSD所用的閃存幾乎都來自三星、美光、東芝、西數(shù)、英特爾、SK Hynix等六家公司，國(guó)內(nèi)廠商...

2019-03-18 標(biāo)簽：閃存SSD紫光 2971 0

閃存迎來高速發(fā)展的時(shí)期，閃存助力行業(yè)客戶發(fā)展

傳統(tǒng)上，磁盤存儲(chǔ)相較于閃存的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)在于容量?jī)r(jià)格。對(duì)于容量為幾GB的小型USB閃存盤，閃存的價(jià)格能夠讓人接受。但是當(dāng)涉及到企業(yè)計(jì)算環(huán)境時(shí)，將整個(gè)組織的數(shù)...

2019-03-15 標(biāo)簽：閃存磁盤存儲(chǔ)數(shù)字化 2875 0

Everspin提供256Mb MRAM樣品,寫入速度比NAND閃存快萬倍

和RAM一樣快的永久存儲(chǔ)被廣泛認(rèn)為會(huì)使服務(wù)器和存儲(chǔ)行業(yè)擺脫一年或三年的換代周期，而這個(gè)改變?nèi)缃耠S著美國(guó)公司Everspin開始提供256Mb磁阻式隨機(jī)存...

2019-03-16 標(biāo)簽：閃存存儲(chǔ)器 1221 0

西部數(shù)據(jù)正開發(fā)低延遲閃存 旨在與英特爾傲騰產(chǎn)品展開競(jìng)爭(zhēng)

外媒報(bào)道稱，存儲(chǔ)大廠西部數(shù)據(jù)（WD）正在開發(fā)自家的低延遲閃存，與傳統(tǒng) 3D NAND 相比，其能夠帶來更高的性能和耐用性，旨在與英特爾傲騰產(chǎn)品展開競(jìng)爭(zhēng)。...

2019-03-14 標(biāo)簽：英特爾閃存西部數(shù)據(jù) 3102 0

內(nèi)存市場(chǎng)轉(zhuǎn)向成效浮現(xiàn) 三星、Intel促嵌入式MRAM普及

在內(nèi)存市場(chǎng)，業(yè)界普遍認(rèn)為，在前沿SoC（片上系統(tǒng)）和大規(guī)模微控制器（MCU）中的邏輯嵌入式非易失性存儲(chǔ)器的開發(fā)可謂非?；钴S。到目前為止，處理器內(nèi)核的程序...

2019-03-13 標(biāo)簽：閃存三星電子intel 1.1萬 0

新一代高性能全閃存助力企業(yè)業(yè)務(wù)發(fā)展

閃存迎來高速發(fā)展的時(shí)期。

2019-03-13 標(biāo)簽：閃存高性能 2548 0

西部數(shù)據(jù)公司贏得客戶信任 將加速閃存和對(duì)象存儲(chǔ)的普及

企業(yè)市場(chǎng)迫切需要采用NVMe來提高傳統(tǒng)高性能計(jì)算和機(jī)器學(xué)習(xí)的表現(xiàn)，這使得WekaIO公司和西部數(shù)據(jù)公司之間的合作將對(duì)希望快速部署可擴(kuò)展架構(gòu)的客戶非常有利...

2019-04-19 標(biāo)簽：閃存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)西部數(shù)據(jù) 798 0

巨頭夾擊下Memblaze的發(fā)展壯大了

能夠想象嗎？面對(duì)Intel、三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、希捷這樣強(qiáng)大的對(duì)手，Memblaze生存了下來了，發(fā)展壯大了，春天來了！

2019-03-09 標(biāo)簽：閃存pcie 1.0萬 1