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西數(shù)開(kāi)發(fā)低延遲閃存(LLF),用于與英特爾的傲騰存儲(chǔ)競(jìng)爭(zhēng)

5RJg_mcuworld ? 來(lái)源:YXQ ? 2019-03-25 14:44 ? 次閱讀
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據(jù)報(bào)道,西數(shù)正在開(kāi)發(fā)自己的LLF低延遲閃存,與傳統(tǒng)的3D NAND相比,它將提供更高的性能和耐用性,最終用于與英特爾的傲騰存儲(chǔ)競(jìng)爭(zhēng)。

在本周的活動(dòng)上,西數(shù)談到了其新的低延遲閃存NAND。該技術(shù)旨在實(shí)現(xiàn)3D NAND和DRAM之間的性能。LLF閃存將具有微秒級(jí)的延遲,采用SLC或者M(jìn)LC顆粒。

西數(shù)表示,LLF閃存的成本比DRAM低10倍,但是按照每GB價(jià)格計(jì)算,3D內(nèi)存的成本仍是3D NAND的20倍,因此它只能用于針對(duì)數(shù)據(jù)中心或高端工作站,類似于現(xiàn)在的英特爾Optane和三星Z-NAND。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:面試時(shí),被問(wèn)到職業(yè)規(guī)劃如何作答?

文章出處:【微信號(hào):mcuworld,微信公眾號(hào):嵌入式資訊精選】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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