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標(biāo)簽 > 蝕刻
最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版,也廣泛地被使用于減輕重量(Weight Reduction)儀器鑲板,銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工;經(jīng)過不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展,亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工,特別在半導(dǎo)體制程上,蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。
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在過去十年中,商業(yè)、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)、無線連接和一系列汽車?yán)走_(dá)的應(yīng)用已經(jīng)發(fā)展到了毫米波(24-100GHz)。毫米波應(yīng)用的這種快速增長創(chuàng)造了對帶有毫米波電路...
2022-12-09 標(biāo)簽:pcb電路板物聯(lián)網(wǎng) 2181 0
光發(fā)射器與硅電子器件的融合是許多應(yīng)用的長期挑戰(zhàn),例如芯片級光互連、片上光學(xué)系統(tǒng)、光通信芯片等。[1]. 在這些應(yīng)用中,光發(fā)射機(jī)通常被設(shè)想為鍵合到硅集成電...
在半導(dǎo)體濕法蝕刻中, 熱磷酸廣泛地用于對氮化硅的去除工藝, 實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)溫下磷酸對氮化硅蝕刻率很難控制。 從熱磷酸在氮化硅濕法蝕刻中的蝕刻原理出發(fā), 我們...
薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。更薄的模具需要裝進(jìn)更薄的包裝中。與標(biāo)準(zhǔn)的機(jī)械背磨相比,在背面使用最終的濕法蝕刻工藝而變薄的晶片的應(yīng)力更小。
幾張多層PCB電路板內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖
一般情況下,8位單片機(jī)產(chǎn)品用2層通孔板;32位單片機(jī)級別的智能硬件,使用4層-6層通孔板;Linux和Android級別的智能硬件,使用6層通孔至8一階...
正常情況下,層壓板只要熱壓高溫段超過30分鈡后,銅箔與半固化片就基本結(jié)合完全了,故壓合一般都不會(huì)影響到層壓板中銅箔與基材的結(jié)合力。但在層壓板疊配、堆垛的...
濕法蝕刻工藝的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為liquid化合物。由于采用了高選擇性化學(xué)物質(zhì)可以非常精確地適用于每一部電影。對于大多數(shù)解決方案選擇性大...
硅(Si)的深度蝕刻對于廣泛的應(yīng)用是非常理想的。在這種情況下,通過長時(shí)間的金屬輔助化學(xué)蝕刻(MACE)和短時(shí)間的氫氧化鉀蝕刻,證明了通過蝕刻375微米厚...
本次在補(bǔ)救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個(gè)因素,并使用實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(D...
目前,大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。1,2干法蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn),包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷3和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法...
本文主要闡述我們?nèi)A林科納在補(bǔ)救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個(gè)因素...
本文描述了我們?nèi)A林科納用于III族氮化物半導(dǎo)體的選擇性側(cè)壁外延的具有平面?zhèn)缺诳堂娴墓栉⒚缀图{米鰭的形成。通過濕法蝕刻取向的硅晶片生產(chǎn)鰭片。使用等離子體增...
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