半導(dǎo)體離子注入工藝講解

阱區(qū)注入的工藝說明如下圖所示，是高能量離子注入過程，因?yàn)樗枰纬哨鍏^(qū)建立MOS晶體管。NMOS晶體管形成于P型阱區(qū)內(nèi)，而P型晶體管形成于N型阱區(qū)。

2023-06-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝NMOS 7627 0

什么是離子注入？離子注入的應(yīng)用介紹

離子注入是將高能離子注入半導(dǎo)體襯底的晶格中來改變襯底材料的電學(xué)性能的摻雜工藝。通過注入能量、角度和劑量即可控制摻雜濃度和深度，相較于傳統(tǒng)的擴(kuò)散工藝更為精確。

2024-02-21 標(biāo)簽：多晶硅mems離子注入 6358 0

探討碲鎘汞紅外探測器工藝中注入溫度的影響

本文從離子注入工藝的溫度控制出發(fā)，研究了離子注入工藝中的束流、注入能量、接觸面粗糙度等因素對(duì)溫控的影響，并結(jié)合器件的I-V曲線，探究了碲鎘汞紅外探測器工...

2023-09-29 標(biāo)簽：芯片探測器紅外探測器 3440 0

半導(dǎo)體制造之離子注入工藝

旋轉(zhuǎn)圓盤與旋轉(zhuǎn)輪類似，不同之處在于旋轉(zhuǎn)圓盤不是擺動(dòng)整個(gè)圓盤，而是用掃描離子束的方式在整個(gè)晶圓表面獲得均勻的離子注入。下圖說明了旋轉(zhuǎn)圓盤系統(tǒng)。

2023-06-06 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體工藝 3024 0

離子注入工藝的工作原理

單晶硅是一種絕緣體，因此它本身并不具備導(dǎo)電性。那么，我們?cè)撊绾问顾軌驅(qū)щ娔?？讓我們來看一下硅的微觀結(jié)構(gòu)。

2024-11-04 標(biāo)簽：電源晶體工藝 2175 0

介紹離子注入在電容極板和濕法腐蝕自停止技術(shù)上的應(yīng)用

在MEMS電容式壓力傳感器、平面硅電容器和RF MEMS開關(guān)中，離子注入均有應(yīng)用。

2024-02-23 標(biāo)簽：溫度傳感器壓力傳感器PN結(jié) 1363 0

一文了解半導(dǎo)體離子注入技術(shù)

離子注入是一種將所需要的摻雜劑注入到半導(dǎo)體或其他材料中的一種技術(shù)手段，本文詳細(xì)介紹了離子注入技術(shù)的原理、設(shè)備和優(yōu)缺點(diǎn)。 ? 常見半導(dǎo)體晶圓材料是單晶硅，...

2025-01-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓離子注入 1348 0

離子注入工藝中的重要參數(shù)和監(jiān)控手段

本文簡單介紹了離子注入工藝中的重要參數(shù)和離子注入工藝的監(jiān)控手段。 在硅晶圓制造過程中，離子的分布狀況對(duì)器件性能起著決定性作用，而這一分布又與離子注入工藝...

2025-01-21 標(biāo)簽：工藝離子注入 1302 0

源漏離子注入工藝的制造流程

與亞微米工藝類似，源漏離子注入工藝是指形成器件的源漏有源區(qū)重?fù)诫s的工藝，降低器件有源區(qū)的串聯(lián)電阻，提高器件的速度。同時(shí)源漏離子注入也會(huì)形成n型和p型阱接...

2024-11-09 標(biāo)簽：晶圓工藝離子注入 1095 0

芯片離子注入后退火會(huì)引入的工藝問題

本文簡單介紹了芯片離子注入后退火會(huì)引入的工藝問題：射程末端（EOR）缺陷、硼離子注入退火問題和磷離子注入退火問題。

2025-04-23 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體工藝 526 0

半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)過程中的常用摻雜技術(shù)

在半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)過程中，精確調(diào)控材料的電阻率是實(shí)現(xiàn)器件功能的關(guān)鍵，而原位摻雜、擴(kuò)散和離子注入正是達(dá)成這一目標(biāo)的核心技術(shù)手段。下面將從專業(yè)視角詳細(xì)解析這三...

2025-07-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體硅片離子注入 105 0