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離子束

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離子束技術(shù)

一文解析離子注入的溝道效應(yīng)

什么是溝道效應(yīng)？溝道效應(yīng)是指在晶體材料中，注入的離子沿著晶體原子排列較為稀疏的方向穿透得比預(yù)期更深的現(xiàn)象。

2024-02-21 標(biāo)簽：晶體離子束 5235 0

半導(dǎo)體制造中FIB、SEM關(guān)鍵技術(shù)原理

聚焦離子束（Focused Ion beam，F(xiàn)IB）是一種利用電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的顯微切割儀器。聚焦后作用于樣品表面。

2024-01-02 標(biāo)簽：原理圖半導(dǎo)體 SEM 4638 0

一文帶你了解FIB技術(shù)

FIB技術(shù)定義聚焦離子束（FocusedIonBeam,FIB）技術(shù)是一種先進(jìn)的微納加工技術(shù)，它利用高度聚焦的離子束對(duì)材料進(jìn)行精確的加工、分析和成像。F...

2024-12-20 標(biāo)簽：材料 fib 離子束 2975 0

詳細(xì)聚焦離子束（FIB）技術(shù)

聚焦離子束（FocusedIonBeam，F(xiàn)IB）技術(shù)，堪稱(chēng)微觀世界的納米“雕刻師”，憑借其高度集中的離子束，在納米尺度上施展著加工、分析與成像的精湛技...

2025-02-18 標(biāo)簽：fib 離子源離子束 1654 0

一文詳解離子束工藝技術(shù)

　二次離子質(zhì)譜（SIMS）是一種分析方法。具有高空間分辨率和高靈敏度的工具。它使用高度聚焦的離子束（通常是氧氣或（無(wú)機(jī)樣品用銫離子）“濺射”樣品表面上選...

2022-11-22 標(biāo)簽：離子束 1462 0

聚焦離子束系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)、工作原理及聚焦離子束雙束系統(tǒng)

尺度的測(cè)量與制造納米技術(shù)，作為全球科研的熱點(diǎn)，關(guān)鍵在于其能夠在納米級(jí)別進(jìn)行精確的測(cè)量和制造。納米測(cè)量技術(shù)負(fù)責(zé)收集和處理數(shù)據(jù)，而納米加工技術(shù)則是實(shí)現(xiàn)微觀制...

2024-12-17 標(biāo)簽：測(cè)量顯微鏡離子束 1263 0

聚焦離子束(FIB)技術(shù)的特點(diǎn)、優(yōu)勢(shì)以及應(yīng)用

本文介紹了聚焦離子束（FIB）技術(shù)的特點(diǎn)、優(yōu)勢(shì)以及應(yīng)用。一、FIB 在芯片失效分析中的重要地位芯片作為現(xiàn)代科技的核心組成部分，其可靠性至關(guān)重要。而在...

2024-11-21 標(biāo)簽：芯片 fib 離子束 1141 0

不同材料的 EBSD 樣品制備方法

EBSD技術(shù)的重要地位與樣品制備基礎(chǔ)經(jīng)濟(jì)快速發(fā)展以來(lái)，電子背散射衍射技術(shù)（EBSD）便在金屬材料研究領(lǐng)域嶄露頭角，成為不可或缺的關(guān)鍵工具，有力地促進(jìn)了材...

2024-12-17 標(biāo)簽：材料金屬材料離子束 1101 0

詳細(xì)解讀——FIB-SEM技術(shù)(聚焦離子束)制備透射電鏡(TEM)樣品

子束技術(shù)概述聚焦離子束技術(shù)是一種先進(jìn)的納米加工技術(shù)，它通過(guò)靜電透鏡將離子束精確聚焦至2至3納米的束寬，對(duì)材料表面進(jìn)行精細(xì)的加工處理。這項(xiàng)技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)材料...

2024-12-25 標(biāo)簽：SEM fib 離子束 1043 0

深入解析離子束（FIB）技術(shù)在微納米加工領(lǐng)域的應(yīng)用

集成電路制造中的先進(jìn)束流技術(shù)在集成電路的制造過(guò)程中，三種先進(jìn)的束流技術(shù)——電子束、光子束和離子束技術(shù)，扮演著至關(guān)重要的角色。這些技術(shù)不僅推動(dòng)了微電子器件...

2024-11-12 標(biāo)簽：集成電路 fib 離子束 1006 0

離子束帖子

雙束電漿離子束 (Plasma FIB)

標(biāo)簽：蝕刻離子束 7739 0

FIB芯片電路修改是什么意思？

標(biāo)簽：fib 芯片電路離子束 874 0

離子束資料下載

一文看懂電子束與離子束加工工藝立即下載

類(lèi)別：電子資料 2021-03-17 標(biāo)簽：電源技術(shù)電子束離子束 2411 0

離子束資訊

電子束加工原理與主要加工裝置

電子束加工（Electron Beam Machining 簡(jiǎn)稱(chēng)EBM）起源于德國(guó)。1948年德國(guó)科學(xué)家斯特格瓦發(fā)明了第一臺(tái)電子束加工設(shè)備。它是一種利用...

2021-03-10 標(biāo)簽：電子束鍍膜離子束 2.3萬(wàn) 0

離子束加工原理

離子束加工原理和離子束加工的應(yīng)用范圍，離子束加工的特點(diǎn)。

2011-05-22 標(biāo)簽：加工原理離子束 1.8萬(wàn) 0

離子注入機(jī)的簡(jiǎn)易原理圖

本文介紹了離子注入機(jī)的相關(guān)原理。離子注入機(jī)的原理是什么？

2024-04-18 標(biāo)簽：離子束 3581 0

聚焦離子束顯微鏡(FIB-SEM)材料分析

一、FIB設(shè)備型號(hào)：Zeiss Auriga Compact 聚焦離子束顯微鏡 (FIB-SEM) 聚焦離子束(FIB)與掃描電子顯微鏡(SEM)耦合成...

2021-11-06 標(biāo)簽：SEM fib 離子束 3457 0

利用不同的安表/電壓源測(cè)量離子束

離子源用以獲得離子束的裝置。在各類(lèi)離子源中，用得最多的是等離子體離子源，即用電場(chǎng)將離子從一團(tuán)等離子體中引出來(lái)。這類(lèi)離子源的主要參數(shù)由等離子體的密度、溫度...

2011-12-16 標(biāo)簽：電壓源離子束 1421 0

聚焦離子束(FIB)加工硅材料的損傷機(jī)理及控制

???? 聚焦離子束（FIB）在材料表征方面有著廣泛的應(yīng)用，包括透射電鏡（TEM）樣品的制備。在這方面，F(xiàn)IB比傳統(tǒng)的氬離子束研磨具有許多優(yōu)勢(shì)。例如，電...

2024-12-19 標(biāo)簽：fib 離子束刻蝕 1232 0

聚焦離子束分析技術(shù)-在汽車(chē)級(jí)芯片的失效分析

質(zhì)量保證在汽車(chē)行業(yè)的重要性在汽車(chē)制造領(lǐng)域，質(zhì)量是企業(yè)的生命線，因此汽車(chē)制造商和他們的電子配件供應(yīng)商都必須對(duì)其產(chǎn)品的質(zhì)量提供嚴(yán)格的保證。這些保證通常包括時(shí)...

2024-12-13 標(biāo)簽：汽車(chē)制造汽車(chē)芯片離子束 1006 0

吉時(shí)利皮安表在離子束測(cè)量的應(yīng)用

離子束用于各種應(yīng)用場(chǎng)合，諸如，質(zhì)譜儀和離子注入機(jī)等。離子束電流通常非常?。╩A），所以需要使用靜電計(jì)或皮安表來(lái)進(jìn)行測(cè)量。今天安泰測(cè)試為大家介紹如何使...

2021-09-10 標(biāo)簽：電壓測(cè)量離子束 897 0

上海伯東IBE離子束刻蝕機(jī)介紹

IBE (Ion Beam Etching) 離子束刻蝕, 通常使用 Ar 氣體作為蝕刻氣體, 將與電子的沖擊產(chǎn)生的離子在 200~ 1000ev 的范...

2024-12-26 標(biāo)簽：離子束刻蝕機(jī) 888 0

離子束刻蝕機(jī)物理量傳感器 MEMS 刻蝕應(yīng)用

口離子束刻蝕機(jī) IBE 可以很好的解決傳感器 MEMS 的刻蝕難題, 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀, 刻蝕那些很...

2024-09-12 標(biāo)簽：傳感器 mems 離子束 710 0

離子束數(shù)據(jù)手冊(cè)

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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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74LS00是一個(gè)內(nèi)部擁有四個(gè)獨(dú)立的二輸入與非門(mén)電路，它滿(mǎn)足與非門(mén)的邏輯功能，可以實(shí)現(xiàn)與非門(mén)的邏輯功能。共有54/7400、54/74H00、54/74S00、54/74LS00。54XXX

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