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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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Microchip 碳化硅(SiC)電源管理解決方案搭配可配置數(shù)字柵極驅(qū)動技術助力實現(xiàn)“萬物電氣化”
改用 1700V MOSFET 后,SiC 技術的功率轉(zhuǎn)換優(yōu)勢已經(jīng)擴展到電動商用和重型車輛以 及輕軌牽引和輔助動力領域。這類器件支持現(xiàn)今和未來的汽車動力...
貞光科技深耕汽車電子、工業(yè)及軌道交通領域十余年,為客戶提供車規(guī)MCU、車規(guī)電容、車規(guī)電阻、車規(guī)晶振、車規(guī)電感、車規(guī)連接器等車規(guī)級產(chǎn)品和汽車電子行業(yè)解決方...
2023-01-04 標簽:碳化硅 1341 0
學技術 | 世平安森美碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品的特性與應用
一、第三代半導體介紹:首先簡單介紹一下第一、二代半導體。在半導體材料領域中,第一代半導體是「硅」(Si),第二代半導體是「砷化鎵」(GaAs),第三代半...
5.3.1.1 本征缺陷∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
5.3.1.1本征缺陷5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用...
2022-01-06 標簽:碳化硅 1314 0
10.3 器件性能比較∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
10.3器件性能比較10.2單極型器件漂移區(qū)的優(yōu)化設計第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)A...
2022-04-11 標簽:碳化硅 605 0
11.1 電力電子系統(tǒng)的介紹∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
11.1電力電子系統(tǒng)的介紹第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應用《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPG...
2022-04-14 標簽:碳化硅 741 0
10.1.6 浮空場環(huán)(FFR)終端∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
10.1.6浮空場環(huán)(FFR)終端10.1SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》...
2022-04-07 標簽:碳化硅 1076 0
10.2.2 橫向漂移區(qū)∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
10.2.2橫向漂移區(qū)10.2單極型器件漂移區(qū)的優(yōu)化設計第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)...
2022-04-11 標簽:碳化硅 572 0
9.3.1 正向?qū)J健省短蓟杓夹g基本原理——生長、表征、器件和應用》
9.3.1正向?qū)J剑?3晶閘管第9章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAP...
2022-03-30 標簽:碳化硅 470 0
9.3.5 di/dt的限制∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
9.3.5di/dt的限制9.3晶閘管第9章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPG...
2022-03-30 標簽:碳化硅 530 0
6.2.2 高溫氣體刻蝕∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.2.2高溫氣體刻蝕6.2刻蝕第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容:6.2.1反應性離子刻蝕∈《碳化硅技術基本...
2021-12-31 標簽:碳化硅 1434 0
10.2.1 垂直漂移區(qū)(SM)JTE∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
10.2.1垂直漂移區(qū)10.2單極型器件漂移區(qū)的優(yōu)化設計第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產(chǎn)品線:1、國產(chǎn)...
2022-04-09 標簽:碳化硅 545 0
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2022-03-04 標簽:碳化硅SiC MOSFET 1299 0
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