一、第三代半導(dǎo)體介紹：

首先簡單介紹一下第一、二代半導(dǎo)體。在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域中，第一代半導(dǎo)體是「硅」（Si），第二代半導(dǎo)體是「砷化鎵」（GaAs），第三代半導(dǎo)體（又稱「寬能隙半導(dǎo)體」，WBG）則是「碳化硅」（SiC）和「氮化鎵」（GaN）。

寬能隙半導(dǎo)體中的「能隙」（Energy Gap），以白話方式說明，便是代表著（一個(gè)單位能量的差距），意思就是讓一個(gè)半導(dǎo)體「從絕緣到能導(dǎo)電所需要的最低能量」。第一和二代半導(dǎo)體的硅與砷化鎵是屬于低智隙材料，能隙數(shù)值分別為1.12 eV和1.43 eV，第三代（寬能隙）半導(dǎo)體的能隙數(shù)據(jù)，SiC和GaN分別達(dá)到3.2eV、3.4eV，因此當(dāng)遇到高溫、高壓、高電流時(shí)，跟一、二代比起來，第三代半導(dǎo)體不會(huì)輕易從絕緣變成導(dǎo)電狀態(tài)，特性會(huì)更穩(wěn)定，能源轉(zhuǎn)換也更好。

隨著5G、電動(dòng)車時(shí)代來臨，科技產(chǎn)品對于高頻、高速運(yùn)算、高速充電的需求上升，硅與砷化鎵的溫度、頻率、功率已幾乎達(dá)到極限，難以再提升電量和速度；且一旦操作溫度超過100度時(shí)，前兩代產(chǎn)品更容易發(fā)生故障問題，因此無法應(yīng)用在更嚴(yán)苛的環(huán)境；

再加上全球開始重視碳排放問題，因此高能效、低能耗的第三代半導(dǎo)體成為時(shí)代下的新寵兒。第三代半導(dǎo)體在高頻狀態(tài)下仍可以維持優(yōu)異的性能和穩(wěn)定度，同時(shí)擁有開關(guān)速度快、尺寸小、散熱迅速等特性，當(dāng)芯片面積大幅減少后，也有助于簡化周邊電路設(shè)計(jì)，進(jìn)而減少整體模塊或周邊冷卻系統(tǒng)的體積。

二、SiC_MOS特性：

第三代半導(dǎo)體跟一、二代比起來最大差異就在寬能隙的特性，所以商品化的元件特性也都是環(huán)繞此特性，接下來說明一下SiC_MOS在應(yīng)用上需要注意之特性。

SiC_MOS因?yàn)閷捘芟?，所以特別適合高壓產(chǎn)品&高壓應(yīng)用，商品化元件也多在600V以上之應(yīng)用。但也因?yàn)閷捘芟短匦?，?qū)動(dòng)所需要的能量較高，一般常見為Vgs驅(qū)動(dòng)電壓多落在15~20V，比傳統(tǒng)Si MOSFET要高許多。但也因?yàn)閷捘芟短匦?，耐壓能力?qiáng)，器件可以做得更小、更薄，也不容易崩潰，且在做得更小、更薄之下，理論SiC MOSFET的相同電壓等級(jí)下之導(dǎo)通阻抗，仍會(huì)比Si MOSFET低。

另外特別說明SiC_MOS驅(qū)動(dòng)電壓目前業(yè)界有不同的標(biāo)準(zhǔn)，最佳驅(qū)動(dòng)電壓大約落在15~20V之間，也有個(gè)別廠商或產(chǎn)品需要負(fù)電壓來做關(guān)斷，且負(fù)電壓所需規(guī)格也不盡相同，在使用上需特別注意此一特性。

SiC材料因?yàn)閷捘芟短匦?，所以單位電壓較高，本體二極管的順向特性Vf比Si MOSFET較大。但是SiC材料電子飄移率高，所以本體二極管的反應(yīng)速度比較快，Trr特性較傳統(tǒng)Si MOSFET好很多，與Si-MOSFET相比可大幅降低恢復(fù)損耗。另外Si MOSFET器件的等效電容較大，可能限制其開關(guān)頻率在100kHz左右；而SiC MOSFET的工作頻率可以提升到200kHz以上，甚至達(dá)到數(shù)MHz。

三、安森美SiC_MOS系列產(chǎn)品：

安森美半導(dǎo)體，陸續(xù)推出一系列新的碳化硅SiC MOSFET裝置，適用于對于功率密度、能效和可靠性要求極高的相關(guān)應(yīng)用。設(shè)計(jì)人員可以用新的SiC裝置取代現(xiàn)有的硅開關(guān)技術(shù)，將在電動(dòng)汽車（EV）車載充電器（OBC）、太陽能逆變器、服務(wù)器電源（PSU）、電信和不斷電供應(yīng)系統(tǒng)（UPS）等不同應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)顯著的更佳性能。以下列出安森美半導(dǎo)體SiC MOS相關(guān)產(chǎn)品，陸續(xù)有新產(chǎn)品推出，最新資訊可以隨時(shí)注意官網(wǎng)信息：