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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
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發(fā)力新能源汽車和儲(chǔ)能市場(chǎng),威兆半導(dǎo)體推出新一代700V SiC MOSFET
8月27日,在Elexcon2024深圳國(guó)際電子展上,威兆半導(dǎo)體正式發(fā)布了全新一代高性能碳化硅(SiC)MOSFET HCF2030MR70KH0,這款...
國(guó)產(chǎn)器件突破1700V,功率GaN拓展更多應(yīng)用
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)GaN器件已經(jīng)在消費(fèi)電子領(lǐng)域站穩(wěn)腳跟,而在消費(fèi)電子之外,電源產(chǎn)品還有很多較大的應(yīng)用市場(chǎng),包括光伏逆變器、服務(wù)器電源、汽車領(lǐng)...
5G+大數(shù)據(jù)雙輪驅(qū)動(dòng)!服務(wù)器電源市場(chǎng)高速增長(zhǎng) 英飛凌碳化硅方案如何脫穎而出?
在整體行業(yè)綠色節(jié)能發(fā)展背景下,高密度場(chǎng)景應(yīng)用需求、能耗、資源整合等多方面的挑戰(zhàn)給當(dāng)前的數(shù)據(jù)中心產(chǎn)業(yè)提出更高的要求,因此在市場(chǎng)需求推動(dòng)下,服務(wù)器電源被要求...
寬禁帶的SiC和GaN將會(huì)是下一代功率器件的基礎(chǔ)
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的收緊和政府法規(guī)的改變是使產(chǎn)品能效更高的關(guān)鍵推動(dòng)因素。例如,數(shù)據(jù)中心正在成倍增長(zhǎng)以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應(yīng)(400千瓦時(shí))的3...
2018-07-24 標(biāo)簽:安森美半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 6602 0
被“盯上”的小米汽車:主控已被拆解,智己發(fā)布會(huì)標(biāo)錯(cuò)電機(jī)用料
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)4月8日,智己L6 車型正式發(fā)布。本應(yīng)是新品上市的“狂歡”階段,但由于標(biāo)錯(cuò)友商小米SU7的電機(jī)用料,而有了小米在線辟謠,智...
美高森美宣布推出極低電感SP6LI封裝 可同時(shí)高電流、高開(kāi)關(guān)頻率和高效率
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)...
總結(jié)國(guó)內(nèi)國(guó)內(nèi)碳化硅行業(yè)的真實(shí)現(xiàn)狀
熱度:和當(dāng)年LED差不多,但技術(shù)壁壘,比LED高幾個(gè)量級(jí); 一句話總結(jié)行業(yè)國(guó)內(nèi)主流技術(shù)方向的各個(gè)環(huán)節(jié): 1. 硅粉碳粉:不是問(wèn)題太陽(yáng)能行業(yè)還是做了不少好...
Littelfuse在2018年APEC大會(huì)上推出超低導(dǎo)通電阻1200V碳化硅MOSFET
全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Littelfuse, Inc.與從事碳化硅技術(shù)開(kāi)發(fā)的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出...
2018-03-19 標(biāo)簽:apeclittelfuse碳化硅 6314 0
去庫(kù)存效果怎樣?9家大廠中報(bào),看功率半導(dǎo)體市場(chǎng)年底走勢(shì)
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)最近,多家本土功率半導(dǎo)體廠商公布了2024上半年業(yè)績(jī)。去年乘著工業(yè)和電動(dòng)汽車市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求,功率半導(dǎo)體領(lǐng)域尤其是SiC...
新型碳化硅IGBT器件,首次成功實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通電流密度突破50A/cm2
當(dāng)前,碳化硅基功率器件面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn),現(xiàn)有的碳化硅基肖特基二極管,MOSFET等器件并不能有效地滿足實(shí)際應(yīng)用需要,對(duì)IGBT器件的需求日益迫切,必須突...
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中,由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上,可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施...
2023-02-06 標(biāo)簽:氮化鎵半導(dǎo)體制造碳化硅 6177 0
KLA持續(xù)賦能化合物半導(dǎo)體制造發(fā)展
5月23-24日 “2023半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展和機(jī)遇大會(huì)” 在蘇州召開(kāi),來(lái)自KLA LS-SWIFT部門的技術(shù)專家裴舜在會(huì)上帶來(lái)了《創(chuàng)新工藝控制為碳...
前言 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化...
世紀(jì)金光面向新能源汽車推出SiC MOSFET系列產(chǎn)品
世紀(jì)金光是國(guó)內(nèi)首家貫通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導(dǎo)體企業(yè)。產(chǎn)品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料全產(chǎn)業(yè)鏈,包括:電子級(jí)碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底...
Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET產(chǎn)品
今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是...
2018-10-23 標(biāo)簽:MOSFET肖特基二極管Littelfuse 6084 0
盤點(diǎn)4月份上市輔導(dǎo)的半導(dǎo)體企業(yè)
據(jù)電子發(fā)燒友網(wǎng)統(tǒng)計(jì),在半導(dǎo)體行業(yè),2023年一月份上市輔導(dǎo)企業(yè)數(shù)量達(dá)15家,但到了2月份顯著降至2家,3月份更是降至1家。近日,4月份剛剛結(jié)束,經(jīng)盤點(diǎn)發(fā)...
中車時(shí)代:車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體技術(shù)挑戰(zhàn)與整體解決方案
電驅(qū)和電控向大功率等級(jí)方向發(fā)展,短時(shí)峰值功率輸出能力越來(lái)越高,實(shí)現(xiàn)更好的用戶體驗(yàn) 電驅(qū)和電控向高功率密度方向發(fā)展,節(jié)省整車空間,降低整車重量
2023-10-17 標(biāo)簽:新能源汽車功率半導(dǎo)體碳化硅 6007 0
Power Integrations發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC
Power Integrations 近日發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC。該IC采用了1250V的PowiGaN開(kāi)關(guān)技術(shù)。InnoS...
碳化硅器件制造工藝與傳統(tǒng)硅基制造工藝有什么區(qū)別
碳化硅作為一種化合物半導(dǎo)體,在自然界中極其稀有,以礦物莫桑石的形式出現(xiàn)。目前世界上銷售的碳化硅幾乎都是人工合成的。碳化硅具有硬度高、熱導(dǎo)率高、熱穩(wěn)定性好...
深圳市納設(shè)智能裝備有限公司完成了數(shù)千萬(wàn)元天使輪融資
納設(shè)智能成立于2018年10月,坐落在深圳市光明區(qū)留學(xué)人員創(chuàng)業(yè)園,近期已通過(guò)國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)初步認(rèn)定。公司擁有一支包括頂級(jí)科學(xué)家在內(nèi)的研發(fā)團(tuán)隊(duì),致力于第...
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