碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

碳化硅解決方案滿足了依賴半導(dǎo)體的可再生能源系統(tǒng)的所有需求，因?yàn)樗鼈兛梢蕴岣吖β拭芏?、降低開(kāi)關(guān)損耗和開(kāi)關(guān)頻率。Wolfspeed 碳化硅解決方案使太陽(yáng)能功...

2023-05-24 標(biāo)簽：太陽(yáng)能半導(dǎo)體碳化硅 997 0

碳化硅上的氮化鎵是唯一可行的長(zhǎng)期5G解決方案

5G還圍繞提供滿足帶寬、延遲和數(shù)據(jù)速度新要求的連接所需的技術(shù)和基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計(jì)帶來(lái)了新的思維。它不僅需要在宏觀層面實(shí)現(xiàn)致密化——這意味著更多的基站——還需要...

2023-05-24 標(biāo)簽：GaN 碳化硅 5G 853 0

車載充電機(jī)OBC原理及樣機(jī)拆機(jī)分析

該方案由一個(gè)升壓電感器、兩個(gè)高頻升壓 SiC 開(kāi)關(guān)（SiC1 和 SiC2）和兩個(gè)用于在電路上傳導(dǎo)電流的元件組成，線路可以是兩個(gè)慢速二極管。（A）顯示了...

2023-05-24 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 PFC 碳化硅 6089 0

碳化硅：成功的純電動(dòng)汽車動(dòng)力總成的基礎(chǔ)

碳化硅更高的開(kāi)關(guān)頻率和更低的固有損耗提高了系統(tǒng)效率。在雙向板載充電器中，SiC 支持使用圖騰柱 PFC 拓?fù)?，與基于 Si 的器件相比，該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)非常高...

2023-05-24 標(biāo)簽：充電器 PFC 碳化硅 1060 0

碳化硅電源的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

碳化硅（SiC）是一種成熟的器件技術(shù)，在 900 V 至 1，200 V 以上的高壓、高開(kāi)關(guān)頻率應(yīng)用中，與硅（Si）技術(shù)（包括硅超結(jié) （SJ） ...

2023-05-24 標(biāo)簽：IGBT 晶體管碳化硅 1728 0

碳化硅功率器件在新能源汽車中的優(yōu)勢(shì)

碳化硅功率器件已應(yīng)用于電動(dòng)汽車內(nèi)部的關(guān)鍵電力系統(tǒng)，包括牽引逆變器、車載充電器(OBC)和DC-DC轉(zhuǎn)換器。

2023-05-24 標(biāo)簽：新能源汽車逆變器 DC-DC轉(zhuǎn)換器 761 0

關(guān)于碳化硅的一些分享

理想比導(dǎo)通電阻的一個(gè)關(guān)系式，其中WD是滿足所需擊穿電壓BV的漂移區(qū)的厚度，q是電子電荷，ND是漂移區(qū)的摻雜濃度，μn是電子遷移率，εn是半導(dǎo)體介電常數(shù)，...

2023-05-23 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 肖特基二極管 1986 0

柵極驅(qū)動(dòng)器以及SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)

碳化硅（SiC）MOSFET 的使用促使了多個(gè)應(yīng)用的高效率電力輸送，比如電動(dòng)車快速充電、電源、可再生能源以及電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。

2023-05-22 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 2266 0

SiC動(dòng)態(tài)表征和測(cè)量方法

碳化硅（SiC）技術(shù)為電源、電動(dòng)汽車和充電、大功率工業(yè)設(shè)備、太陽(yáng)能應(yīng)用和數(shù)據(jù)中心等多個(gè)行業(yè)顯著提高了功率傳輸和管理性能。

2023-05-22 標(biāo)簽：MOSFET 寄生電感體二極管 2347 0

借助SpeedFit設(shè)計(jì)仿真軟件縮短比較分析的時(shí)間

相較于基于硅（Si）或絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）之類的傳統(tǒng)技術(shù)，碳化硅（SiC）元件擁有明顯的優(yōu)點(diǎn)，因此很多應(yīng)用都能從運(yùn)用 SiC 器件中獲益。

2023-05-22 標(biāo)簽：IGBT 晶體管 SiC 783 0

超共源共柵簡(jiǎn)史

這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布，該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭...

2023-05-22 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 471 0

使用SpeedFit 2.0設(shè)計(jì)模擬器快速啟動(dòng)基于碳化硅的設(shè)計(jì)

了解電源中碳化硅（SiC） MOSFET 和肖特基二極管的在線行為是設(shè)計(jì)過(guò)程中的關(guān)鍵組件。與硅基技術(shù)相比，作為一項(xiàng)相對(duì)較新的技術(shù)，可視化這些碳化硅組件...

2023-05-20 標(biāo)簽：電源 MOSFET 碳化硅 2056 0

使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)無(wú)底板封裝的碳化硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)升級(jí)

本文探討了全新的 Wolfspeed WolfPACK 系列無(wú)碳化硅無(wú)基板功率模塊，并展示了這種多功能且可擴(kuò)展的模塊方法如何實(shí)現(xiàn)當(dāng)前硅（Si）設(shè)計(jì)的...

2023-05-20 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 1156 0

有效測(cè)量碳化硅信號(hào)

SiC器件市場(chǎng)涵蓋廣泛的功率和應(yīng)用（電動(dòng)汽車充電，太陽(yáng)能和風(fēng)能等能量收集，電源逆變器，工業(yè)電源，數(shù)據(jù)中心）。在低端（1–50 kW），分立式 MOSF...

2023-05-20 標(biāo)簽：晶體管 SiC 碳化硅 1198 0

中等功率應(yīng)用是Wolfspeed WolfPACK功率模塊“最理想的應(yīng)用場(chǎng)合”

經(jīng)過(guò) 30 多年的碳化硅（SiC）研發(fā)，我們目前的產(chǎn)品組合中包含各種 SiC 肖特基二極管、MOSFET 和功率模塊，涵蓋了廣泛的功率要求。相較于硅（S...

2023-05-20 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器晶體管碳化硅 1754 0

SiC模塊開(kāi)啟電機(jī)驅(qū)動(dòng)器更高功率密度

牽引驅(qū)動(dòng)器是電動(dòng)汽車（EV）幾乎所有能量的消耗源。因此，驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)必須盡可能提高效率，同時(shí)以最低重量占用最小空間 — 這些均旨在盡可能提高電動(dòng)汽車的續(xù)航能力。

2023-05-19 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)器 IGBT 1399 0

SiC賦能更為智能的半導(dǎo)體制造/工藝電源

半導(dǎo)體器件的制造流程包含數(shù)個(gè)截然不同的精密步驟。無(wú)論是前道工藝還是后道工藝，半導(dǎo)體制造設(shè)備的電源都非常重要。

2023-05-19 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換器 SiC 半導(dǎo)體器件 941 0

碳化硅將綠色替代品帶入良性循環(huán)

太陽(yáng)能架構(gòu)通常分為三種配置。在住宅層面，微型逆變器支持1-4個(gè)面板塊。組串式逆變器將面板集群從幾千瓦聚合到大約 50 kW。從 50 kW 到 200 ...

2023-05-19 標(biāo)簽：太陽(yáng)能逆變器碳化硅 1024 0

企業(yè)數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施中碳化硅的使用使氣候和商業(yè)受益

碳化硅是一種復(fù)雜的材料，需要太陽(yáng)溫度一半的受控環(huán)境和高度專業(yè)化的晶體結(jié)構(gòu)。它是人類已知的第二硬材料，在200+種可能的晶體形成中，只有一種可以用來(lái)制造半...

2023-05-19 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體碳化硅 647 0

Wolfspeed不斷發(fā)展以應(yīng)對(duì)供應(yīng)挑戰(zhàn)并推出高性能Gen 3+芯片

碳化硅（SiC）長(zhǎng)期以來(lái)一直被稱為功率器件的理想半導(dǎo)體技術(shù)，通過(guò)設(shè)計(jì)和制造創(chuàng)新，通過(guò)提供更高的功率密度，更好的高速開(kāi)關(guān)性能，更高的擊穿場(chǎng)，更高的導(dǎo)熱性，...

2023-05-19 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車晶圓碳化硅 1675 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開(kāi)發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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碳化硅

碳化硅技術(shù)

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