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碳化硅:成功的純電動(dòng)汽車動(dòng)力總成的基礎(chǔ)

星星科技指導(dǎo)員 ? 來源:wolfspeed ? 作者:wolfspeed ? 2023-05-24 09:33 ? 次閱讀
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電動(dòng)汽車動(dòng)力總成

我們向全電動(dòng)交通的驅(qū)動(dòng)力得益于強(qiáng)大、輕便和高效的電池供電電動(dòng)汽車 (BEV) 動(dòng)力系統(tǒng)。動(dòng)力總成(圖1)包括:

帶有AC/DC轉(zhuǎn)換器的車載充電器,可將電網(wǎng)電源轉(zhuǎn)換為DC中間電壓,以及DC/DC模塊,可將DC轉(zhuǎn)換為電池快速充電所需的電壓。充電器還將再生制動(dòng)收集的能量引導(dǎo)至電池。理想情況下,它應(yīng)該是雙向的,以允許它利用未來的智能電網(wǎng),并根據(jù)需要將能量輸送回電網(wǎng)或家庭。

電池組。

逆變器,它是為電機(jī)供電的傳動(dòng)系統(tǒng)的一部分,通常是永磁同步電機(jī)(PMSM)或感應(yīng)電機(jī)。

BEV市場的成功取決于汽車制造商解決客戶的“里程焦慮”。為了增加BEV的續(xù)航里程或兩次充電之間的距離,汽車制造商可以增加電池尺寸,提高系統(tǒng)效率,減輕重量,或?qū)嵤┧羞@些選項(xiàng)的組合。

然而,額外的電池容量會(huì)增加BEV的重量和成本。因此,減輕動(dòng)力總成系統(tǒng)的重量并提高其效率可以進(jìn)一步增加BEV的續(xù)航里程或控制成本。

這方面的關(guān)鍵使能技術(shù)是碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)的硅 (Si) 技術(shù)相比,SiC 器件提供:

導(dǎo)通態(tài)壓降比硅低 2× 至 3×

在關(guān)斷狀態(tài)下的給定溫度下,漏電流低于Si

切換期間的邊沿速率更高,因?yàn)槭嵌鄶?shù)載波器件

擊穿場比 Si 高 10×,允許 SiC 器件在同一封裝中承受更高的電壓

更高的導(dǎo)熱性可在更高的芯片溫度下安全運(yùn)行

減重

將動(dòng)力總成部件保持在安全工作溫度范圍內(nèi)所需的冷卻系統(tǒng)大大增加了BEV必須始終行駛的重量。碳化硅的高導(dǎo)熱性有助于更快地帶走熱量,而SiC器件在較高溫度下工作的能力減輕了熱解決方案的壓力。

碳化硅器件的工作開關(guān)頻率比硅器件高 100× 至 1,000×。這減小了轉(zhuǎn)換器所需的磁性元件的尺寸,從而進(jìn)一步減小了系統(tǒng)尺寸和重量。

例如,BEV的硅基傳動(dòng)系統(tǒng)可能超過15公斤。眾所周知,基于SiC的高性能逆變器可減輕6公斤的重量和43%的體積。四

提高效率

碳化硅更高的開關(guān)頻率和更低的固有損耗提高了系統(tǒng)效率。在雙向板載充電器中,SiC 支持使用圖騰柱 PFC 拓?fù)洌c基于 Si 的器件相比,該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)非常高效且具有成本效益。DC/DC 側(cè)將開關(guān)頻率納入 150kHz 至 300kHz 范圍,比基于 Si 的電路快 3×。

這種 6.6 kW 充電器的參考設(shè)計(jì)使用 16 個(gè) SiC MOSFET,例如 Wolfspeed 最新的碳化硅系列,以實(shí)現(xiàn)超過 96% 的峰值效率。5

革新逆變器設(shè)計(jì)

傳動(dòng)系統(tǒng)是一項(xiàng)具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用,因?yàn)樗幚淼墓β史秶鷱?90 kW 到 350 kW 以上,并且沒有行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。然而,SiC的高效率、更小尺寸和更輕重量的優(yōu)點(diǎn)可以擴(kuò)展到BEV傳動(dòng)系統(tǒng)中的逆變器,這已經(jīng)通過測試得到了很好的證明。

根據(jù)德爾福對基于SiC和IGBT的30 kW逆變器的基準(zhǔn)比較,碳化硅技術(shù)可將系統(tǒng)尺寸縮小多達(dá)80%,損耗降低多達(dá)200%,并降低系統(tǒng)成本。6 由于BEV在道路上的大部分時(shí)間都不是在最佳滿載條件下行駛的,因此損失的減少進(jìn)一步增加了續(xù)航里程的重要性。

在 300 kW 的更高功率下進(jìn)行的另一項(xiàng)比較表明,CRD300DA12E-XM3 基于 SiC 的逆變器僅重 6.2 kg,而 14.06 kg Si 基設(shè)計(jì),并且提供 32.25 kW/L 的體積功率密度,而 Si 的 3.2 kW/L.7

然而,革命超越了功率密度。碳化硅具有更快的開關(guān)速度、更低的死區(qū)時(shí)間以及更小的壓降和輸出電容,從而降低了相電壓失真和帶寬。除了逆變器級(jí)優(yōu)勢外,基于SiC MOSFET的設(shè)計(jì)還會(huì)影響電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)性能特性,例如提供更快的響應(yīng),以及與基于硅的實(shí)現(xiàn)方案相比,具有更高的相對穩(wěn)定性和魯棒性。8

助力純電動(dòng)汽車市場

毫不奇怪,功率SiC市場繼續(xù)增長,預(yù)計(jì)到3年將超過2025億美元大關(guān),同比增長率高于13%,主要由電動(dòng)汽車市場推動(dòng)。9

從快速充電的車載外基礎(chǔ)設(shè)施到BEV動(dòng)力總成,SiC技術(shù)正在迅速證明自己不僅是革命性的,而且是基礎(chǔ)性的,因?yàn)樗鼛椭囍圃焐套罱K解決了消費(fèi)者的里程焦慮。

審核編輯:郭婷

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