納微半導(dǎo)體3.3kV碳化硅MOSFETs如何變革并網(wǎng)儲能方式

電網(wǎng)通過輸電和配電網(wǎng)絡(luò)從發(fā)電機向用戶提供電能。在美國，由于儲能成本高昂并且設(shè)計和運營經(jīng)驗有限，利用電力儲存來支持和優(yōu)化輸配電一直受到限制。

2023-09-15 標(biāo)簽：MOSFET逆變器碳化硅 1224 0

如何最大限度地提高SiC MOSFET性能呢？

在高功率應(yīng)用中，碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項優(yōu)勢。其中包括更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗以及更好的高溫性能。

2023-09-11 標(biāo)簽：MOSFETIGBT寄生電容 1268 0

碳化硅為什么如此火爆呢

隨著新能源汽車市場的爆發(fā)，電動汽車已經(jīng)成為碳化硅最大的下游應(yīng)用市場，行業(yè)普遍預(yù)估，2027年車用碳化硅功率器件市場規(guī)模能達到60億美元。

2023-09-11 標(biāo)簽：逆變器功率器件SiC 634 0

SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別是什么

相對于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關(guān)關(guān)斷時的損耗，實現(xiàn)了高頻率工作，有助于應(yīng)用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET，導(dǎo)通電阻較小，可減...

2023-09-11 標(biāo)簽：MOSFET元器件導(dǎo)通電阻 3836 0

IGBT的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用

雖然有些人可能將 IGBT 視為“傳統(tǒng)”技術(shù)，但它在高功率應(yīng)用中仍然發(fā)揮著重要作用。

2023-09-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IGBTSiC 1424 0

晶圓靜電吸附（ESC）詳解

什么是真空吸盤？ 晶圓真空吸盤通常由堅硬的表面構(gòu)成，表面上有許多小孔或通道。通過這些小孔，吸盤可以與真空泵連接，從而產(chǎn)生真空效應(yīng)。

2023-09-08 標(biāo)簽：晶圓溫度控制芯片封裝 4986 0

碳化硅（SiC）相較于硅（Si）有哪些優(yōu)勢！

硅碳化物(SiC)技術(shù)已經(jīng)達到了臨界點，即無可否認的優(yōu)勢推動一項技術(shù)快速被采用的狀態(tài)。

2023-09-07 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅 2354 0

碳化硅設(shè)計創(chuàng)新以實現(xiàn)綠色能源發(fā)電的轉(zhuǎn)型

推動電動汽車市場發(fā)展的綠色意識和法規(guī)推動了電池技術(shù)和基于碳化硅的設(shè)計的創(chuàng)新，以實現(xiàn)綠色能源發(fā)電的轉(zhuǎn)型。

2023-09-07 標(biāo)簽：電動汽車太陽能電池電池充電器 461 0

SiC相較于Si的優(yōu)勢是什么？碳化硅的實際應(yīng)用優(yōu)勢

如今，大多數(shù)半導(dǎo)體都是以硅（Si）為基材料，但近年來，一個相對新的半導(dǎo)體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅，也稱為SiC。目前，SiC主要應(yīng)用于M...

2023-09-05 標(biāo)簽：二極管太陽能半導(dǎo)體 1964 0

山大與南砂晶圓團隊在8英寸SiC襯底位錯缺陷控制方面的突破

碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料, 具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率、強化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)良特性

2023-08-31 標(biāo)簽：電動汽車SiC碳化硅 1246 0

一種基于實際頻率測量的多頻方法來構(gòu)建復(fù)頻率光波

超透鏡Superlenses是由等離子體激元材料和超材料制成的，并在亞衍射尺度上，實現(xiàn)特征成像。

2023-08-31 標(biāo)簽：傳感器衰減器SiC 1386 0