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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

      +關(guān)注25人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。

      文章：2533個(gè) 瀏覽：50477次 帖子：38個(gè)

      碳化硅技術(shù)

      碳化硅發(fā)展生逢其時(shí)

      *文末有禮 碳化硅（SiC) 正在改變?nèi)祟?lèi)能源控制和轉(zhuǎn)換的方式，帶來(lái)一場(chǎng)顛覆性變革。電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源、儲(chǔ)能和不間斷電源等許多應(yīng)用都能通過(guò)SiC實(shí)現(xiàn)性...

      2024-03-04 標(biāo)簽：晶圓SiC碳化硅 962 0

      具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢(shì)壘二極管設(shè)計(jì)

      具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢(shì)壘二極管設(shè)計(jì)

      北京工業(yè)大學(xué)和中國(guó)北京大學(xué)報(bào)道了碳化硅襯底（GaN/SiC）上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）的性能

      2024-02-19 標(biāo)簽：SBDSiCGaN 2116 0

      SiC功率元器件特征有哪些

      碳化硅（SiC）功率元器件是一種半導(dǎo)體器件，具有許多獨(dú)特的特性，使其在高性能電力電子應(yīng)用中具有優(yōu)勢(shì)。以下是SiC功率元器件的一些主要特征： 碳化硅（Si...

      2024-02-04 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1106 0

      淺談碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程

      碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程主要包括前道的晶圓加工，包括長(zhǎng)晶、切割、研磨拋光、沉積外延；第二部分芯片加工，這部分跟硅基IGBT類(lèi)似。

      2024-01-25 標(biāo)簽：晶圓功率半導(dǎo)體碳化硅 1622 0

      深度解讀第三代半導(dǎo)體—碳化硅

      深度解讀第三代半導(dǎo)體—碳化硅

      碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。

      2024-01-24 標(biāo)簽：二極管MOSFET半導(dǎo)體 4342 0

      碳化硅晶片的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)研究

      碳化硅晶片的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)研究

      為實(shí)現(xiàn)碳化硅晶片的高效低損傷拋光，提高碳化硅拋光的成品率，降低加工成本，對(duì)現(xiàn)有的碳化硅化學(xué)機(jī)械拋光 技術(shù)進(jìn)行了總結(jié)和研究。針對(duì)碳化硅典型的晶型結(jié)構(gòu)及其微...

      2024-01-24 標(biāo)簽：SiC晶片碳化硅 3275 0

      一文詳解MEMS高溫壓力傳感器

      一文詳解MEMS高溫壓力傳感器

      高溫壓力傳感器廣泛應(yīng)用于工業(yè)、航空航天等領(lǐng)域，用來(lái)監(jiān)測(cè)航空發(fā)動(dòng)機(jī)、重型燃?xì)廨啓C(jī)、燃煤燃?xì)忮仩t等動(dòng)力設(shè)備燃燒室內(nèi)的壓力，耐高溫和高可靠性是對(duì)其最基本的要求。

      2024-01-23 標(biāo)簽：多晶硅mems壓力傳感器 5907 0

      碳化硅的激光切割技術(shù)介紹

      碳化硅的激光切割技術(shù)介紹

      晶片切割是半導(dǎo)體器件制造的關(guān)鍵步驟，切割方式和質(zhì)量直接影響晶片的厚度、表面光滑度、尺寸和生產(chǎn)成本，同時(shí)對(duì)器件制造也有重大影響。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料...

      2024-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片激光切割技術(shù) 6651 0

      SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢(shì)

      SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢(shì)

      碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿(mǎn)足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。

      2024-01-20 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)MOSFET晶體管 1622 0

      半導(dǎo)體襯底材料的選擇

      電子科技領(lǐng)域中，半導(dǎo)體襯底作為基礎(chǔ)材料，承載著整個(gè)電路的運(yùn)行。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體襯底材料的選擇和應(yīng)用要求也越來(lái)越高。本文將為您詳細(xì)介紹半導(dǎo)體襯...

      2024-01-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體襯底碳化硅 2495 0

      100kW碳化硅三相并網(wǎng)逆變器設(shè)計(jì)

      100kW碳化硅三相并網(wǎng)逆變器設(shè)計(jì)

      摘要：隨著人們環(huán)保意識(shí)的不斷提高，傳統(tǒng)的化石能源越來(lái)越無(wú)法滿(mǎn)足人們的要求，以太陽(yáng)能為代表的可再生新能源逐漸引起人們的關(guān)注。而并網(wǎng)逆變器作為新能源與電網(wǎng)連...

      2024-01-19 標(biāo)簽：逆變器IGBT晶體管 2918 0

      碳化硅晶片為什么存在C面和Si面

      碳化硅晶片為什么存在C面和Si面

      SiC是一種Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本結(jié)構(gòu)單元為 Si-C 四面體。

      2024-01-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC晶片 2563 0

      碳化硅功率器件的應(yīng)用與市場(chǎng)前景

      碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子飽和漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。本文將對(duì)碳化硅功...

      2024-01-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1067 0

      碳化硅單晶襯底的常用檢測(cè)技術(shù)

      碳化硅單晶襯底的常用檢測(cè)技術(shù)

      碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，因其寬禁帶寬度、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，在眾多高端應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出色，已成為半導(dǎo)體材料技術(shù)的重要發(fā)展方向...

      2024-01-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管SiC 3517 0

      半導(dǎo)體碳化硅(SiC)行業(yè)研究

      半導(dǎo)體碳化硅(SiC)行業(yè)研究

      第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)越，應(yīng)用場(chǎng)景更廣。半導(dǎo)體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的 基礎(chǔ)，經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應(yīng)用場(chǎng)景提出更高的要求，以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三...

      2024-01-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 1486 0

      晶圓級(jí)立方碳化硅單晶生長(zhǎng)研究進(jìn)展

      晶圓級(jí)立方碳化硅單晶生長(zhǎng)研究進(jìn)展

      碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，在新能源汽車(chē)、光伏和5G通訊等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用。與目前應(yīng)用廣泛的4H-...

      2024-01-16 標(biāo)簽：晶圓晶體管SiC 1162 0

      碳化硅特色工藝模塊簡(jiǎn)介

      碳化硅特色工藝模塊簡(jiǎn)介

      碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)。由于這些優(yōu)異的性能，碳化硅在電力電子、微波射頻、光...

      2024-01-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 1238 0

      碳化硅升華生長(zhǎng)溫度測(cè)控研究

      碳化硅升華生長(zhǎng)溫度測(cè)控研究

      摘要：通過(guò)調(diào)節(jié)中頻感應(yīng)線(xiàn)圈的輸出功率來(lái)改變碳化硅升華生長(zhǎng)坩堝的加熱溫度，并采用 NaCl 和 Al2O3 進(jìn)行燒結(jié)實(shí)驗(yàn)，觀察不同輸出功率下燒結(jié)后的形貌變...

      2024-01-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 1190 0

      碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展趨勢(shì)

      碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展趨勢(shì)

      隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為新一代半導(dǎo)體材料，正在引發(fā)一場(chǎng)革命。與傳統(tǒng)的硅（Si）器件相比，碳化硅器件具有更高的耐壓、更低的...

      2024-01-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 2421 0

      碳化硅相對(duì)傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體有什么有缺點(diǎn)

      碳化硅（SiC）和傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體（Si）是兩種常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料，它們?cè)陔娮悠骷圃熘芯哂袕V泛的應(yīng)用。然而，碳化硅相對(duì)于傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體具有一定的優(yōu)缺點(diǎn)。 優(yōu)點(diǎn)...

      2024-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料器件碳化硅 2849 0

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        從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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        TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷(xiāo)售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶(hù)、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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        Cortex-A
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        Mobileye
        +關(guān)注
        Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS） 的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶(hù)端功能，例如車(chē)道偏離警告 （LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車(chē)輛探測(cè)、前部碰撞警告 （FCW）、車(chē)距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制 （IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別 （TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制 （ACC） 等。
      • CC2541
        CC2541
        +關(guān)注
        CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC） 解決方案。
      • 超級(jí)本
        超級(jí)本
        +關(guān)注
        超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類(lèi)筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
      • G3-PLC
        G3-PLC
        +關(guān)注
      • PFM
        PFM
        +關(guān)注
        壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
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      jf_87116849 jf_67264171 五星之光 jf_61424177 jf_84414472 jf_35884078 Ward_Elmos asdfdA RobinDong jf_59050084 jf_51964073 jf_44626178

      編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題

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