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碳化硅發(fā)展生逢其時

工程師看海 ? 來源:工程師看海 ? 作者:工程師看海 ? 2024-03-04 18:29 ? 次閱讀
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*文末有禮

碳化硅(SiC) 正在改變?nèi)祟惸茉纯刂坪娃D(zhuǎn)換的方式,帶來一場顛覆性變革。電動汽車、可再生能源、儲能和不間斷電源等許多應(yīng)用都能通過SiC實現(xiàn)性能的飛躍,使用SiC帶來的長期成本效益極為可觀。

SiC緣何成為時代的寵兒?

因為SiC提供了比硅基晶體管更高的效率。 安森美工業(yè)SiC功率模塊和分立器件高級產(chǎn)品經(jīng)理John Harper為我們詳細(xì)詮釋了SiC的硬實力。 能源的轉(zhuǎn)化和控制包括交直電轉(zhuǎn)換或直流電的高低壓轉(zhuǎn)換。每次能量轉(zhuǎn)換都會產(chǎn)生損耗,以往使用的主要半導(dǎo)體元件是硅基二極管MOSFET。而使用SiC器件可以提高效率,減少損耗。

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這是因為SiC的導(dǎo)通電阻比硅低數(shù)百倍,電阻越小,壓降越低,意味著更低的功率損失和更少的熱耗散。由于導(dǎo)通損失和開關(guān)損耗較低,SiC器件可以在更高的頻率下工作。這些優(yōu)點疊加讓SiC器件尺寸更小,同時不犧牲功率性能。 最渴望降低損耗的三個關(guān)鍵應(yīng)用是:電動汽車、可再生能源和轉(zhuǎn)換儲存的能量。 電動汽車使用儲存的能量來產(chǎn)生動能,交流信號的幅度和頻率控制著電動機輸送的能量,在這些轉(zhuǎn)換階段使用SiC,能提高開關(guān)效率,并最大限度地提高車輛電池中儲存的能量。電動汽車是SiC的最大受益者,SiC能提高續(xù)航能力,同時讓電池更小。原因很簡單:SiC在兩個方向上都有很好的導(dǎo)電性,IGBT則不能。駕駛電動汽車不是在 100% 的負(fù)載下行駛,而是在 10%左右運行,在這種輕負(fù)載情況下,SiC的反向傳導(dǎo)可真正發(fā)揮作用。而超級結(jié)MOSFET的體二極管開關(guān)性能非常差,所以它們很少被用于電機應(yīng)用。電動車充電樁為電池充電時,一直以100%的負(fù)荷運行,這正是1200V SiC MOSFET的低開關(guān)損耗發(fā)揮作用的地方,減少損耗,提高效率,讓電動車充電器更容易冷卻。

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可再生能源采用直流電壓,將其轉(zhuǎn)換為交流電并供給電網(wǎng),直流到交流的轉(zhuǎn)換需要高效的開關(guān)功率,才能最大限度地捕獲能量。陽能逆變器由多個模塊化機柜組成,希望在相同機柜尺寸下得到更高的功率。假設(shè)系統(tǒng)總功率需要達(dá)到2.5兆瓦,而一個機柜為250KVA,需要10個機柜。使用SiC,就可以提高開關(guān)頻率,將單機柜功率提升至350 KVA,只需8個機柜,SiC可大大減少太陽能逆變器中電感器的尺寸、重量和安裝成本。 停電時,儲能系統(tǒng)可以保持世界的正常運轉(zhuǎn),電力轉(zhuǎn)換設(shè)備盡可能用最高效率將儲存的能量轉(zhuǎn)化為交流電。儲能系統(tǒng)、UPS、電解器、燃料電池逆變器系統(tǒng)都受益于SiC。比如幾乎所有新UPS設(shè)計都使用SiC,以減少逆變器的損耗,從而大大降低散熱成本。

中壓電網(wǎng)”系統(tǒng)多為10千伏、20千伏左右的交流電,需要采用固態(tài)變壓器將其轉(zhuǎn)換為直流電,用于電動車充電站或使用直流電的數(shù)據(jù)中心,這些系統(tǒng)也都受益于1700V、2000V級別的SiC器件。

安森美能做什么

安森美的SiC二極管、MOSFET和模塊系列經(jīng)過優(yōu)化,極為適合維也納整流拓?fù)洹?a target="_blank">DC-DC固態(tài)繼電器、牽引和電機驅(qū)動、PFC、硬開關(guān)和輸出整流。對于需要最高功率密度的應(yīng)用,安森美提供了全系列的SiC產(chǎn)品。端到端的供應(yīng)鏈意味著安森美可以在設(shè)計和制造的每個關(guān)鍵階段,實現(xiàn)成本優(yōu)化。 全系列產(chǎn)品 安森美提供額定電壓為600V、1200V和1700V的SiC MOSFET,額定電壓為650V、1700V和1200V的SiC二極管,額定電壓為1200伏的SiC模塊,為太陽能市場提供豐富的SiC混合模塊組合。最近發(fā)布的28毫歐1700伏 SiC MOSFET有D2PAK和TO-247兩種封裝。M3系列1200V SiC MOSFET 也在擴展,30毫歐、40毫歐和70毫歐等型號很快就會有樣品。安森美全系列的新SiC MOSFET驅(qū)動,可以和SiC MOSFET配套,讓客戶加快設(shè)計進(jìn)程。 安森美還通過豐富的應(yīng)用和建模經(jīng)驗,為用戶挑選合適的SiC產(chǎn)品,確保在終端應(yīng)用中運行可靠,并適合制造和量產(chǎn)。 端到端的供應(yīng)鏈 安森美是唯一一家擁有完整端到端SiC供應(yīng)鏈的半導(dǎo)體制造商,從原材料到最終成品,從襯底到模塊全覆蓋,質(zhì)量控制貫穿所有環(huán)節(jié),確保對SiC產(chǎn)品的質(zhì)量和供應(yīng)都有控制。安森美所有器件都通過可靠性測試(高達(dá)175攝氏度)、全范圍電壓測試、百分百雪崩測試和嚴(yán)格的老化過程,以確保排除早期故障,提高SiC制程工藝的整體質(zhì)量。

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第一步,用原材料生長出SiC晶錠,然后通過一系列制造步驟將其轉(zhuǎn)化為晶圓,在每個晶圓頂部添加一個外延層,或稱EPI。在SiC成品器件中,這個外延層給予產(chǎn)品所需的額定電壓。例如,750V或1200V用于電動汽車,1200V或1700V用于太陽能逆變器應(yīng)用。 晶圓準(zhǔn)備好后,可以制成SiC MOSFET或二極管晶圓,制造過程中需要測試完成的晶圓,以檢測所有可能改變其性能的潛在缺陷,它們被切成小塊后組裝成模塊或分立器件,再進(jìn)行測試和包裝后才發(fā)貨。安森美通過智能工廠自動化跟蹤原始SiC晶圓制造過程中的輕微異常。甚至在產(chǎn)品通過初步質(zhì)量檢控之后,也能跟蹤,確保不會交付任何有質(zhì)量缺陷的器件。 安森美不但致力于SiC產(chǎn)品技術(shù)創(chuàng)新,還積極投資,不斷擴大產(chǎn)能,最近收購了GT advanced technologies,以滿足SiC產(chǎn)品不斷增長的需求。

登陸電堂安富利子站,了解SiC帶來的超能力以及安森美和安富利如何共同加速推進(jìn)SiC技術(shù)創(chuàng)新和應(yīng)用落地。

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登陸有獎

活動時間:即日起-3月31日

活動規(guī)則:

1、認(rèn)真填寫訂閱信息并登陸安富利子站瀏覽任意技術(shù)文檔或者觀看視頻的前500名行業(yè)電子工程師將獲得10元京東E卡。

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2、獲獎名單活動結(jié)束后通過電堂微信公眾號發(fā)文公布獲獎名單。

溫馨提示:

1、本活動僅限電子行業(yè)電子工程師參與(非行業(yè)從業(yè)人員及學(xué)生不予發(fā)獎)

2、本活動最終解釋權(quán)歸電堂所有。

END

審核編輯 黃宇

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