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標簽 > 白光干涉儀
干涉儀是一種對光在兩個不同表面反射后形成的干涉條紋進行分析的儀器。其基本原理就是通過不同光學(xué)元件形成參考光路和檢測光路。
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引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻圖形的垂直度對器件的電學(xué)性能、集成密度以及可靠性有著重要影響。精準控制光刻圖形垂直度是保障先進制程工藝精度的關(guān)鍵。...
金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物應(yīng)用及白光干涉儀在光刻圖形的測量
引言 在半導(dǎo)體及微納制造領(lǐng)域,光刻膠剝離工藝對金屬結(jié)構(gòu)的保護至關(guān)重要。傳統(tǒng)剝離液易造成金屬過度蝕刻,影響器件性能。同時,光刻圖形的精確測量是保障工藝質(zhì)量...
避免寄生柵極效應(yīng)和斜紋 Mura 的光刻膠剝離裝置及白光干涉儀在光刻圖形的測量
引言 在半導(dǎo)體和顯示面板制造過程中,光刻膠剝離環(huán)節(jié)若處理不當(dāng),易引發(fā)寄生柵極效應(yīng)和斜紋 Mura 問題,嚴重影響產(chǎn)品性能和顯示質(zhì)量。同時,光刻圖形的精確...
解鎖微觀測量新境界:光學(xué)3D輪廓儀與共聚焦顯微成像的結(jié)合應(yīng)用
在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時代,眾多行業(yè)正朝著精細化、微型化的方向大步邁進。當(dāng)芯片上的晶體管小到肉眼不可見,當(dāng)手機攝像頭鏡片需要納米級平整度,傳統(tǒng)測量工具還能...
引言 在半導(dǎo)體制造和微納加工領(lǐng)域,光刻膠剝離是光刻工藝的重要環(huán)節(jié)。水平式光刻膠剝離工藝憑借其獨特優(yōu)勢在工業(yè)生產(chǎn)中占據(jù)一席之地,而準確測量光刻圖形對保障工...
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料,其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時,精準測量光刻圖形對把控工藝質(zhì)...
納米壓印制備硅基 OLED 微型顯示器的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
引言 硅基 OLED 微型顯示器憑借高分辨率、高對比度等優(yōu)勢,在虛擬現(xiàn)實、增強現(xiàn)實等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。納米壓印技術(shù)為其制備提供了新方向,而精確測量光刻圖形是...
白光干涉精析偏振串?dāng)_,OLI-P重新定義保偏光纖檢測新標準
在高速光通信與精密傳感領(lǐng)域,保偏光纖的偏振穩(wěn)定性是系統(tǒng)性能的“生命線”。然而,傳統(tǒng)檢測手段受限于靈敏度低、無法實現(xiàn)分布式測量,難以捕捉微弱的偏振耦合信號...
重磅新品發(fā)布,優(yōu)可測與您相約慕尼黑上海光博會 | 三月展會預(yù)告
欲知優(yōu)可測旗艦產(chǎn)品白光干涉儀新技術(shù),盡在慕尼黑上海光博會優(yōu)可測展位E7.7550!
入駐眾多科研機構(gòu),優(yōu)可測白光干涉儀助力前沿成果發(fā)布
近年來,優(yōu)可測白光干涉儀在科研領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用,被多篇科研論文使用,在CFRP/Al鉆孔監(jiān)測、光纖微透鏡制造、超快3D打印等領(lǐng)域的研究成果,展示了其在高...
氧化鎵襯底表面粗糙度和三維形貌,優(yōu)可測白光干涉儀檢測時長縮短至秒級!
傳統(tǒng)AFM檢測氧化鎵表面三維形貌和粗糙度需要20分鐘左右,優(yōu)可測白光干涉儀檢測方案僅需3秒,百倍提升檢測效率!
白光干涉儀測量原理及干涉測量技術(shù)的應(yīng)用
白光干涉儀利用干涉原理測光程差,測物理量,具高精度。應(yīng)用于半導(dǎo)體、光學(xué)加工、汽車零部件制造及科研等領(lǐng)域,雙重防撞保護保障測量安全。
優(yōu)可測白光干涉儀:助力手機玻璃蓋板品質(zhì)提升 | 行業(yè)應(yīng)用
手機蓋板材料從塑料、金屬到玻璃/陶瓷,再到納米紋理玻璃,不斷革新以滿足消費者需求。其中,影響手機玻璃蓋板關(guān)鍵因素包括蝕刻深度、角度、粒子統(tǒng)計、粗糙度等。...
從“制造”到“智造”:中圖光學(xué)測量儀器的進階與應(yīng)用
在當(dāng)今全球化和科技快速發(fā)展的時代,制造業(yè)正經(jīng)歷著從傳統(tǒng)的“制造”模式向智能化的“智造”模式的深刻轉(zhuǎn)變。消費者對產(chǎn)品質(zhì)量和個性化的要求越來越高,產(chǎn)品的更新...
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