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標簽 > 漏電流
漏電流分為四種,分別為:半導體元件漏電流、電源漏電流、電容漏電流和濾波器漏電流。PN結(jié)在截止時流過的很微小的電流。在D-S設(shè)在正向偏置,G-S反向偏置,導電溝道打開后,D到S才會有電流流過。但實際上由于自由電子的存在,自由電子的附著在SIO2和N+、導致D-S有漏電流。
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貼片壓敏電阻的最大耐壓值可以因不同型號、規(guī)格及生產(chǎn)工藝而有所差異。一般來說,貼片壓敏電阻的壓敏電壓范圍可以從較低的幾伏到較高的幾百伏甚至上千伏。具體來說...
碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導體的核心材料,碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域,處于寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)鏈的前端,是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。
IGBT與功率MOS最大的區(qū)別就是背面多了一個pn結(jié),在正向?qū)〞r,背面pn結(jié)構(gòu)向N-區(qū)注入空穴,使得N-區(qū)的電阻率急劇減?。措妼д{(diào)制效應)。
這是許多產(chǎn)品制造商最想問的一個問題,當然最普遍的回答是“因為安規(guī)標準中有規(guī)定?!比裟苌钊肓私怆姎獍惨?guī)的背景,便會發(fā)現(xiàn)它背后所隱含的責任與意義。電氣安規(guī)...
2023-08-21 標簽:電力系統(tǒng)電流測定漏電流 1319 0
芯森漏電流傳感器在輸電線絕緣子泄漏電流在線監(jiān)測系統(tǒng)中的應用
在現(xiàn)代電力系統(tǒng)中,輸電線絕緣子的污穢程度是影響供電可靠性和安全性的關(guān)鍵因素之一。隨著工農(nóng)業(yè)的發(fā)展和輸電電壓的提高,污閃事故頻發(fā),給電網(wǎng)運行帶來了極大的挑...
2024-08-10 標簽:傳感器監(jiān)測系統(tǒng)漏電流 1310 0
高k柵介質(zhì)NMOSFET遠程聲子散射對溝道遷移率的影響
器件溝道長度為1μm,HFO2柵介質(zhì)厚度為4.88nm;SiO2柵介質(zhì)厚度為2nm;P襯底摻雜濃度4E15cm^-3;柵電極為鋁金屬。
IGBT中的若干PN結(jié)—PNP結(jié)構(gòu)(2)
IGBT中存在如圖所示的兩個寄生BJT,BJT_1為NPN型,BJT_2為PNP型,我們來看看這兩個寄生BJT的電流增益有多大。
C類功率放大器是一種廣泛應用于無線通信、廣播、音頻放大等領(lǐng)域的功率放大器。其最大效率可以達到70%~80%,但實際應用中,由于各種因素的限制,其效率往往...
講講在嵌入式系統(tǒng)設(shè)計中進行DC/DC電源模塊選型時遇到的問題
隨著電源模塊的出現(xiàn)與發(fā)展,嵌入式工程師開始從繁重的電源設(shè)計工作中解脫出來,但電源模塊的種類也越來越多,我們在日常的電路設(shè)計中應該如何考慮選型呢?
2024-03-04 標簽:嵌入式系統(tǒng)輸出電壓電源模塊 1104 0
FPGA設(shè)計關(guān)于功耗專業(yè)的術(shù)語解析
總的片上功耗 Total On-Chip Power: 總的片上功耗是器件內(nèi)部的功耗,等同于器件的靜態(tài)功耗加上設(shè)計功耗,也稱為熱功耗。
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