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標簽 > 漏電流
漏電流分為四種,分別為:半導體元件漏電流、電源漏電流、電容漏電流和濾波器漏電流。PN結(jié)在截止時流過的很微小的電流。在D-S設(shè)在正向偏置,G-S反向偏置,導電溝道打開后,D到S才會有電流流過。但實際上由于自由電子的存在,自由電子的附著在SIO2和N+、導致D-S有漏電流。
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電解質(zhì)是液體、膠凍狀富含離子的物質(zhì),大多數(shù)電解電容都是有極性的,也就是在工作時,電容的正極的電壓需要始終比負極電壓高。
2022-12-05 標簽:電容電解電容串聯(lián)電感 2799 0
開關(guān)二極管是一種常用的半導體器件,其原理是利用PN結(jié)的導電特性來控制電流的流動。
2024-02-27 標簽:半導體開關(guān)二極管漏電流 2760 0
PN結(jié)曲率效應的產(chǎn)生及其對擊穿電壓的影響
在我們現(xiàn)有的功率半導體器件中,PN結(jié)占據(jù)了極其重要的地位,其正向阻斷能力的優(yōu)劣直接決定著功率半導體器件的可靠性及適用范圍。
SOC(System on Chip,芯片上的系統(tǒng))芯片的測試是一個復雜且全面的過程,涉及多個參數(shù)和模塊。以下是對SOC芯片測試的主要參數(shù)和模塊的歸納:...
漏電流測試是開關(guān)電源安規(guī)測試項目之一,目的是為了檢測漏電流是否超過了額定標準,防止漏電流過大造成設(shè)備損毀,甚至引發(fā)電擊安全事故。
2023-11-07 標簽:萬用表半導體開關(guān)電源 2584 0
電容器漏電流測試是評估電容器性能的重要手段之一,它可以幫助我們了解電容器在實際應用中的可靠性和安全性。 1. 電容器漏電流測試的目的 電容器在電路中起著...
引言:在日常工作中,硬件設(shè)計工程師朋友們經(jīng)常會接觸到漏電流這個指標,其分為泄漏電流和耐壓漏電流。本文將簡述開關(guān)電源兩類漏電流的區(qū)別,并簡要分析了常見漏電...
2024-08-06 標簽:開關(guān)電源漏電流泄漏電流 2489 0
淺析運算放大器進入鉗位狀態(tài)的原理(以LM358為例)
運算放大器(簡稱“運放”)是具有很高放大倍數(shù)的電路單元。在實際電路中,通常結(jié)合反饋網(wǎng)絡共同組成某種功能模塊。
UPS輔助電源優(yōu)選FHA3N150A場效應管,產(chǎn)品雖小但作用核心!
在UPS的構(gòu)造中,直接將交流380V輸入轉(zhuǎn)換為低壓直流電源的部分通常稱為"輔助電源"或"控制電源"。
變?nèi)荻O管的工作原理 變?nèi)荻O管的作用特點
變?nèi)荻O管為特殊二極管的一種。當外加順向偏壓時,有大量電流產(chǎn)生,PN(正負極)結(jié)的耗盡區(qū)變窄,電容變大,產(chǎn)生擴散電容效應;
2024-04-04 標簽:半導體變?nèi)荻O管可變電容器 2271 0
如何給電路選擇最合適的MOS產(chǎn)品?選擇MOS管時需考慮的關(guān)鍵要素
MOS作為一種非常常見的分立器件,它具有開關(guān)、放大、調(diào)壓等作用。MOSFET是電壓控制的管子,通常,MOS管損耗比三極管小,導通后壓降理論上為0。
本文介紹了MOS晶體管的基礎(chǔ)知識,以期更好地了解此類晶體管中可能發(fā)生的漏電流。 MOS晶體管正在縮小,以最大限度地提高其在集成電路內(nèi)的封裝密度。這導致了...
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