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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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這不閃極！Retro 麥金塔20W氮化鎵充電器套裝僅49.9元
人們常說好看的皮囊千篇一律，這其實(shí)意味著大家審美的普遍性，美得越經(jīng)典越經(jīng)受得起考驗(yàn)。閃極Retro 麥金塔氮化鎵系列充電器的設(shè)計(jì)也正是如此，它的創(chuàng)意來自...
本文要點(diǎn)氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強(qiáng)度更高。氮化鎵技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高功率密度和更小的...
格芯強(qiáng)化AI市場(chǎng)布局，收購(gòu)泰戈?duì)柨萍嫉壖夹g(shù)團(tuán)隊(duì)
在半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)向更高效、更綠色方向邁進(jìn)的背景下，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠商格芯（GlobalFoundries）近日宣布了一項(xiàng)重要戰(zhàn)略舉措——正式收購(gòu)泰...
格芯收購(gòu)Tagore Technology氮化鎵技術(shù),加速電源管理創(chuàng)新
近日，全球領(lǐng)先的純晶圓代工廠格芯（GlobalFoundries，簡(jiǎn)稱GF）宣布了一項(xiàng)重大戰(zhàn)略舉措，成功收購(gòu)了Tagore Technology公司所持...
格芯收購(gòu)Tagore氮化鎵技術(shù)，加速GaN功率元件市場(chǎng)創(chuàng)新與發(fā)展
美國(guó)領(lǐng)先的純晶圓代工廠格芯(GlobalFoundries)于本周一宣布了一項(xiàng)重要戰(zhàn)略舉措，成功收購(gòu)了Tagore公司專有的、經(jīng)過生產(chǎn)驗(yàn)證的功率氮化鎵(...
Nexperia斥資2億美元,布局未來寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
在全球電氣化和數(shù)字化浪潮不斷加速的今天，半導(dǎo)體技術(shù)作為其核心驅(qū)動(dòng)力，正迎來前所未有的發(fā)展機(jī)遇。近日，全球知名半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）宣...
淺談光耦與氮化鎵快充技術(shù)的創(chuàng)新融合
氮化鎵快充技術(shù)主要通過將氮化鎵功率器件應(yīng)用于充電器、電源適配器等充電設(shè)備中，以提高充電效率和充電速度。光耦技術(shù)作為一種能夠?qū)㈦娦盘?hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào)并實(shí)現(xiàn)電氣...
納微半導(dǎo)體下一代GaNFast氮化鎵功率芯片助力聯(lián)想打造全新氮化鎵快充
加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NV...
2024-06-21 標(biāo)簽：聯(lián)想氮化鎵納微半導(dǎo)體 2152 0
德州儀器發(fā)布高性能650V GaN IPM，革新電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
德州儀器（TI）近日推出了一款具有劃時(shí)代意義的650V三相氮化鎵（GaN）集成電源模塊（IPM）——DRV7308，專為250W電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用量身打造。...
2024-06-18 標(biāo)簽：德州儀器氮化鎵電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 1090 0
英諾賽科IPO！三年?duì)I收超7億累計(jì)虧損67億，開拓海外市場(chǎng)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/莫婷婷）近期，作為業(yè)內(nèi)氮化鎵龍頭的英諾賽科向港交所遞交招股書，正式開始IPO之路。這家明星企業(yè)在公開招股書后，終于讓業(yè)內(nèi)人士看到了...
近日，無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司Cambridge GaN Devices（CGD）發(fā)布了一系列革命性的高能效氮化鎵（GaN）功率器件，旨在推動(dòng)電子器件...
CGD開發(fā)GaN,致力于打造更環(huán)保電子器件
位于英國(guó)劍橋市的無晶圓制造環(huán)?？萍夹桶雽?dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices（簡(jiǎn)稱 CGD）研發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，主...
納微半導(dǎo)體將亮相PCIM 2024，展示氮化鎵與碳化硅技術(shù)
在電力電子領(lǐng)域，納微半導(dǎo)體憑借其卓越的GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù)，已成為行業(yè)內(nèi)的佼佼者。近日，該公司受邀參加6月11日...
2024-05-30 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅納微半導(dǎo)體 886 0
臺(tái)亞半導(dǎo)體再度調(diào)整業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)
臺(tái)亞半導(dǎo)體于近日成功召開股東會(huì)，會(huì)議通過了將8英寸GaN（氮化鎵）事業(yè)群分割給子公司冠亞半導(dǎo)體的計(jì)劃。這是繼兩年前臺(tái)亞將系統(tǒng)事業(yè)群劃分給星亞視覺后，再次...
青島佳恩半導(dǎo)體有限公司與西安電子科技大學(xué)合作簽約儀式圓滿成功！
5月28日，青島佳恩半導(dǎo)體有限公司與西安電子科技大學(xué)戰(zhàn)略合作簽約儀式在青島隆重舉行，參加此次簽約儀式的嘉賓有城陽(yáng)區(qū)科學(xué)與技術(shù)局領(lǐng)導(dǎo)、城陽(yáng)區(qū)工業(yè)與信息化局...
基于SP9677M、6520和10R07的65W氮化鎵PD快充降低成本設(shè)計(jì)方案
在當(dāng)今電子設(shè)備高度普及的時(shí)代，快充技術(shù)已經(jīng)成為了許多消費(fèi)者的必備選擇。隨著科技的不斷進(jìn)步，快充技術(shù)也在不斷發(fā)展，其中65W氮化鎵PD快充技術(shù)以其高效、安...
Transphorm攜手偉詮電子推出兩款新型系統(tǒng)級(jí)封裝氮化鎵器件
全球氮化鎵功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍者Transphorm, Inc.和USB PD控制器集成電路的佼佼者偉詮電子聯(lián)合宣布，雙方已成功推出兩款新型系統(tǒng)級(jí)封裝氮...
2024-05-23 標(biāo)簽：集成電路氮化鎵功率半導(dǎo)體 903 0
前言曼科推出一款小火山智充艙桌面插排，這款插座采用柱狀外觀設(shè)計(jì)，一側(cè)設(shè)有兩個(gè)新國(guó)標(biāo)五孔插孔，另一側(cè)設(shè)有2C1A快充接口，支持最大65W快充輸出，總體負(fù)載...
復(fù)旦大學(xué)芯片院在高速低EMI功率集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
開關(guān)電源芯片被廣泛應(yīng)用于車載電子系統(tǒng)中，完成高效電能轉(zhuǎn)換。隨著智能駕駛技術(shù)的迅速發(fā)展，對(duì)開關(guān)電源芯片的電磁干擾（EMI）噪聲的要求也日益嚴(yán)苛。
2024新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)6月21-23日濟(jì)南召開
半導(dǎo)體晶體是信息產(chǎn)業(yè)的基石，其生長(zhǎng)技術(shù)、加工工藝、關(guān)鍵設(shè)備、器件應(yīng)用及原材料供給等對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈的安全穩(wěn)定至關(guān)重要。
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