“完美電源開關(guān)”的飄然而至,進(jìn)行了超過2000萬小時(shí)的設(shè)備可靠性測試

此外，2017年是電力電子行業(yè)振奮人心的里程碑之年。 JEDEC宣布制定完成了JC-70.1，它規(guī)范了GaN的可靠性和質(zhì)量認(rèn)證流程、數(shù)據(jù)資料表、參數(shù)以及...

2018-11-28 標(biāo)簽：電源開關(guān)氮化鎵 3481 0

氮化鎵和MMIC及射頻SoC推動5G無線更快發(fā)展

在半導(dǎo)體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化開啟了提高射頻功率密度、節(jié)省空間和提高能效的大門，其批量生產(chǎn)水平的成本結(jié)構(gòu)非常低，與LDMOS相當(dāng)，遠(yuǎn)低于碳化硅基氮化鎵。

2018-11-24 標(biāo)簽：射頻無線氮化鎵 2534 0

Veeco攜手ALLOS研發(fā)硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)

Veeco Instruments Inc. (Nasdaq: VECO) 與 ALLOS Semiconductors GmbH 10日宣布取得又一階...

2018-11-15 標(biāo)簽：Veeco氮化鎵 3941 0

德州儀器新型即用型600V氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)功率級產(chǎn)品組合可支持高達(dá)10kW的應(yīng)用

德州儀器的GaN FET器件系列產(chǎn)品通過集成獨(dú)特的功能和保護(hù)特性，來實(shí)現(xiàn)簡化設(shè)計(jì)，達(dá)到更高的系統(tǒng)可靠性和優(yōu)化高壓電源的性能，為傳統(tǒng)級聯(lián)和獨(dú)立的GaN F...

2018-10-30 標(biāo)簽：德州儀器場效應(yīng)晶體管氮化鎵 7248 0

從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時(shí)間窗口只有三年

“現(xiàn)在正處于從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時(shí)間窗口，但只有三年?！蹦苡嵃雽?dǎo)體總經(jīng)理任勉表示，在氮化鎵領(lǐng)域耕耘十二年，能訊半導(dǎo)體迎來關(guān)鍵時(shí)間節(jié)點(diǎn)，抓住5G基站建...

2018-10-19 標(biāo)簽：氮化鎵LDMOS 8080 0

北方華創(chuàng)攬獲氮化鎵工藝裝備采購訂單

近日，北方華創(chuàng)微電子成功獲得了位于蘇州的一家知名化合物半導(dǎo)體公司批量采購訂單，訂單包括了ELEDE? 330SG刻蝕機(jī)、SW GDE C200刻蝕機(jī)、 ...

2018-09-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 4299 0

氮化鎵中使用光電化學(xué)刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)高縱橫比深溝槽的進(jìn)展

如果將PEC速率提高到175.5nm/min，則會導(dǎo)致表面變得粗糙。不過高速率的PEC技術(shù)可用于晶圓切割領(lǐng)域中。采用由90μm直徑的圓點(diǎn)組成的50nm厚...

2018-09-03 標(biāo)簽：晶圓氮化鎵 7418 0

寬禁帶的SiC和GaN將會是下一代功率器件的基礎(chǔ)

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的收緊和政府法規(guī)的改變是使產(chǎn)品能效更高的關(guān)鍵推動因素。例如，數(shù)據(jù)中心正在成倍增長以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應(yīng)（400千瓦時(shí)）的3...

2018-07-24 標(biāo)簽：安森美半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 6602 0

恩智浦推出適用于5G網(wǎng)絡(luò)的全新高功率射頻產(chǎn)品

美國費(fèi)城（IMS 2018） – 2018年6月12日 – 恩智浦半導(dǎo)體（納斯達(dá)克代碼：NXPI）擴(kuò)展其豐富的GaN和硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（Si-...

2018-06-13 標(biāo)簽：射頻恩智浦氮化鎵 6562 0

新的氮化鎵（GaN）熱控制方法

基于散熱器和風(fēng)扇的冷卻方法增加成本和體積?，F(xiàn)在，一個來自伊利諾伊大學(xué)微納米技術(shù)實(shí)驗(yàn)室的研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)造了一種新的方法，他們聲稱該方法簡單而且低成本。

2018-06-11 標(biāo)簽：模擬技術(shù)氮化鎵 3064 0

聚力成半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶重慶 將有望突破我國第三代半導(dǎo)體技術(shù)瓶頸

11月13日，聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司奠基儀式在重慶大足高新區(qū)舉行，該項(xiàng)目以研發(fā)、生產(chǎn)全球半導(dǎo)體領(lǐng)域前沿的氮化鎵外延片、芯片為主。這項(xiàng)擬投資50億元...

2018-11-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 1.2萬 0

英飛凌公布一款功率為65W的USBPD充電器 采用第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵

在近日的業(yè)內(nèi)電源展會上，英飛凌公布了最新的氮化鎵材料應(yīng)用，一款功率為65W的USB PD充電器。

2018-11-16 標(biāo)簽：英飛凌充電器氮化鎵 1928 0

TI推出業(yè)內(nèi)最小、最快的GaN驅(qū)動器，擴(kuò)展其GaN電源產(chǎn)品組合

德州儀器（TI）（NASDAQ： TXN） 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET）驅(qū)動器，進(jìn)一步擴(kuò)展了其業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品...

2018-03-12 標(biāo)簽：dc/dc德州儀器氮化鎵 1.1萬 0

納微GaNFast推動世界上最薄的旅行適配器

納微（Navitas）宣布GaNFast?功率IC應(yīng)用在前所未有的14mm超薄外形通用型45W電源適配器Mu One。這個用于全球范圍的超薄適配器可輕松...

2018-03-06 標(biāo)簽：適配器氮化鎵納微半導(dǎo)體 9726 0

德儀LMG5200 GaN半橋功率級

本報(bào)告對德州儀器LMG5200器件進(jìn)行詳細(xì)的逆向分析，包括器件設(shè)計(jì)、封裝技術(shù)、制造工藝、成本和價(jià)格預(yù)估等。這是我們第一發(fā)現(xiàn)帶有驅(qū)動器的半橋氮化鎵場效應(yīng)晶...

2018-03-05 標(biāo)簽：德州儀器氮化鎵功率級 1.1萬 0

維易科（VEECO）和ALLOS展示行業(yè)領(lǐng)先的200MM硅基氮化鎵性能，推動micro-LED的應(yīng)用

Veeco 公司今日宣布和ALLOS Semiconductors （ALLOS）達(dá)成了一項(xiàng)戰(zhàn)略舉措，展示了200mm硅基氮化鎵晶圓用于藍(lán)/綠光mic...

2018-02-26 標(biāo)簽：氮化鎵microled硅基氮化鎵 1.0萬 0

氮化鎵(GaN)襯底晶片實(shí)現(xiàn)國產(chǎn) 蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一

氮化鎵單晶材料生長難度非常大，蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一。真正的實(shí)現(xiàn)了“中國造”的氮化鎵襯底晶片。氮化物半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)發(fā)展非?？欤瑯右彩堑锇雽?dǎo)體...

2018-01-30 標(biāo)簽：氮化鎵晶片 8380 0

納微半導(dǎo)體 GaN功率IC實(shí)現(xiàn) 世界上最小的65W USB-PD 手提電腦電源適配器

納微 （Navitas） 半導(dǎo)體宣布推出世界上最小的65W USB-PD （Type-C） 電源適配器參考設(shè)計(jì)，以跟上過去十年來筆記型電腦在更小尺寸和更...

2017-09-15 標(biāo)簽：電源適配器氮化鎵GaN 8998 0