99精品伊人亚洲|最近国产中文炮友|九草在线视频支援|AV网站大全最新|美女黄片免费观看|国产精品资源视频|精彩无码视频一区|91大神在线后入|伊人终合在线播放|久草综合久久中文

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Veeco攜手ALLOS研發(fā)硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)

nDFv_cnledw2013 ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-11-15 14:53 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

Veeco Instruments Inc. (Nasdaq: VECO) 與 ALLOS Semiconductors GmbH 10日宣布取得又一階段的合作成果,雙方共同努力,致力于為MicroLED生產(chǎn)應(yīng)用提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)。

兩家公司最近合作的宗旨是,在為全球范圍內(nèi)多家杰出的消費(fèi)類電子產(chǎn)品公司生產(chǎn)外延片的同時(shí),展示ALLOS 200 mm硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)在Veeco Propel? MOCVD反應(yīng)器上的可復(fù)制性。

“要將Micro LED技術(shù)轉(zhuǎn)化為生產(chǎn),僅依據(jù)單項(xiàng)指標(biāo)展示主導(dǎo)價(jià)值是不夠的。我們必須確保每種外延片的整套規(guī)格都具有出色的可重復(fù)性和收益,”Veeco Compound Semiconductor業(yè)務(wù)部門高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理Peo Hansson博士表示。“此次成功聯(lián)合再次肯定Veeco的優(yōu)秀MOCVD專業(yè)知識(shí)與ALLOS硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)強(qiáng)強(qiáng)結(jié)合,能夠?yàn)榭蛻籼峁┙?jīng)驗(yàn)證的、可靠的創(chuàng)新方案,加速推進(jìn)Micro LED應(yīng)用?!?/p>

作為標(biāo)準(zhǔn),傳統(tǒng)LED技術(shù)通過分類和分級(jí)實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)一致性。但鑒于Micro LED 尺寸小、數(shù)量多而無法分類和分級(jí),因此,外延沉積的一致性變得更為重要。要使大批量生產(chǎn)MicroLED顯示器的承諾變成現(xiàn)實(shí),最重要的成功要素在于實(shí)現(xiàn)極佳的發(fā)射波長(zhǎng)一致性,這樣就不需要進(jìn)行單獨(dú)的MicroLED芯片測(cè)試和分選。根據(jù)業(yè)內(nèi)目標(biāo)要求,外延片分級(jí)應(yīng)介于+/-1 nm(下限)和+/-4 nm(上限)之間,取決于應(yīng)用和傳質(zhì)方法。通過合作項(xiàng)目,Veeco和ALLOS 通過標(biāo)準(zhǔn)偏差僅為0.85 nm的晶片進(jìn)一步改善至關(guān)重要的波長(zhǎng)一致性,這在生產(chǎn)系統(tǒng)方面屬于行業(yè)首例。

“Veeco和ALLOS對(duì)晶片之間的可復(fù)制性進(jìn)行了驗(yàn)證,所有晶片的平均波長(zhǎng)標(biāo)準(zhǔn)偏差為1.21nm,且峰值波長(zhǎng)介于+/-0.5 nm范圍內(nèi)。由此,我們朝著+/-1 nm外延片分級(jí)的目標(biāo)又邁進(jìn)一大步,”ALLOS首席執(zhí)行官Burkhard Slischka 表示?!拔覀兊募夹g(shù)已經(jīng)可以在直徑200 mm的晶片上使用,這樣就能使用低成本、高收益的硅系列進(jìn)行MicroLED芯片生產(chǎn)。此外,我們對(duì)于300 mm晶片應(yīng)用已有清晰的發(fā)展藍(lán)圖。”

作為下一個(gè)重大技術(shù)轉(zhuǎn)變主題,MicroLED備受顯示器技術(shù)創(chuàng)新者的關(guān)注。根據(jù)LEDinside分析,Micro LED市場(chǎng)產(chǎn)值于2022年將達(dá)31.8億美金。邊長(zhǎng)小于 100 μm 的MicroLED技術(shù)被視作開發(fā)功耗更低的旗艦顯示器的重要驅(qū)動(dòng)因素,相關(guān)技術(shù)承諾助長(zhǎng)了這一樂觀情緒。但是,材料成本高、收益低以及MicroLED傳質(zhì)技術(shù)產(chǎn)量一直阻礙著此類顯示器的開發(fā)。此次技術(shù)聯(lián)合有效地解決了這些挑戰(zhàn),Veeco和ALLOS將繼續(xù)與客戶合作,旨在進(jìn)一步改善硅基氮化鎵外延片和MicroLED傳質(zhì)技術(shù)。

2018年11月12日,兩家公司將攜手在日本金澤市召開的國(guó)際氮化物半導(dǎo)體工作研討會(huì) (IWN) 上詳細(xì)展示他們的突破成就。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • Veeco
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    14

    瀏覽量

    11796
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    61

    文章

    1796

    瀏覽量

    118070

原文標(biāo)題:200mm硅基氮化鎵Micro LED新突破!Veeco攜手ALLOS展示合作成果

文章出處:【微信號(hào):cnledw2013,微信公眾號(hào):CNLED網(wǎng)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    如何在開關(guān)模式電源中運(yùn)用氮化技術(shù)

    LTspice?作為合適的工具鏈來使用,以便成功部署GaN開關(guān)。 引言 氮化(GaN)是一種III-V族半導(dǎo)體,為開關(guān)電模式電源(SMPS)提供了出眾的性能。GaN技術(shù)具有高介電強(qiáng)度、低開關(guān)損耗、高
    發(fā)表于 06-11 10:07

    國(guó)內(nèi)氮化大廠被申請(qǐng)破產(chǎn):曾規(guī)劃投資50億,年產(chǎn)36萬晶圓

    半導(dǎo)體的破產(chǎn)重整。 ? 聚力成半導(dǎo)體早期由重慶捷舜科技有限公司投資設(shè)立,并于2018年9月與重慶大足區(qū)政府簽約,啟動(dòng)外延和芯片產(chǎn)線項(xiàng)目,主要業(yè)務(wù)是
    的頭像 發(fā)表于 05-22 01:07 ?2849次閱讀
    國(guó)內(nèi)<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>大廠被申請(qǐng)破產(chǎn):曾規(guī)劃投資50億,年產(chǎn)36萬<b class='flag-5'>片</b>晶圓

    氮化電源IC U8765產(chǎn)品概述

    氮化憑借高頻高效特性,具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢(shì),但小型化雖好,散熱才是硬道理,選氮化電源ic得看準(zhǔn)散熱設(shè)計(jì)。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優(yōu)越、耐壓700V的
    的頭像 發(fā)表于 04-29 18:12 ?326次閱讀

    CE65H110DNDI 能華330W 氮化方案,可過EMC

    深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)CE65H110DNDI 能華330W 氮化方案,可過EMC,原裝現(xiàn)貨 CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化(GaN)FET是常關(guān)器件
    發(fā)表于 03-31 14:26

    氮化(GaN)充電頭安規(guī)問題及解決方案

    什么是氮化(GaN)充電頭?氮化充電頭是一種采用氮化(GalliumNitride,GaN
    的頭像 發(fā)表于 02-27 07:20 ?1110次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(GaN)充電頭安規(guī)問題及解決方案

    氮化硼散熱材料大幅度提升氮化快充效能

    什么是氮化(GaN)充電頭?氮化充電頭是一種采用氮化(GalliumNitride,GaN
    的頭像 發(fā)表于 02-26 04:26 ?560次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b>硼散熱材料大幅度提升<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>快充效能

    GaN技術(shù):顛覆傳統(tǒng),引領(lǐng)科技新紀(jì)元

    中的未來前景。 如今,電源管理設(shè)計(jì)工程師常常會(huì)問道: 現(xiàn)在應(yīng)該從功率開關(guān)轉(zhuǎn)向GaN開關(guān)了嗎? 氮化(GaN)技術(shù)相比傳統(tǒng)
    的頭像 發(fā)表于 02-11 13:44 ?557次閱讀
    GaN<b class='flag-5'>技術(shù)</b>:顛覆傳統(tǒng)<b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>基</b>,引領(lǐng)科技新紀(jì)元

    氮化充電器和普通充電器有啥區(qū)別?

    ,引入了“氮化(GaN)”的充電器和傳統(tǒng)的普通充電器有什么不一樣呢?今天我們就來聊聊。材質(zhì)不一樣是所有不同的根本 傳統(tǒng)的普通充電器,它的基礎(chǔ)材料是,也是電子行業(yè)內(nèi)非常重要的材料。
    發(fā)表于 01-15 16:41

    英諾賽科登陸港交所,氮化功率半導(dǎo)體領(lǐng)域明星企業(yè)閃耀登場(chǎng)

    氮化功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)份額均處于領(lǐng)先地位。此外,英諾賽科還是目前市場(chǎng)上唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模,能夠提供全電壓譜系的
    的頭像 發(fā)表于 01-06 11:29 ?702次閱讀

    合作案例 | 一文解開遠(yuǎn)山氮化功率器件耐高壓的秘密

    、消費(fèi)電子等熱門領(lǐng)域,發(fā)揮重要的作用。面向中高功率市場(chǎng)的氮化半導(dǎo)體IDM遠(yuǎn)山半導(dǎo)體是一家第三代半導(dǎo)體研發(fā)與生產(chǎn)企業(yè),具備完整的“外延材料+芯片制造”自主核心
    的頭像 發(fā)表于 11-12 15:58 ?784次閱讀
    合作案例 | 一文解開遠(yuǎn)山<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>功率器件耐高壓的秘密

    氮化晶圓在劃切過程中如何避免崩邊

    半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展。氮化的制造工藝非常相似,12英寸氮化技術(shù)發(fā)展的一大優(yōu)勢(shì)是可以利用現(xiàn)有的
    的頭像 發(fā)表于 10-25 11:25 ?1598次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>晶圓在劃切過程中如何避免崩邊

    用于單片集成的外延Ⅲ-Ⅴ族量子阱和量子點(diǎn)激光器研究

    系統(tǒng)等領(lǐng)域。除激光器外,光探測(cè)器、光調(diào)制器等
    的頭像 發(fā)表于 10-24 17:26 ?1.1w次閱讀
    用于單片集成的<b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>基</b><b class='flag-5'>外延</b>Ⅲ-Ⅴ族量子阱和量子點(diǎn)激光器研究

    碳化硅 (SiC) 與氮化 (GaN)應(yīng)用 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣

    ,而碳化硅的帶隙為3.4eV。雖然這些值看起來相似,但它們明顯高于的帶隙。的帶隙僅為1.1eV,比氮化和碳化硅小三倍。這些化合物的較高帶隙允許
    的頭像 發(fā)表于 09-16 08:02 ?1404次閱讀
    碳化硅 (SiC) 與<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b> (GaN)應(yīng)用  | <b class='flag-5'>氮化</b>硼高導(dǎo)熱絕緣<b class='flag-5'>片</b>

    氮化和砷化哪個(gè)先進(jìn)

    景和技術(shù)需求。 氮化(GaN)的優(yōu)勢(shì) 高頻與高效率 :氮化具有高電子遷移率和低電阻率,使得它在高頻和高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。例如,在5G通
    的頭像 發(fā)表于 09-02 11:37 ?5414次閱讀

    氮化(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)風(fēng)起云涌,引領(lǐng)技術(shù)革新與產(chǎn)業(yè)升級(jí)

    技術(shù)的成熟以及電動(dòng)汽車、人工智能、機(jī)器人等新興產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,對(duì)更高功率、更低能耗的需求日益增長(zhǎng),氮化器件正逐步取代傳統(tǒng)器件,在高價(jià)值
    的頭像 發(fā)表于 08-26 16:34 ?1002次閱讀