盤點國內(nèi)第三代半導(dǎo)體廠商

眾所周知，我國現(xiàn)在正在大力發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)，第三代半導(dǎo)體作為下一代電子產(chǎn)品的重要材料和元件，自然也受到了重點關(guān)注。

2019-02-19 標簽：半導(dǎo)體氮化鎵 1.9萬 0

車規(guī)級eGaN?FET使得激光雷達系統(tǒng)看到更清晰、更高效、成本更低、更可靠

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）進一步擴大車規(guī)級氮化鎵產(chǎn)品系列 – 再多兩個產(chǎn)品成功通過國際汽車電子協(xié)會所制定的AEC Q101分立器件應(yīng)力測試認證。

2019-01-24 標簽：EPC氮化鎵 6605 0

探析寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)與氮化鎵的未來前景

過去一些年，功率電子行業(yè)的工程師一直處于一個非常尷尬的境地，一方面他們無法在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時又不希望增大設(shè)備所需的空間。

2019-01-15 標簽：半導(dǎo)體氮化鎵 5778 0

Anker推出全球首款采用氮化鎵材料的充電器 體積只比蘋果萬年5W充電器略大一些

氮化鎵（GaN）被業(yè)界稱為第三代半導(dǎo)體材料，應(yīng)用范圍非常廣，包括半導(dǎo)體照明、激光器、射頻等，而用在充電器上可在超小體積上實現(xiàn)大功率輸出。

2019-01-03 標簽：充電器氮化鎵Anker 1760 0

是否有其他可能引發(fā)功率GaN市場爆炸的殺手級應(yīng)用呢？

市場在引入新技術(shù)時，成本是需要考慮的關(guān)鍵因素之一，但目前成本不是GaN的優(yōu)勢。GaN器件的主要競爭者是硅基MOSFET，后者已經(jīng)上市多年，提供非常具有競...

2018-12-24 標簽：電源適配器氮化鎵 4855 0

探析意法半導(dǎo)體未來功率GaN路線圖

Yole電力電子技術(shù)與市場分析師Ana Villamor與意法半導(dǎo)體功率RF和GaN產(chǎn)品部經(jīng)理Filippo Di Giovanni會面，討論意法半導(dǎo)體...

2018-12-24 標簽：意法半導(dǎo)體氮化鎵 6322 0

德州儀器用2000萬小時給出使用氮化鎵的理由

在多倫多一個飄雪的寒冷日子里。 我們幾個人齊聚在本地一所大學(xué)位于地下的高級電力電子研究實驗室中，進行一場頭腦風暴。有點諷刺意味的是，話題始終圍繞著熱量，...

2019-01-01 標簽：電子ti氮化鎵 2811 0

耐威科技子公司成功研制“8 英寸硅基氮化鎵外延晶圓

耐威科技表示，本次“8 英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”的研制成功，使得聚能晶源成為截至目前公司已知全球范圍內(nèi)領(lǐng)先的可提供具備長時可靠性的...

2018-12-20 標簽：晶圓氮化鎵 6371 0

英飛凌新推氮化鎵開關(guān)管驅(qū)動芯片

隨著市場對高功率高電壓材料的需求增長，全球第三代半導(dǎo)體材料開始備受關(guān)注。第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和...

2018-12-06 標簽：英飛凌氮化鎵 8922 0

探討軍用雷達發(fā)展史和新體制雷達發(fā)展方向

《兵器知識》就中國軍用雷達發(fā)展史、相控陣雷達的先進性、空警 500 等國產(chǎn)雷達的發(fā)展，專訪了毛二可院士。

2018-11-30 標簽：雷達氮化鎵 1.9萬 0

氮化鎵應(yīng)用風口,全球氮化鎵知名企業(yè)

與硅或者其他三五價器件相比，氮化鎵速度更快。GaN可以實現(xiàn)更高的功率密度。對于既定功率水平，GaN具有體積小的優(yōu)勢。有了更小的器件，就可以減小器件電容，...

2018-11-30 標簽：氮化鎵激光雷達5G 1.9萬 0