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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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納微半導(dǎo)體閃亮登場慕尼黑上海電子展,氮化鎵最新工業(yè)級應(yīng)用產(chǎn)品首次公開亮相
DUBLIN, IRELAND —(PRWeb) 納微半導(dǎo)體宣布,在為期三天的2021年慕尼黑上海電子展上,成功完成一系列GaNFast? 大功率氮化鎵...
2021-04-27 標(biāo)簽:氮化鎵慕尼黑上海電子展納微半導(dǎo)體 1204
Nexperia第二代650V氮化鎵場效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級電源可在2kW或更高功率下運(yùn)行
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。
第三代半導(dǎo)體襯底材料供應(yīng)商 中圖科技科創(chuàng)板IPO進(jìn)入已問詢狀態(tài)
4月21日,上海證券交易所網(wǎng)站顯示,廣東中圖半導(dǎo)體科技股份有限公司(簡稱“中圖科技”)科創(chuàng)板IPO進(jìn)入已問詢狀態(tài)。 ? 中圖科技是一家面向藍(lán)寶石上氮化鎵...
意法半導(dǎo)體王巧娣:集成驅(qū)動器的MasterGaN系列產(chǎn)品讓GaN產(chǎn)品開發(fā)更簡單
目前GaN產(chǎn)品主要應(yīng)用在消費(fèi)類產(chǎn)品當(dāng)中,但在未來五年中,基于第三代半導(dǎo)體材料的電子器件將在激光雷達(dá)、5G通信、新能源汽車、特殊行業(yè)、人工智能、數(shù)據(jù)中心以...
2021-04-22 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體電力電子氮化鎵 7935 0
科銳推出多款碳化硅基氮化鎵器件,助力大型雷達(dá)加速發(fā)展
有源電子掃描陣列(AESA)系統(tǒng)愈來愈受到研發(fā)的青睞,該系統(tǒng)主要運(yùn)用于大型機(jī)載平臺上,同時在陸地和海事細(xì)分市場也有采用。
全球領(lǐng)先氮化鎵IDM企業(yè)發(fā)力,33W GaN快充迅速上量
外型小巧是該方案的一大特色,其內(nèi)部電路設(shè)計(jì)更是十分精簡,通過圖片可見,該方案僅僅只用兩塊PCB板就實(shí)現(xiàn)了全部功能,讓人眼前一亮。并且完全實(shí)現(xiàn)了核心技術(shù)的...
賽微電子擬投資10億元建6-8英寸硅基氮化鎵功率器件產(chǎn)線
近日北京賽微電子股份有限公司發(fā)布了關(guān)于與青州市人民政府簽署《合作協(xié)議》的公告。公告中顯示賽微電子擬在青州經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)發(fā)起投資10億元分期建設(shè)聚能國際6-8...
臺鈴發(fā)布新型無線充電專利技術(shù),InnoGaN正式進(jìn)軍電動車領(lǐng)域
臺鈴在天津展上重磅首發(fā)“奔跑的機(jī)器人”——N9超智版智能電動車,提出了擁有16項(xiàng)發(fā)明專利加持的氮化鎵有線+無線充電黑科技,臺鈴再一次驚艷業(yè)界,以技術(shù)創(chuàng)新...
中圖科技凈利潤暴跌超80%:營收下降應(yīng)收賬款卻逐年劇增
據(jù)其介紹,目前公司主要產(chǎn)品包括2至6英寸圖形化藍(lán)寶石襯底(PSS)、圖形化復(fù)合材料襯底(MMS),廣泛應(yīng)用于氮化鎵基LED芯片制造。公司建立了廣東省半導(dǎo)...
2021-04-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)LED芯片氮化鎵 3014 0
過去30年,臺積電、聯(lián)電擅長制造的邏輯IC,基本上都是以硅做為材料?!腹杌旧鲜且环N相當(dāng)全能的材料?!构ぱ性寒a(chǎn)業(yè)科技國際策略發(fā)展所研究總監(jiān)楊瑞臨觀察。
2021-03-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料氮化鎵 1906 0
本月初,紫米宣布推出33W氮化鎵充電器mini,原計(jì)劃3月8日上市開賣。
小米11攜55W氮化鎵充電器全球上市,納微氮化鎵技術(shù)走向世界
氮化鎵(GaN)是第三代半導(dǎo)體技術(shù),其運(yùn)行速度比舊的慢速硅(Si)快20倍,并且可以以三分之一的體積和重量,實(shí)現(xiàn)高達(dá)三倍的功率或充電速度。
2021-03-15 標(biāo)簽:充電器半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵 1206 0
Nexperia與聯(lián)合汽車電子有限公司就氮化鎵領(lǐng)域達(dá)成深度合作
隨著汽車電氣化、5G通信、工業(yè)4.0市場的不斷增長,基于GaN的主流設(shè)計(jì)正漸入佳境,勢必推動2021年及未來功率半導(dǎo)體的需求增長。
東南大學(xué)在氮化鎵功率驅(qū)動芯片技術(shù)上的最新研究成果成功發(fā)表
GaN功率器件具有工作頻率高、導(dǎo)通電阻小、溫度特性好等優(yōu)點(diǎn),已成為未來高功率密度電源系統(tǒng)的首選器件。在高功率密度電源系統(tǒng)應(yīng)用中,如何降低系統(tǒng)EMI噪聲和...
2021-03-11 標(biāo)簽:氮化鎵電源系統(tǒng)驅(qū)動芯片 3775 0
氮化鎵(GaN)是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,禁帶寬度為3.4eV,對應(yīng)截至波長365nm,對可見光無響應(yīng),克服了硅基紫外傳感器對可見光有強(qiáng)烈響應(yīng),且紫外靈...
日前,紫米公司發(fā)布致歉公告,表示ZMI 33W氮化鎵充電器,因不可抗力原因?qū)е聼o法如期上市,具體日期待定中,更新進(jìn)度會及時告與大家,望理解體諒。
隨著手機(jī)充電技術(shù)的迅猛發(fā)展,快充已經(jīng)成為智能手機(jī)的標(biāo)配,不少手機(jī)廠商還將“百瓦級”快充作為自家旗艦的宣傳亮點(diǎn)。
隨著技術(shù)的飛速發(fā)展,快充已經(jīng)成為智能手機(jī)的標(biāo)配,甚至,不少手機(jī)廠商還將“百瓦級”快充作為宣傳自家旗艦的一大亮點(diǎn)。
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