日前，東南大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院國家ASIC工程中心孫偉鋒教授團隊在氮化鎵（GaN）功率驅(qū)動芯片技術(shù)上的最新研究成果成功發(fā)表在集成電路設(shè)計領(lǐng)域最高級別會議IEEE International Solid-State Circuits Conference （ISSCC）上。

該研究成果為：“A600V GaN Active Gate Driver with Dynamic Feedback Delay Compensation TechniqueAchieving 22.5% Turn-on Energy Saving”，是一種針對第三代半導(dǎo)體GaN功率器件柵極控制的延時補償分段驅(qū)動技術(shù)，可有效緩解開關(guān)損耗和EMI的折衷關(guān)系。

該論文是中國大陸在ISSCC會議上發(fā)表的第一篇關(guān)于高壓（600V等級）GaN驅(qū)動技術(shù)的論文。GaN功率器件具有工作頻率高、導(dǎo)通電阻小、溫度特性好等優(yōu)點，已成為未來高功率密度電源系統(tǒng)的首選器件。

在高功率密度電源系統(tǒng)應(yīng)用中，如何降低系統(tǒng)EMI噪聲和損耗是當(dāng)前GaN功率驅(qū)動芯片面臨的一個重要挑戰(zhàn)。孫偉鋒教授團隊通過采用延時補償技術(shù)與分段控制技術(shù)相結(jié)合的方式，依靠相位檢測和動態(tài)補償，抵消檢測及控制延時的影響，有效降低dV/dt及開關(guān)損耗，并解決了柵極振蕩、誤導(dǎo)通、EMI噪聲等可靠性問題（圖1、圖2）。

與固定柵極電流驅(qū)動技術(shù)相比，在100MHz頻率下，新技術(shù)的EMI噪聲在40V和400V工作電壓下分別降低6.3%與5.5%（圖3），同時，在相同dV/dt應(yīng)力條件下，重載開關(guān)損耗在40V和400V工作電壓下分別降低20.9%與22.5%（圖4）。

圖1 氮化鎵驅(qū)動芯片延時補償分段驅(qū)動技術(shù)結(jié)構(gòu)示意圖

圖2 通過反饋延時補償優(yōu)化分段驅(qū)動的控制效果示意圖

圖3 分段驅(qū)動技術(shù)與固定柵極電流驅(qū)動技術(shù)EMI噪聲對比

圖4 分段驅(qū)動技術(shù)與固定柵極電流驅(qū)動技術(shù)開啟功耗對比

據(jù)悉，國際固態(tài)電路年度會議（ISSCC）始于1953年，通常是各個時期國際上最尖端固態(tài)電路技術(shù)最先發(fā)表之地。由于ISSCC在國際學(xué)術(shù)、產(chǎn)業(yè)界受到極大關(guān)注，因此被稱為集成電路行業(yè)的“奧林匹克大會”。本次東南大學(xué)的研究成果也得到了華潤上華科技有限公司在工藝制備上的支持。

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