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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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GaN Systems 推出第四代氮化鎵平臺 突破能源效率瓶頸 加速應(yīng)用版圖拓展
重點摘要 GaN Systems第四代氮化鎵平臺 (Gen 4 GaN Platform) 幫助全球客戶在能源效率及尺寸微縮上突破瓶頸。 以業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)...
2023-09-28 標簽：氮化鎵 757 0
PI的PowiGaN技術(shù)與同行所使用的其他氮化鎵技術(shù)，在生產(chǎn)及可靠性管控方面也有所不同。他們的開發(fā)工作涵蓋了產(chǎn)品制造和設(shè)計環(huán)節(jié)的各個方面，從外延生長到晶...
2023-09-27 標簽：MOSFET電壓場效應(yīng)晶體管 522 0
西電廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心通線，中國科學(xué)院院士郝躍領(lǐng)銜
西安電子科技大學(xué)表示，該項目竣工后，將具備6至8英寸氮化鎵晶片生長、工程準備、密封測試等整個工程的研發(fā)和技術(shù)服務(wù)能力。接著革新中心是第三代半導(dǎo)體技術(shù)公共...
2023-09-25 標簽：新能源汽車半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵 1794 0
國星光電聯(lián)合佛照電工推出33W氮化鎵墻插快充新品
86面板墻插是我國普通家庭用電最常見的一種電力接口，當(dāng)?shù)谌雽?dǎo)體氮化鎵功率器件遇上86面板墻插，會帶來怎樣的新驚喜呢？
氮化鎵充電器為什么喜歡用貼片Y電容？? 氮化鎵充電器常用貼片Y電容，主要是因為它具有以下幾個優(yōu)點： 1. 體積小 貼片Y電容的尺寸較小，體積小巧，可以方...
第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)——氮化鎵、碳化硅
隨著全球進入物聯(lián)網(wǎng)、5G、綠色能源和電動汽車時代，能夠充分展現(xiàn)高電壓、高溫和高頻能力、滿足當(dāng)前主流應(yīng)用需求的寬禁帶半導(dǎo)體高能量轉(zhuǎn)換效率半導(dǎo)體材料開始...
當(dāng)今開關(guān)電源設(shè)計中的五大問題： （1）高效率，（2）高功率密度，（3）低待機功耗，（4）高可靠性，（5）低成本。隨著PD和適配器行業(yè)的發(fā)展，需要相同或...
大功率器件氮化鎵芯片系列產(chǎn)品KT65C1R070D、KT65C1R120D
Keep Tops繼年初推出KT65C1R200D 等氮化鎵功率器件后；最近再次推出KT65C1R070D、KT65C1R120D系列氮化鎵功率芯片，K...
如何選擇性價比高的氮化鎵芯片？采用KT65C1R200D產(chǎn)品
選擇氮化鎵芯片時，根據(jù)應(yīng)用的需求，確定所需的性能指標，包括功耗、頻率、工作溫度范圍等。不同型號的氮化鎵芯片有不同的性能特點，需要根據(jù)具體的應(yīng)用場景選擇合...
氮化鎵芯片在快充技術(shù)中扮演著重要的角色，氮化鎵芯片可以作為控制器和管理器，監(jiān)測和調(diào)整充電電流、電壓和充電模式，確?？斐溥^程的安全和穩(wěn)定。它可以精確控制充...
氮化鎵和碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料，整體發(fā)展較晚，滲透率較低。隨著半導(dǎo)體化合物的穩(wěn)定發(fā)展，第三代半導(dǎo)體具有高穿透電場、高導(dǎo)熱率、高電子遷移率、高操作溫度...
GaN（KT65C1R200D）具有高帶隙、高飽和電子遷移速度、高熱導(dǎo)率等特點。因此，GaN比Si更適合于大功率和高頻功率器件。具有體積小、散熱容易、損...
長電科技加速擴充中大功率器件成品制造產(chǎn)能，面向第三代半導(dǎo)體市場解決方案營收有望大幅增長
新能源汽車和光伏,儲能設(shè)施在全球加速普及,為第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機。長電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)...
GaN行業(yè)新標桿：比業(yè)界最佳Si MOSFET效率高2%，兼容所有驅(qū)動器
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）為了實現(xiàn)“雙碳”（“碳達峰”和“碳中和”）目標，全球主要國家和地區(qū)在環(huán)保法規(guī)上持續(xù)收緊，給消費、汽車、工業(yè)和能源等重點領(lǐng)域...
對于近幾年的電子產(chǎn)品來說，隨著充電技術(shù)的普及，快速充電技術(shù)在各種電子設(shè)備上得到了普及。我們經(jīng)常在智能手機上看到40W快充、65W快充等字樣。充電環(huán)節(jié)中最...
與等效硅基解決方案相比，氮化鎵基HEMT的開關(guān)更快、熱導(dǎo)率更高和導(dǎo)通電阻更低，因此在電路中采用氮化鎵晶體管和集成電路，可提高效率、縮小尺寸并降低各種電源...
2023-09-14 標簽：MOSFET電源轉(zhuǎn)換氮化鎵 437 0
三安半導(dǎo)體首發(fā)8英寸碳化硅襯底，國內(nèi)8英寸加速布局！
從產(chǎn)能來看，湖南三安現(xiàn)有SiC產(chǎn)能15,000片/月，較2022年底新增3,000片/月，提升25%；GaN-on-Si（硅基氮化鎵）產(chǎn)能2,000片/...
什么是氮化鎵半導(dǎo)體器件？氮化鎵半導(dǎo)體器件特點是什么？
氮化鎵是一種無機物質(zhì)，化學(xué)式為GaN，是氮和鎵的化合物，是一種具有直接帶隙的半導(dǎo)體。自1990年起常用于發(fā)光二極管。這種化合物的結(jié)構(gòu)與纖鋅礦相似，硬度非...
GaN因其特性，作為高性能功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注，近年來其開發(fā)和市場導(dǎo)入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型：水平型（在硅晶圓上生長GaN晶體）和垂直型...
氮化鎵主要用于LED(發(fā)光二極管)、微電子(微波功率和電力電子器件)、場效電晶體(MOSFET)
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