GaN圈“掃地僧”譽鴻錦：身藏寶藏，初現(xiàn)鋒芒

10月13日，譽鴻錦半導(dǎo)體在深圳國際會展中心（寶安新館）隆重舉行了氮化鎵（GaN）器件品牌發(fā)布會，暨譽鴻錦2023年度GaN功率電子器件及招商發(fā)布會活動...

2023-10-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 1731 0

Transphorm氮化鎵器件助力DAH Solar(大恒能源)全球首個全集成化微型逆變器光伏系統(tǒng)

使用更為先進(jìn)的 Transphorm氮化鎵器件，使突破性的太陽能電池板系統(tǒng)外形更小、更輕，且擁有更高的性能和效率。 ? ? 加利福尼亞州戈萊塔 － 20...

2023-10-16 標(biāo)簽：氮化鎵 1099 0

氮化鎵材料在電力電子器件中的應(yīng)用

隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，電力電子設(shè)備的應(yīng)用越來越廣泛，而氮化鎵（GaN）材料在提高能源效率方面發(fā)揮著重要作用。本文將討論氮化鎵材料的特性，氮化鎵在電力電...

2023-10-13 標(biāo)簽：芯片電子器件氮化鎵 1251 0

一種高能效、高可靠性氮化鎵芯片進(jìn)入電子領(lǐng)域

作為氮化鎵快充控制器國產(chǎn)化的先行者，KeepTops率先實現(xiàn)了氮化鎵控制芯片的自主可控性，并成功量產(chǎn)集成GaN直驅(qū)的控制器。得到了業(yè)界的廣泛認(rèn)可，現(xiàn)已推...

2023-10-11 標(biāo)簽：芯片氮化鎵 873 0

GaN 技術(shù)能否縮小 5G 毫米波的性能差距？

毫無疑問，5G更高的帶寬、更低的延遲和更高的可用性使其非常適合一系列應(yīng)用。然而，較高頻段，特別是毫米波 (mmWave)，也給實現(xiàn)這些改進(jìn)帶來了挑戰(zhàn)。因...

2023-10-10 標(biāo)簽：射頻氮化鎵GaN 1124 0

進(jìn)入第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，開啟電子技術(shù)的新紀(jì)元

第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN在新能源和射頻領(lǐng)域已經(jīng)開始大規(guī)模商用。與第一代和第二代半導(dǎo)體相比，第三代半導(dǎo)體具有許多優(yōu)勢，這些優(yōu)勢源于新材料和器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新。

2023-10-10 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體氮化鎵 927 0

氮化鎵的好處

GaN是一種寬禁帶材料。因此，它的帶隙（電子從價帶移動到導(dǎo)帶所需的能量）比硅寬得多：約3.4eV對1.12 eV。GaN HE MT增強的電子遷移率與更...

2023-10-10 標(biāo)簽：芯片氮化鎵 1050 0

CGD 的 ICeGaN HEMT 榮獲臺積電歐洲創(chuàng)新區(qū)“最佳演示”

英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造...

2023-10-10 標(biāo)簽：臺積電氮化鎵CGD 731 0

SiC 和 GaN：兩種半導(dǎo)體的發(fā)展

在元件層面，硅 IGBT 比 SiC 同類產(chǎn)品便宜得多，并且不會很快從電力應(yīng)用中消失。但一級制造商和原始設(shè)備制造商表示，將高功率密度碳化硅應(yīng)用到逆變器設(shè)...

2023-10-08 標(biāo)簽：SiC氮化鎵GaN 1160 0

氮化鎵功率器件測試方案

在當(dāng)今的高科技社會中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術(shù)領(lǐng)域的明星產(chǎn)品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優(yōu)勢在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用...

2023-10-08 標(biāo)簽：測試功率器件氮化鎵 1547 0

GaN技術(shù)：電子領(lǐng)域的下一波浪潮

GaN技術(shù)正在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角，受到了廣泛的關(guān)注和投資。這一前沿技術(shù)在汽車、消費電子和航空航天等領(lǐng)域，特別是在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，展現(xiàn)了巨大的潛力。這將...

2023-10-07 標(biāo)簽：電動汽車氮化鎵GaN 849 0

氮化鎵和碳化硅的結(jié)構(gòu)和性能有何不同

作為第三代功率半導(dǎo)體的絕世雙胞胎，氮化鎵MOS管和碳化硅MOS管日益受到業(yè)界特別是電氣工程師的關(guān)注。電氣工程師之所以如此關(guān)注這兩種功率半導(dǎo)體，是因為它們...

2023-10-07 標(biāo)簽：MOS氮化鎵功率半導(dǎo)體 1970 0

關(guān)于氮化鎵的干蝕刻綜述

GaN及相關(guān)合金可用于制造藍(lán)色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學(xué)蝕刻結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干...

2023-10-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓氮化鎵 1073 0

分析氮化鎵芯片的特點

作為第三代半導(dǎo)體材料，氮化鎵具有高頻、高效率、低發(fā)熱等特點，是制作功率芯片的理想材料。如今，電源芯片廠商紛紛推出氮化鎵封裝芯片產(chǎn)品。這些氮化鎵芯片可以顯...

2023-10-07 標(biāo)簽：芯片封裝氮化鎵 1245 0